Продукція > Si8

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 66 77 88 99 110 112  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI8465DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1Vishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 8, Id = 3,6, Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 4, Qg, нКл = 13, Rds = 43 мОм, Ugs(th) = 0,7 В, Р, Вт = 0,7, Тексп, °C = -55...+105, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: UFBGA-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 5.4A; Idm: 20A; 1.8W
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Power dissipation: 1.8W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 5.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 8V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±5V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 90mΩ
Pulsed drain current: 20A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1
Код товару: 209156
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.63 грн
43+17.83 грн
44+17.45 грн
100+15.66 грн
250+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8467DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8467DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8467DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8469DB-T2-E1Vishay / SiliconixMOSFET 8V 4.6A 1.8W 64mOhms @ 4.5
на замовлення 4016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8469DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+14.76 грн
62+12.28 грн
63+12.09 грн
64+11.48 грн
100+10.46 грн
250+9.87 грн
500+9.71 грн
1000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 6297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.18 грн
13+24.07 грн
100+17.48 грн
500+14.62 грн
1000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1VISHAYDescription: VISHAY - SI8472DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.036 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1267+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 1267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.36 грн
6000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1VISHAYDescription: VISHAY - SI8472DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.036 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8473EDB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8473EDB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8473EDB-T1-E1Vishay / SiliconixMOSFET 20V 7.1A 2.7W 41mohm @ 4.5V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8475EDB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8475EDB-T1-E1Vishay / SiliconixMOSFET 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8475EDB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8475EDB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si8481DB-T1-E1Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 12V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 16799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.43 грн
10+32.30 грн
100+23.13 грн
500+17.26 грн
1000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1
Код товару: 178232
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1VISHAYDescription: VISHAY - SI8483DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 13W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 7299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
на замовлення 45924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 12V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: P-Channel
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.36 грн
6000+12.44 грн
9000+12.02 грн
15000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1VISHAYDescription: VISHAY - SI8483DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 13W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 7299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DBVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+78.56 грн
265+53.34 грн
500+37.16 грн
1000+33.48 грн
3000+30.83 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
на замовлення 4643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.00 грн
10+43.12 грн
100+28.06 грн
500+20.25 грн
1000+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.06A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
на замовлення 9402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.06A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.51 грн
10+30.63 грн
100+21.11 грн
500+15.08 грн
1000+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8497DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 6MICROFOOT
на замовлення 3713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8497DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 30V 13A 6-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8497DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 6MICROFOOT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8497DB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8497DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 30V 13A 6-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8499DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.29 грн
10+42.82 грн
100+27.95 грн
500+20.17 грн
1000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8499DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8499DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8499DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.41 грн
6000+15.43 грн
9000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8499DB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8499DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8499DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8499DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI84XXCOM-RDSkyworks Solutions, Inc.Interface Development Tools Si84XX Isolated Communications Reference Design (Si842x 2.5kV and 5kV)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI84XXCOM-RDSkyworks SolutionsSi8421AD/Si8421BB/Si8442AB Digital Isolator Development Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI84XXCOM-RDSilicon Labs-40 TO 125 OC/SI84XX ISOLATED COMMUNICATIONS REFERENCE DESIGN (SI842X 2.5KV SI84
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI84XXCOM-RDSkyworks Solutions Inc.Description: EVAL BOARD FOR SI8421AD SI8421BB
Packaging: Box
Function: Digital Isolator
Type: Interface
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: Si8421AD, Si8421BB, Si8442AB
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: DC to 150Mbps Data Transmission
Secondary Attributes: I2C Interface(s)
Embedded: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI84XXISO-KITSkyworks Solutions Inc.Description: EVAL BD FOR SI8400 SI8421 SI8442
Packaging: Bulk
Function: Digital Isolator
Type: Interface
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: Si8400, Si8421, Si8442, Si8463
