Продукція > SQM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQM40022EM_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 150A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022EM_KE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022EM_KE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022EM_NE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.24 грн
17+45.14 грн
25+42.84 грн
50+39.04 грн
100+36.87 грн
250+36.26 грн
500+35.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQM40022E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1630 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.97 грн
500+59.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQM40022E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1630 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.08 грн
10+125.99 грн
100+86.97 грн
500+59.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
309+45.84 грн
314+45.14 грн
319+44.43 грн
324+42.16 грн
329+38.41 грн
335+36.26 грн
500+35.66 грн
Мінімальне замовлення: 309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40031EL_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQM40031EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+253.61 грн
10+168.26 грн
100+158.50 грн
500+138.13 грн
1000+119.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40031EL_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.98 грн
10+159.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40031EL_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+94.76 грн
1600+85.51 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40031EL_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 19058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40031EL_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40031EL_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40031EL_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.93 грн
10+167.11 грн
100+117.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40041ELVishayTrans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40041EL_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40041EL_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQM40041EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 2830 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 157W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00283ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+147.94 грн
500+133.60 грн
1000+120.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40041EL_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40041EL_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQM40041EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 2830 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+267.43 грн
10+175.57 грн
100+147.94 грн
500+133.60 грн
1000+120.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40041EL_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+315.51 грн
65+219.65 грн
100+160.76 грн
500+147.15 грн
800+117.50 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40041EL_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Pch -40V Vds 20V Vgs TO-263
на замовлення 7643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40061EL_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.98 грн
10+114.73 грн
100+78.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40061EL_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQM40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 5100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.60 грн
500+73.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40061EL_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40061EL_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id
на замовлення 8116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40061EL_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+61.95 грн
1600+55.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40061EL_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQM40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 5100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.96 грн
10+127.62 грн
100+88.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40081EL_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQM40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 107W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.08 грн
10+124.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40081EL_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+173.55 грн
109+130.83 грн
144+98.84 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40081EL_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds 20V Vgs TO-263
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40081EL_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.30 грн
10+105.07 грн
100+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40081EL_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQM40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 107W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40081EL_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.32 грн
10+130.66 грн
100+98.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40081EL_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40N10-30-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40N10-30-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQM4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40N10-30_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40N10-30_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQM40N10-30_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.15 грн
10+137.37 грн
100+100.79 грн
500+73.59 грн
1000+57.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40N10-30_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 40A 107W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40N10-30_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40N10-30_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQM40N10-30_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.79 грн
500+73.59 грн
1000+57.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40N15-38-GE3VishayTrans Mosfet N-Ch 150V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) To-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40N15-38-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SQM40N15-38_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40N15-38_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 40A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40N15-38_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQM40N15-38_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.54 грн
10+176.39 грн
100+142.25 грн
500+117.75 грн
1000+106.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40N15-38_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 150V 40A 166W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40N15-38_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40N15-38_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQM40N15-38_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.25 грн
500+117.75 грн
1000+106.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40P10-40L"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQM40P10-40L"GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 40A, TO-263
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.59 грн
10+176.39 грн
25+162.57 грн
50+137.37 грн
100+112.87 грн
500+100.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40P10-40L_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+225.47 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40P10-40L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 40A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5295 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.12 грн
10+140.09 грн
100+97.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40P10-40L_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 100V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40P10-40L_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.48 грн
10+158.50 грн
100+117.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40P10-40L_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40P10-40L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 40A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5295 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40P10-40L_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM47N10-24L-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQM4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM47N10-24L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.38 грн
10+132.01 грн
100+105.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM47N10-24L_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V 47A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM47N10-24L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+92.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48S20010-NS00Bel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48S20010-NS0PBel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48S20010-PS00Bel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48S20010-PS0PBel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48S20033-NS00Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 20A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48S25010-NS00Bel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48S25010-NS0PBel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48S25010-PS00Bel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48S25010-PS0PBel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-NAA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-NAAPBel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-NAB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-NABPBel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-NAC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-NACPBel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-NBA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-NBAPBel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-NBB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-NBBPBel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-NBC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-NBCPBel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-NCA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-NCAPBel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-NCB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-NCBPBel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-NCC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-NCCPBel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-NDA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-NDAPBel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-NDB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-NDBPBel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-NDC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-NDCPBel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-NEC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-NECPBel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM48T20010-PAA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC EIGHTH BRICK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]