Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMC4435BZ-F127-L701onsemiMOSFET P-Channel Power Trench MOSFET -30V, -18A, 20mohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ_F106onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4436BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC4436BZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4436BZFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 23228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
841+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 841 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4D9P20X8ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -47A; Idm: -335A; 40W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -47A
Pulsed drain current: -335A
Power dissipation: 40W
Case: PQFN8
On-state resistance: 16.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4D9P20X8onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4D9P20X8onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+77.14 грн
100+60.15 грн
500+46.63 грн
1000+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510Ponsemi / FairchildMOSFETs 20V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 14054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 8000 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510PonsemiMOSFETs 20V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+89.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -18A; 41W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18A
Power dissipation: 41W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510PONS/FAIMOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 8000 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+89.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510P-F106ON SemiconductorDescription: ST3 20V/8V PCH ERTREN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510P-F106ON Semiconductor / FairchildMOSFET ST3 20V/8V PCH Power Trench Mosfet
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614Ponsemi / FairchildMOSFET LOW VOLTAGE
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.33 грн
10+61.36 грн
100+47.83 грн
500+37.08 грн
1000+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614P-B8onsemiMOSFET FET -60V 100.0 MOHM MLP33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614P-B8ON SemiconductorMOSFET Transistor
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+53.88 грн
1000+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614P-B8onsemiDescription: FET -60V 100.0 MOHM MLP33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614P-B8ON SemiconductorMOSFET Transistor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+53.88 грн
1000+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614P-B8ON SemiconductorMOSFET Transistor
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+53.88 грн
1000+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614P-L701onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 8MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614P-L701onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC610P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 2800 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610PonsemiMOSFETs P-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 3264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.25 грн
10+137.22 грн
50+105.17 грн
100+89.00 грн
500+71.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.95 грн
10+116.48 грн
25+115.91 грн
100+102.19 грн
250+92.29 грн
500+82.19 грн
1000+75.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC610P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 2800 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+127.95 грн
122+116.48 грн
123+115.91 грн
134+102.19 грн
250+92.29 грн
500+82.19 грн
1000+75.85 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610Ponsemi / FairchildMOSFETs P-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC612PZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8-MLP
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC612PZON Semiconductor / FairchildMOSFET P-CH. ER TRENCH MOSFET
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC612PZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8-MLP
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC612PZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8-MLP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6296ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 11624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+90.28 грн
500+81.26 грн
1000+74.94 грн
10000+64.42 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6296ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+90.28 грн
500+81.26 грн
1000+74.94 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6296Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2141 pF @ 15 V
на замовлення 20197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+45.43 грн
Мінімальне замовлення: 460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6296ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+90.28 грн
500+81.26 грн
1000+74.94 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 191225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
564+62.75 грн
1000+57.88 грн
10000+51.60 грн
100000+41.69 грн
Мінімальне замовлення: 564 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZonsemiMOSFETs -30V 20A P-Channel PowerTrench
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.97 грн
10+111.70 грн
100+74.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+111.70 грн
189+74.90 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; Idm: -32A; 36W; WDFN8
Case: WDFN8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 36W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 27mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
564+62.75 грн
1000+57.88 грн
10000+51.60 грн
Мінімальне замовлення: 564 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.13 грн
221+64.17 грн
264+53.59 грн
500+48.34 грн
1000+40.63 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZonsemi / FairchildMOSFETs -30V 20A P-Channel PowerTrench
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
564+62.75 грн
1000+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 564 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.52 грн
10+71.55 грн
100+49.54 грн
500+39.82 грн
1000+36.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ
Код товару: 130485
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ-TonsemiDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Vgs (Max): ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6676BZFairchild SemiconductorDescription: RF MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 192350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 2049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZonsemiMOSFETs -30V P-Channel Power Trench
на замовлення 15015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 8600 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
432+82.01 грн
500+73.81 грн
1000+68.07 грн
Мінімальне замовлення: 432 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
432+82.01 грн
500+73.81 грн
1000+68.07 грн
10000+58.52 грн
Мінімальне замовлення: 432 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 8600 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZonsemi / FairchildMOSFETs -30V P-Channel Power Trench
на замовлення 17969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 41W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 41W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ-PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6680AZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH
Packaging: Bulk
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1150+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 1150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6680AZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC6680AZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1686 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6683Fairchild SemiconductorDescription: 14A, 20V, 0.0084OHM, P-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6683onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6683PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 40A 8MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6683PZFairchild SemiconductorDescription: 14A, 20V, 0.0084OHM, P-CHANNEL ,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6683PZonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6683_Ponsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6686PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC6686P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 56 A, 0.0033 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6686PON Semiconductor / FairchildMOSFET PT8P 20/8V ER PQFN33
на замовлення 10729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6686PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 10 V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.98 грн
10+115.03 грн
100+78.88 грн
500+59.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6686PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC6686P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 56 A, 0.0033 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6686PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -56A; Idm: -377A; 40W; Power33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -56A
Power dissipation: 40W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -377A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6686PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6688PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 10556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
596+59.35 грн
1000+54.74 грн
10000+48.80 грн
Мінімальне замовлення: 596 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6688PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
596+59.35 грн
1000+54.74 грн
Мінімальне замовлення: 596 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6688PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 11150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
596+59.35 грн
1000+54.74 грн
10000+48.80 грн
Мінімальне замовлення: 596 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6688PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7435 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6688PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
596+59.35 грн
1000+54.74 грн
Мінімальне замовлення: 596 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6688PON Semiconductor / FairchildMOSFET PT8P 20_8V FROM VANGUARD
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6688PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
596+59.35 грн
1000+54.74 грн
Мінімальне замовлення: 596 шт
В кошику  од. на суму  грн.