Продукція > SI4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4842BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 15 V
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.00 грн
10+140.94 грн
50+108.27 грн
100+91.73 грн
500+74.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28A; Idm: 60A; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 6.25W
Gate charge: 0.1µC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 28A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 28A 6.25W 4.2mohm @ 10V
на замовлення 3212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 15 V
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.00 грн
10+140.94 грн
50+108.27 грн
100+91.73 грн
500+74.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDYT1E3VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842DYVISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842DYVishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842DY-T1
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4842DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4842DYT1E3VISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-A10-GUSkyworks SolutionsRF Receiver AM/FM/SW 24-Pin SSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-A10-GUSkyworks Solutions Inc.Description: RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 504kHz ~ 1.75MHz, 64MHz ~ 109MHz
Modulation or Protocol: AM, FM
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -15°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Applications: General Purpose
Current - Receiving: 21.5mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 24-SSOP
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-A10-GUSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver FM/AM/SW with mechanical tuning/digital display
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-A10-GUSilicon LabsSSOP 24/?15 TO 85°/CONSUMER ELECTRONICS. ENHANCED AM/FM/SW RX FOR MECHANICA SI4844SSOP
кількість в упаковці: 56 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-A10-GURSkyworks SolutionsRF Receiver AM/FM/SW 24-Pin SSOP T/R
на замовлення 112345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-A10-GURSkyworks Solutions Inc.Description: RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 504kHz ~ 1.75MHz, 64MHz ~ 109MHz
Modulation or Protocol: AM, FM
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -15°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Applications: General Purpose
Current - Receiving: 21.5mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 24-SSOP
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-A10-GURSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver Consumer Electronics. Enhanced AM/FM/SW RX for mechanical tuned digital display radios, 24p SSOP, lead free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-A10-GURSkyworks SolutionsRF Receiver AM/FM/SW 24-Pin SSOP T/R
на замовлення 112345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+80.38 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-B-DEMOSkyworks Solutions Inc.Description: BOARD EVAL SI4844-B
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Si4844-B
Type: Tuner
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: Si4844
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-B-DEMOSilicon LabsRF Development Tools Consumer Electronics AM/FM/SW EVB
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-B20-GUSkyworks Solutions Inc.Description: RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 504kHz ~ 1.75MHz, 64MHz ~ 109MHz
Modulation or Protocol: AM, FM
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -15°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Applications: General Purpose
Current - Receiving: 21.5mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 24-SSOP
Part Status: Active
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+312.54 грн
10+260.37 грн
56+234.64 грн
112+211.44 грн
280+200.61 грн
504+194.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-B20-GUSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver AM/FM/SW Radio Receiver
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-B20-GUSilicon LabsSSOP 24/-15 TO 85°/ENHANCED AM/FM/SW RX FOR MECHANICAL TUNED DIGITAL DISPLA SI4844SSOP
кількість в упаковці: 56 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-B20-GURSkyworks Solutions Inc.Description: RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 504kHz ~ 1.75MHz, 64MHz ~ 109MHz
Modulation or Protocol: AM, FM
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -15°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Applications: General Purpose
Current - Receiving: 21.5mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 24-SSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-B20-GURSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver AM/FM/SW Radio Receiver
на замовлення 4127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-DEMOSilicon LabsCONSUMER ELECTRONICS AM/FM/SW EVB, 24P SSOP, USE FOR SI4840-A10 OR SI4844-A DEMO
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-DEMOSkyworks Solutions Inc.Description: SI4844 EVAL AND DEMO BOARD
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Si4844
Type: Tuner
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: Si4844
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4845SISOP-8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4845DYVISHAY09+
на замовлення 3118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4845DY-T1
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4845DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4845DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4845DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4845DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848SIEMENS01+ SOP
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3Vishay SiliconixSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.68 грн
5000+16.56 грн
7500+15.84 грн
12500+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.5 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+56.35 грн
255+55.62 грн
380+37.37 грн
399+34.29 грн
702+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 17389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.17 грн
14+57.30 грн
25+56.35 грн
50+53.64 грн
100+33.36 грн
250+30.48 грн
500+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 13184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.72 грн
10+44.44 грн
100+29.05 грн
500+21.05 грн
1000+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.5 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 75 V
на замовлення 9803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.29 грн
10+39.78 грн
100+30.19 грн
500+22.15 грн
1000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0742ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 150-V (D-S) MOSFET SO-8, 89 m a. 10V
на замовлення 3087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 75 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.65 грн
5000+16.91 грн
7500+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0742ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DYVishay / SiliconixMOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DYVISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI48
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1
на замовлення 818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+133.36 грн
5000+121.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.02 грн
10+76.61 грн
25+49.67 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 8817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.42 грн
10+79.34 грн
100+64.27 грн
500+48.08 грн
1000+44.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+61.59 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.07 грн
5000+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+101.79 грн
154+92.26 грн
164+86.68 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 17350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3
Код товару: 115193
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3Vishay SiliconixSI4848DY-T1-GE3 SI4848DY-T1-E3 SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.085 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.72 грн
5000+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 6770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.33 грн
10+89.11 грн
100+66.58 грн
500+51.06 грн
1000+44.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.085 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 7042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.72 грн
5000+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.91 грн
5000+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI485ALUTRONICCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; SOT32; Thk: 0.18mm; 900mW/mK; 4kV
Type of heat transfer pad: silicone
Application: SOT32
Thickness: 0.18mm
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Operating temperature: -60...200°C
Dielectric strength: 4kV
Dimensions: 7.9x11.1mm
Material: glass fiber reinforced silicone
Mounting: screw
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+186.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850PHI09+ SOP8
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 11.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 4.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 30700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.47 грн
7500+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 4.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 5155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3
Код товару: 223065
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 33201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.97 грн
10+64.48 грн
50+48.12 грн
100+40.23 грн
500+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 4.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 5155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.05 грн
19+40.71 грн
25+40.30 грн
50+37.38 грн
100+33.83 грн
250+32.13 грн
500+31.32 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+40.71 грн
352+40.30 грн
366+38.76 грн
375+36.53 грн
379+33.47 грн
500+31.32 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850DYVISHAY09+
на замовлення 678 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.