Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF7241TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -40V -6.2A 41mOhm 53nC
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.17 грн
10+42.80 грн
100+26.53 грн
500+21.44 грн
1000+20.81 грн
2000+19.06 грн
4000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7241TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7241TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.2 A, 0.041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.69 грн
50+48.31 грн
250+34.38 грн
1000+25.72 грн
2000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7241TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 40V 6.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ON SemiconductorIRF730
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+171.28 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 400 Volt 5.5 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730SiliconixN-MOSFET 4.5A 400V 75W 1Ω IRF730 TIRF730
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730HARRISIRF730
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+171.28 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730
Код товару: 15294
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730HARRISIRF730
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+171.28 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730(MFET,N-CH,74W,400V,5.5A,TO220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730Harris CorporationDescription: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 24533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+120.84 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730SiliconixN-MOSFET 4.5A 400V 75W 1Ω IRF730 TIRF730
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ONSEMIDescription: ONSEMI - IRF730 - IRF730, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+102.65 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730HARRISIRF730
на замовлення 6306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+171.28 грн
500+154.74 грн
1000+142.93 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 1,1Ohm; 6A; 54W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF730; IRF730-BE3; IRF730-ML MOSLEADER TIRF730 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301PBFInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,2 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15, Qg, нКл = 20 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
95+46.39 грн
190+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301PBFInfineon / IRMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 50mOhms 13.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301PBFInternational Rectifier(MFET,DUAL,N-CH,LL,1.4W,20V,3.5A,SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 5.2A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301PBF
Код товару: 22639
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 5,7 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 54 шт
  • 29 шт - склад
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+24.50 грн
10+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301TRUMWTransistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301TRUMWTransistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301TRJSMicro SemiconductorTransistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 28mOhm; 7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR JSMICRO TIRF7301 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301TRUMWTransistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301TR-CNCHIPNOBOTransistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 45mOhm; 6,5A; 1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR-CN CHIPNOBO TIRF7301 CNB
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301TR-VBVBsemiSOP-8 MOSFETs ; N-Channel Array 20V 7.1A 2W Surface Mount SO-8 IRF7301TR-VB; IRF7301TR TIRF7301TR VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301TRPBF20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 5.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301TRPBF
Код товару: 51514
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 20V 5.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303HXY MOSFETTransistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm; 6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303 HXY MOSFET TIRF7303 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303
Код товару: 7928
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4,9 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+11.30 грн
100+9.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303International RectifierСдвоенный HEXFET 5-ого поколения с N-CH и низким сопротивл. с-и 0,05 Ом U=-30 В I=4,9 А SOIC8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303PBFInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,9 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7303PBF - IRF7303 - HEXFET POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V DUAL N-CH HEXFET 50mOhms 16.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303PBFInternational RectifierСдвоенный HEXFET 5-ого поколения с N-CH и низким сопротивл. с-и 0,05 Ом U=-30 В I=4,9 А SOIC8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303PBF
Код товару: 113419
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 3,9 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 114 шт
  • 90 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303QPBFIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303QTRPBFIRF09+
на замовлення 80043 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRInternational RectifierСдвоенный HEXFET 5-ого поколения с N-CH и низким сопротивл. с-и 0,05 Ом U=-30 В I=4,9 А SOIC8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRUMWTransistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303TR UMW TIRF7303 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TR
Код товару: 212501
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRUMWTransistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303TR UMW TIRF7303 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TR-TPTECH PUBLIC30V 7A 35mOhm@10V 1.3W 3V 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs Substitute: IRF7303TR; IRF7303 SOIC8(T/R) TECH PUBLIC TIRF7303 TEC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
779+45.55 грн
1000+42.01 грн
Мінімальне замовлення: 779 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 4.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.53 грн
8000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,9 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 475 Од. ви
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.53 грн
8000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.9A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7303TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+68.89 грн
4000+31.53 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF
Код товару: 29858
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7303TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.85 грн
16+52.55 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF IRF7303PBFInfineonMOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+35.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.94 грн
500+30.71 грн
1000+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.85 грн
8000+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+40.71 грн
8000+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+35.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs PLANAR FET
на замовлення 11354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.46 грн
10+64.40 грн
100+37.15 грн
500+29.05 грн
1000+26.39 грн
2000+24.23 грн
4000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.46 грн
16+52.63 грн
100+38.94 грн
500+30.71 грн
1000+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+40.71 грн
8000+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 9209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.98 грн
10+59.99 грн
100+39.74 грн
500+29.15 грн
1000+26.52 грн
2000+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304International RectifierP-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+65.82 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304International RectifierP-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+80.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304 (IRF7304PBF)
Код товару: 34673
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 4,7 A
Rds(on),Om: 0,09 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/22
Монтаж: SMD
у наявності: 45 шт
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304PBFInfineon TechnologiesMOSFETs DUAL -20V P-CH 12 VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304PBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15, Qg, нКл = 22 @ 4,5 В, Rds = 90 мОм @ 2,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
95+28.88 грн
190+24.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304PBFIRF7304PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 96 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304QTRPBFIOR
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304TRUMWSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304TRIOR
на замовлення 4560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304TRUMWTransistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 4,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7304; IRF7304TR; SP001561936; SP001565312; IRF7304TR UMW TIRF7304 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 4.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304TRPBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7304TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.3 A, 4.3 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.47 грн
100+63.54 грн
500+48.79 грн
1000+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 4.3A
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.43 грн
10+80.30 грн
100+54.47 грн
500+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304TRPBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,3, Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15, Qg, нКл = 22 @ 4,5 В, Rds = 90 мОм @ 2,2 A, 4,5 В, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА, , Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]