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: DC to 150Mbps Data Transmission
Secondary Attributes: I2C Interface(s)
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2647.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI84XXISO-KITSkyworks Solutions, Inc.Interface Development Tools Si84XX Ultra Low Power Evaluation Kit (Si8400, Si8421, Si8442, Si8463, Si8420 5kV, Si8422 5kV)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI84XXISO-KITSilicon LabsDevelopment Tools - Eval Boards Si84XX Ultra Low Pwr Eval Kit KIT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI85-100
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI85-101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI85-150
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI85-151
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI85-470
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8500SILICON
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8501-B-GMSkyworks Solutions Inc.Description: CURRENT SENSOR XFMR 5A 12-QFN
Frequency: 50kHz ~ 1MHz
Output: Ratiometric, Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: 392mV/A
Polarization: Unidirectional
Package / Case: 12-VFQFN
Packaging: Tube
Number of Channels: 1
Supplier Device Package: 12-QFN (4x4)
Current - Sensing: 5A
Current - Supply (Max): 7mA
For Measuring: AC
Sensor Type: Transformer w/Conditioning
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Accuracy: ±5%
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8501-B-GMSilicon LabsДатчик струму, Fдіап, кГц = 50...1000, Iдіап = 5, 10, 20 А, Iживл = 7 мА, Uживл, В = 2.7...5,5, Поляр. = однонапрямлена, Тексп, °С = -40...+125, Точ. % = 5, Час відгуку, мкс = 1, Чутл., мВ/А = 392,... Датчики Корпус: QFN-12 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 74 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8501-C-GMSilicon LabsDescription: SENSOR CURRENT XFMR 5A AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8501-C-IMSilicon LabsДатчик струму, Fдіап, кГц = 50...1000, Iдіап = 5, 10, 20 А, Iживл = 7, Uживл, В = 2.7...5.5, Поляр. = однонаправленная, Тексп, °С = -40...+125, Точ. % = 5, Час відгуку, мкс = 1, Чутл., мВ/А = 392, 12-QFN,... Датчики Корпус: QFN-12 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8501-C-IMSilicon LabsQFN 12/A°/5A CURRENT SENSOR, SINGLE OUTPUT 1KV SI8501
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8501-C-IMSkyworks Solutions Inc.Description: CURRENT SENSOR XFMR 5A 12-QFN
Accuracy: ±5%
Frequency: 50kHz ~ 1MHz
Output: Ratiometric, Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: 392mV/A
Polarization: Unidirectional
Package / Case: 12-VFQFN
Packaging: Tray
Number of Channels: 1
Supplier Device Package: 12-QFN (4x4)
Current - Sensing: 5A
Current - Supply (Max): 7mA
For Measuring: AC
Sensor Type: Transformer w/Conditioning
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8501-C-IMRSilicon LabsDescription: SENSOR CURRENT XFMR 5A AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8501-C-IMRSilicon LabsQFN 12/A°/5A CURRENT SENSOR, SINGLE OUTPUT 1KV SI8501
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8501-C-ISSkyworks Solutions Inc.Description: CURRENT SENSOR XFMR 5A 20-SOIC
Polarization: Unidirectional
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tube
Number of Channels: 1
Supplier Device Package: 20-SOIC
Current - Sensing: 5A
Current - Supply (Max): 7mA
For Measuring: AC
Sensor Type: Transformer w/Conditioning
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Accuracy: ±5%
Frequency: 50kHz ~ 1MHz
Output: Ratiometric, Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: 392mV/A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8501-C-ISSilicon LabsSOIC 20/A°/5A Current Sensor, Single Output 5kV SOIC20 SI8501
кількість в упаковці: 38 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8501-C-ISSilicon LabsДатчик струму, Fдіап, кГц = 50...1000, Iдіап = 5, 10, 20 А, Iживл = 7, Uживл, В = 2.7...5.5, Поляр. = однонапрямлена, Тексп, °С = -40...+125, Точ. % = 5, Час відгуку, мкс = 1, Чутл., мВ/А = 392, 20-SOIC (0.300", 7.50mm Width) ,... Датчики Корпус: SOIC-20
кількість в упаковці: 38 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8501-C-ISRSilicon LabsSOIC 20/A°/5A CURRENT SENSOR, SINGLE OUTPUT 5KV SI8501
кількість в упаковці: 1250 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8501-C-ISRSkyworks Solutions Inc.Description: CURRENT SENSOR XFMR 5A 20-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 392mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: 50kHz ~ 1MHz
Accuracy: ±5%
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Sensor Type: Transformer w/Conditioning
For Measuring: AC
Current - Supply (Max): 7mA
Current - Sensing: 5A
Supplier Device Package: 20-SOIC
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8502-B-GMSilicon LabsДатчик струму, Fдіап, кГц = 50...1000, Iдіап = 5, 10, 20, Iживл = 7, Uживл, В = 2,7...5,5, Поляр. = однонапрямлена, Тексп, °С = -40...+85, Точ. % = 5, Час відгуку, мкс = 1, Чутл., мВ/А = 196,... Датчики Корпус: QFN-12 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 74 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8502-C-GMSkyworks Solutions Inc.Description: SENSOR CURRENT XFMR 10A AC
Number of Channels: 1
Supplier Device Package: 12-QFN (4x4)
Current - Sensing: 10A
Current - Supply (Max): 7mA
For Measuring: AC
Sensor Type: Transformer w/Conditioning
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Accuracy: ±5%
Frequency: 50kHz ~ 1MHz
Output: Ratiometric, Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: 196mV/A
Polarization: Unidirectional
Package / Case: 12-VFQFN
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8502-C-IMSilicon LabsДатчик струму, Fдіап, кГц = 50...1000, Iдіап = 5, 10, 20 A, Uживл, В = 2,7...5,5 , Поляр. = однонапрямлена, Тексп, °С = -40...+125 °C, Точ. % = 5, Час відгуку, мкс = 1, Чутл., мВ/А = 196,... Датчики Корпус: QFN-12 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 74 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8502-C-IMSilicon LabsQFN 12/A°/10A CURRENT SENSOR, SINGLE OUTPUT 1KV SI8502
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8502-C-IMSkyworks Solutions Inc.Description: SENSOR CURRENT XFMR 10A AC
Sensor Type: Transformer w/Conditioning
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Accuracy: ±5%
Frequency: 50kHz ~ 1MHz
Output: Ratiometric, Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: 196mV/A
Polarization: Unidirectional
Package / Case: 12-VFQFN
Packaging: Tray
Number of Channels: 1
Supplier Device Package: 12-QFN (4x4)
Current - Sensing: 10A
Current - Supply (Max): 7mA
For Measuring: AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 525 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 66 77 88 99 110 112  [ Наступна Сторінка >> ]