Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMC4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 63859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.56 грн
50+71.76 грн
100+46.95 грн
500+32.23 грн
1500+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 31W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.91 грн
6+80.94 грн
10+71.13 грн
50+49.36 грн
100+42.21 грн
500+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
622+57.02 грн
1000+52.58 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ
Код товару: 52237
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.98 грн
9000+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+119.61 грн
165+86.13 грн
231+61.38 грн
500+48.66 грн
1000+41.47 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ-F126ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1133+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 1133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ-F126onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ-F126ON Semiconductor / FairchildMOSFET -30V P-CH PwrTrench
на замовлення 23810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ-F127onsemi / FairchildMOSFETs -30V P-CH PwrTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ-F127ON SemiconductorFDMC4435BZ-F127
на замовлення 18596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+71.09 грн
554+63.98 грн
1000+59.01 грн
10000+50.72 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ-F127ON SemiconductorFDMC4435BZ-F127
на замовлення 791049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+71.09 грн
554+63.98 грн
1000+59.01 грн
10000+50.72 грн
100000+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ-F127onsemiDescription: P-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET -3
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.2x3.2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ-F127-L701onsemiDescription: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ-F127-L701onsemiMOSFET P-Channel Power Trench MOSFET -30V, -18A, 20mohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ-F127-L701ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+71.25 грн
553+64.13 грн
1000+59.15 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ-F127-L701onsemiDescription: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.50 грн
10+71.57 грн
100+48.01 грн
500+35.59 грн
1000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ_F106onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4436BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC4436BZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1232+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 1232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4436BZFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 23228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
841+25.79 грн
Мінімальне замовлення: 841 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4D9P20X8onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4D9P20X8ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -47A; Idm: -335A; 40W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -47A
Pulsed drain current: -335A
Power dissipation: 40W
Case: PQFN8
On-state resistance: 16.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4D9P20X8onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.54 грн
10+76.43 грн
100+59.60 грн
500+46.21 грн
1000+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 8000 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510PonsemiMOSFETs 20V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.04 грн
10+138.14 грн
100+82.84 грн
500+67.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+89.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510PONS/FAIMOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 8000 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+222.29 грн
50+144.17 грн
100+99.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510Ponsemi / FairchildMOSFETs 20V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 14054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.88 грн
10+128.61 грн
100+76.63 грн
250+72.49 грн
500+64.20 грн
1000+59.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+89.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -18A; 41W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18A
Power dissipation: 41W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V
на замовлення 10211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.14 грн
10+129.53 грн
100+89.30 грн
500+67.69 грн
1000+64.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510PONN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510P-F106ON Semiconductor / FairchildMOSFET ST3 20V/8V PCH Power Trench Mosfet
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510P-F106ON SemiconductorDescription: ST3 20V/8V PCH ERTREN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -13.5A; 42W; WDFN8
Power dissipation: 42W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -13.5A
On-state resistance: 168mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.67 грн
10+60.80 грн
100+47.39 грн
500+36.74 грн
1000+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614Ponsemi / FairchildMOSFET LOW VOLTAGE
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614P-B8ON SemiconductorMOSFET Transistor
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+54.00 грн
1000+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614P-B8onsemiDescription: FET -60V 100.0 MOHM MLP33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614P-B8onsemiMOSFET FET -60V 100.0 MOHM MLP33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614P-B8ON SemiconductorMOSFET Transistor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+54.00 грн
1000+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614P-B8ON SemiconductorMOSFET Transistor
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+54.00 грн
1000+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614P-L701onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614P-L701onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 8MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.67 грн
10+139.40 грн
100+96.36 грн
500+73.14 грн
1000+67.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610Ponsemi / FairchildMOSFETs P-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.05 грн
10+127.02 грн
100+86.29 грн
250+82.15 грн
500+69.72 грн
1000+64.20 грн
3000+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC610P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 2800 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.12 грн
10+86.18 грн
100+73.45 грн
500+66.86 грн
1000+60.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.24 грн
10+116.74 грн
25+116.17 грн
100+102.42 грн
250+92.49 грн
500+82.38 грн
1000+76.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.24 грн
122+116.74 грн
123+116.17 грн
134+102.42 грн
250+92.49 грн
500+82.38 грн
1000+76.02 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+68.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610PonsemiMOSFETs P-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 3314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.29 грн
10+142.11 грн
100+85.60 грн
500+69.72 грн
1000+66.48 грн
3000+61.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC610P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 2800 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.45 грн
500+66.86 грн
1000+60.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC612PZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8-MLP
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC612PZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8-MLP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC612PZON Semiconductor / FairchildMOSFET P-CH. ER TRENCH MOSFET
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC612PZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8-MLP
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6296ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 11624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+90.48 грн
500+81.44 грн
1000+75.11 грн
10000+64.56 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6296ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+90.48 грн
500+81.44 грн
1000+75.11 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6296Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2141 pF @ 15 V
на замовлення 20197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+45.01 грн
Мінімальне замовлення: 460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6296ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+90.48 грн
500+81.44 грн
1000+75.11 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+111.94 грн
189+75.07 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; Idm: -32A; 36W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 36W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -32A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
564+62.89 грн
1000+58.00 грн
10000+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 564 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZonsemiMOSFETs -30V 20A P-Channel PowerTrench
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.67 грн
10+80.98 грн
100+47.29 грн
500+37.35 грн
1000+31.20 грн
3000+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ
Код товару: 130485
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.42 грн
221+64.32 грн
264+53.71 грн
500+48.45 грн
1000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
564+62.89 грн
1000+58.00 грн
Мінімальне замовлення: 564 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.51 грн
10+70.90 грн
100+49.08 грн
500+39.46 грн
1000+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 191225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
564+62.89 грн
1000+58.00 грн
10000+51.72 грн
100000+41.78 грн
Мінімальне замовлення: 564 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.37 грн
10+111.94 грн
100+75.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZonsemi / FairchildMOSFETs -30V 20A P-Channel PowerTrench
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.98 грн
10+55.65 грн
100+38.80 грн
500+33.27 грн
1000+31.69 грн
3000+28.03 грн
6000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ-TonsemiDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Vgs (Max): ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6676BZFairchild SemiconductorDescription: RF MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 192350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 2049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 8600 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.08 грн
500+47.94 грн
1000+40.59 грн
5000+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
на замовлення 3024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.48 грн
10+79.65 грн
100+57.36 грн
500+43.10 грн
1000+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZonsemi / FairchildMOSFETs -30V P-Channel Power Trench
на замовлення 17969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.81 грн
10+81.77 грн
100+50.05 грн
500+39.14 грн
1000+36.59 грн
3000+32.24 грн
6000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
432+82.20 грн
500+73.97 грн
1000+68.22 грн
Мінімальне замовлення: 432 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
432+82.20 грн
500+73.97 грн
1000+68.22 грн
10000+58.65 грн
Мінімальне замовлення: 432 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 8600 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.41 грн
10+96.65 грн
100+65.08 грн
500+47.94 грн
1000+40.59 грн
5000+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZonsemiMOSFETs -30V P-Channel Power Trench
на замовлення 15015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.17 грн
10+84.15 грн
100+51.09 грн
500+41.83 грн
1000+37.55 грн
3000+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 41W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 41W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ-PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6680AZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH
Packaging: Bulk
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1150+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 1150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6680AZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC6680AZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1686+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 1686 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]