Продукція > BSS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V | на замовлення 10246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS127IXTSA1 | Infineon | SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS127L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS127S-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 160 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 610mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 610mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 80ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 160ohm | на замовлення 1627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS127S-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.07A; 0.61W; SOT23 Mounting: SMD Power dissipation: 0.61W Polarisation: unipolar Drain current: 70mA Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23 On-state resistance: 160Ω | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Infineon | MOSFET N-CH 600V 50MA SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS127S-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 160 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 610mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 160ohm | на замовлення 1627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 600V 160Ohm 70mA | на замовлення 62504 шт: термін постачання 245-254 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS127S-7-50 | Diodes Incorporated | Description: BSS Family SOT23 T&R 3K Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS127S-7-50 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SC59 | на замовлення 8334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS127SSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 610mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm | на замовлення 2190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs BSS Family,SC59 Family,SC59,3K | на замовлення 12670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SC59 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS127SSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 610mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm | на замовлення 2190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40mA; Idm: 0.16A; 0.61W; SC59 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 40mA Power dissipation: 0.61W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 190Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 0.16A Gate charge: 1.08nC Kind of package: 7 inch reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS129 | SIEMENS | SMD | на замовлення 101000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS13 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSS131 | Analog Power Inc. | Description: MOSFET N-CH 250V 0.401A SOT-23 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS131 | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 4,5Ohm; 100mA; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 JSMICRO TBSS131 JSM кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS131 | YFW | Transistor N-Channel MOSFET; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327; BSS131 TBSS131 c кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS131 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 240V 100MA 360MW 14@10V,100MA 1. Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS131 | FUXINSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 4,5Ohm; 100mA; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 SOT23 FUXINSEMI TBSS131 FUX кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS131 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 240V 100MA 360MW 14@10V,100MA 1. Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS131 | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327; BSS131 TBSS131 c кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS131 (SOT-23) Код товару: 33823
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSS131 E6327 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS131 H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 25620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS131 H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 26350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS131 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS131 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 240V 110mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS131E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS131E6327 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS131H6327 Код товару: 122768
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, В: 240 В Струм стоку Idd, А: 0,11 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 14 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 58/2,1 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| BSS131H6327 | Infineon | BSS131H6327 BSS131 МОП-транзистор N-Channel 240V 100mA 360mW SOT23 Транзистори | на замовлення 51 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS131H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS131H6327 | Infineon | МОП-транзистор SIPMOS N-Channel 240V 100mA - замена для PMBF107 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS131H6327XT | Infineon | МОП-транзистор SIPMOS N-Channel 240V 100mA - замена для PMBF107 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS131H6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm | на замовлення 52366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon | N-Channel 240V 100mA - замена для PMBF107 SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm | на замовлення 52366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon | N-MOSFET 110mA 240V 360mW 14Ω BSS131 TBSS131 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | Description: BSS131IXUSA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109mA (Ta), 121mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 440mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 120 V | на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Small-Signal Power-Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS131IXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | Description: BSS131IXUSA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109mA (Ta), 121mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 440mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 120 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS131IXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 440mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS131L6327HTSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS131L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS131L6327XT | INFINEON | 09+ MSOP8 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS134N | INFINEON | SOT-23 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS135 | на замовлення 80000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS135 Код товару: 77919
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSS138 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 50V 220MA 3.5@10V,220MA 225MW N | на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS138 Код товару: 197212
Додати до обраних
Обраний товар
| UMW | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, В: 50 В Струм стоку Idd, А: 0,2 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,5 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 50/ Монтаж: SMD | у наявності: 3039 шт
очікується: 20000 шт
|
| ||||||||||||||||
| BSS138 | KINGTRONICS | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS138PW,115; BSS138BW SOT323 KINGTRONICS TBSS138pw KT кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS138 | REALCHIP | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 4Ohm; 200mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; BSS138 SOT23 RealChip TBSS138 REA кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 5950 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS138 | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JSMICRO TBSS138 кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS138 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm | на замовлення 43334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS138 | EVVO | Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS138 | ON-Semiconductor | N-MOSFET 50V 220mA 3.5Ω 360mW BSS138 Fairchild TBSS138 FAI кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2436000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS138 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 2.4nC Features of semiconductor devices: logic level | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS138 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE | на замовлення 1554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS138 | Транзистори | на замовлення 400 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
| |||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2475000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS138 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V | на замовлення 423000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS138 | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS138 | SLKOR | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 SLKOR TBSS138 SL кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 131994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS138 | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 50V, 0.26A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS138 | LGE | Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS138 | GOODWORK | Description: SOT-23 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS138 | HT SEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2,5Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; similar to: BSS138-TP BSS138 SOT23 HT SEMI TBSS138 HTSEMI кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 2400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |

