Продукція > SPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPP100N03S2L03 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP100N04S2-04 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7220 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP100N04S2-04 | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPP100N04S204 | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPP100N04S2L-03 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP100N04S2L-03(PN04 | на замовлення 165 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP100N04S2L-04 | на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP100N06S2-05 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP100N06S2L-05 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7530 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP100N08S2-07 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP100N08S2L-07 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 68A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7130 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP1020A | Essentra | Conduit Fittings & Accessories | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP1020B | Essentra | Conduit Fittings & Accessories | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP105201 | Carlo Gavazzi | Switching Power Supplies ENCLOSED TYPE SWITCHING PS 5VDC 20W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP105351 | Carlo Gavazzi | Switching Power Supplies ENCLOSED TYPE SWITCHING PS 5VDC 35W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP105601 | Carlo Gavazzi | Switching Power Supplies ENCLOSED TYPE SWITCHING PS 5VDC 60W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP10N10 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPP10N10 - SPP10N10 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP10N10 | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPP10N10 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 426 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 21µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP10N10L | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A TO220-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 154mOhm @ 8.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 444 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP112201 | Carlo Gavazzi | Power Supplies - Chassis Mount ENCLOSED TYPE SWITCHING PS 12VDC 20W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP112201 | Carlo Gavazzi Inc. | Description: AC/DC CONVERTER 12V 20W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP112351 | Carlo Gavazzi Inc. | Description: AC/DC CONVERTER 12V 36W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP112351 | Carlo Gavazzi | Switching Power Supplies ENCLOSED TYPE SWITCHING PS 12VDC 35W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP112601 | Carlo Gavazzi Inc. | Description: AC/DC CONVERTER 12V 60W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP112601 | Carlo Gavazzi | Switching Power Supplies ENCLOSED TYPE SWITCHING PS 12VDC 60W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP115201 | Carlo Gavazzi | Power Supplies - Chassis Mount ENCLOSED TYPE SWITCHING PS 15VDC 20W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP115201 | Carlo Gavazzi Inc. | Description: AC/DC CONVERTER 15V 21W Current - Output 1: 1.4 A Voltage - Isolation: 3 kV Number of Outputs: 1 Part Status: Obsolete Voltage - Output 1: 15V Efficiency: 87% Approval Agency: CE, cURus, TUV Applications: ITE (Commercial) Operating Temperature: -40°C ~ 71°C (With Derating) Type: Enclosed Voltage - Input: 88 ~ 264 VAC, 120 ~ 375 VDC Mounting Type: Chassis Mount Size / Dimension: 3.62" L x 2.13" W x 1.18" H (92.0mm x 54.0mm x 30.0mm) Features: Adjustable Output, IP20, Universal Input Power (Watts): 21W Packaging: Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP115351 | Carlo Gavazzi | Switching Power Supplies ENCLOSED TYPE SWITCHING PS 15VDC 35W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP115601 | Carlo Gavazzi | Power Supplies - Chassis Mount ENCLOSED TYPE SWITCHING PS 15VDC 60W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N60C2 Код товару: 116673
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP11N60C2 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP11N60C3 Код товару: 28611
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, V: 600 V Струм стоку Idd, A: 1 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1460/10,6 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| SPP11N60C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 2002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP11N60C3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Power dissipation: 125W Case: PG-TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 33A | на замовлення 29 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3 | на замовлення 533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N60C3XKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N60C3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPP11N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 19953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 13878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 13883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP11N60C3_05 | на замовлення 57 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP11N60CFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CFD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N60CFD | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP11N60CFDHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Order Manufacturer Part Number SPP11N60CFD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N60CFDHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N60CFDXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPP11N60CFDXKSA1 - SPP11N60 - LOW POWERLEGACY tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP11N60CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 11A TO220-3 | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N60CFDXKSA1 | Infineon | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPP11N60CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N60CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N60S5 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 11A TO220-3 CoolMOS S5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N60S5 | INF | 07+; | на замовлення 29000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP11N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3 | на замовлення 192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER_LEGACY Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N65C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N65C3 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N65C3 | Infineon | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPP11N65C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Order Manufacturer Part Number SPP11N65C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N65C3HKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N65C3HKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 Packaging: Tube Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N65C3XK | Infineon Technologies | Description: SPP11N65 - 650V AND 700V COOLMOS Part Status: Active Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Packaging: Bulk Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N80C3 | Infineon | TO-200AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N80C3 | Infineon Technologies | Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N80C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 156W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP11N80C3 Код товару: 111118
1
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, V: 800 V Струм стоку Idd, A: 11 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1600/8 Монтаж: THT | у наявності: 29 шт
|
| |||||||||||||||
| SPP11N80C3XK | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3 | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V | на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP11N80C3XKSA1 | Infineon | N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 SPP11N80C3XKSA1 TSPP11n80c3 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP11N80C3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPP11N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 156W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm | на замовлення 513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3 | на замовлення 538 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP12 | 3M | Description: SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP12200J | IRC (TT electronics) | Res Wirewound 220 Ohm 5% 1W ±300ppm/°C Conformal Coated AXL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP124201 | Carlo Gavazzi Inc. | Description: AC/DC CONVERTER 24V 22W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP124201 | Carlo Gavazzi | Switching Power Supplies ENCLOSED TYPE SWITCHING PS 24VDC 20W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP124601 | Carlo Gavazzi | Switching Power Supplies ENCLOSED TYPE SWITCHING PS 24VDC 60W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP12N50C3 | INF | 07+; | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP12N50C3 Код товару: 47987
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPP12N50C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 11.6A TO220-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP12N50C3 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP12N50C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Order Manufacturer Part Number SPP12N50C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

