Продукція > SUD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SUD50NP04-62-4-E3
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50NP04-62-T4-E3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 8.0A 15.6/23.5W 30/32mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50NP04-77P-T4E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 10.8W, 24W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S)
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.25 грн
10+87.33 грн
100+55.37 грн
500+47.77 грн
1000+44.80 грн
2000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+85.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P04-08-BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 50A, TO-252
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.1mohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.99 грн
10+104.70 грн
25+94.23 грн
50+78.53 грн
100+63.51 грн
250+59.37 грн
500+55.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P04-08-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 73.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
на замовлення 48607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.88 грн
10+103.09 грн
100+69.10 грн
500+51.98 грн
1000+44.18 грн
5000+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
на замовлення 15786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.58 грн
10+89.82 грн
100+60.80 грн
500+45.36 грн
1000+41.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3VishayТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
на замовлення 15100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.52 грн
4000+38.11 грн
6000+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 50A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-09LVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-09L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+77.63 грн
4000+74.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-09L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-09L-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 50A 136W 9.4mohm @ 10V
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.74 грн
10+146.08 грн
100+93.20 грн
250+92.51 грн
500+78.01 грн
1000+74.56 грн
2000+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-09L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
на замовлення 12804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.09 грн
10+152.86 грн
100+106.36 грн
500+81.17 грн
1000+75.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-09L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P04-09L-E3 - MOSFET, P CHANNEL, -40V, -50A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.45 грн
10+186.05 грн
25+169.94 грн
50+143.59 грн
100+118.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-09L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-09L-E3
Код товару: 167710
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-09L-E3-VBVBsemiTransistor P-Channel MOSFET; -40V; +/-20V; 59mOhm; -50A; 136W; -55°C~175°C; SUD50P04-09L-E3 TSUD50P04-09L-E3 VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.18 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-13L
Код товару: 92167
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-13LVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-13L
Код товару: 92169
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-13L-E3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SUD5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-13L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 93.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-13L-E3VishayТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-13L-E3VISHAY09+ SOP8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-13L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 93.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-15VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-15VishayТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-15-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-15-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-15-T4
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-23
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-23-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 8.2A/20A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 45.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-23-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 8.2A/20A TO252
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 45.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 20A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-23-GE3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-40PVISHAY
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-40P-T4-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 6A/8A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1555 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06
Код товару: 66964
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15UMWDescription: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.86 грн
5000+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15UMWDescription: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.09 грн
10+54.67 грн
100+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-BE3VishayPower MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+81.35 грн
4000+80.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 3067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.43 грн
10+149.57 грн
100+104.07 грн
500+79.42 грн
1000+78.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P06-15-BE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 50A, TO-252
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+271.42 грн
10+168.33 грн
25+154.64 грн
50+129.38 грн
100+107.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+75.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-BE3VishayPower MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+81.35 грн
4000+80.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 23640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.67 грн
10+148.46 грн
100+97.34 грн
500+79.39 грн
1000+78.70 грн
2000+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+74.25 грн
4000+74.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 50A 113W 15mohm @ 10V
на замовлення 12347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.67 грн
10+161.16 грн
100+97.34 грн
500+79.39 грн
1000+78.70 грн
2000+73.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 55988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.43 грн
10+149.57 грн
100+104.07 грн
500+79.42 грн
1000+78.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+265.92 грн
73+195.80 грн
100+171.99 грн
125+160.74 грн
250+133.48 грн
500+116.80 грн
1000+111.13 грн
2000+106.60 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 8357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+117.59 грн
500+93.48 грн
1000+84.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4950 @ 25, Qg, нКл = 165, Rds = 15 мОм, Ugs(th) = 3, Р, Вт = 113, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-252 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 520 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2000+72.45 грн
Мінімальне замовлення: 520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+75.95 грн
4000+68.72 грн
6000+68.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+74.25 грн
4000+74.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 78316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+295.58 грн
50+191.68 грн
100+132.89 грн
500+100.96 грн
1000+91.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3Vishay SiliconixP-Channel 60V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15LVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15LVishay / SiliconixMOSFETs 60V 50A 136W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P06-15L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 3146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+275.45 грн
10+171.55 грн
100+124.84 грн
500+105.45 грн
1000+86.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3
Код товару: 82293
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3VishayMOSFET P-CH 60V 50A TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CH 60V 50A
на замовлення 25330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.67 грн
10+154.02 грн
100+97.34 грн
500+79.39 грн
1000+78.70 грн
2000+73.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 8917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.56 грн
10+138.80 грн
100+96.59 грн
500+77.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+216.97 грн
100+179.93 грн
250+164.05 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3
на замовлення 6380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+81.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-T4-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-Channel 60-V D-S
на замовлення 8653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.55 грн
10+188.95 грн
100+115.98 грн
500+96.65 грн
2500+91.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-T4-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-T4-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-T4-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.62 грн
10+163.04 грн
100+114.49 грн
500+96.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P0615VISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P0615LVISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 50A 4-Pin(3+Tab) TO-252
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+124.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 P CHAN 80V
на замовлення 47156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.57 грн
10+150.05 грн
100+91.12 грн
500+74.56 грн
1000+68.90 грн
2000+66.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 50A 4-Pin(3+Tab) TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-BE3
Код товару: 182312
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.85 грн
10+157.43 грн
100+109.55 грн
500+83.60 грн
1000+77.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 4726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.43 грн
10+149.57 грн
100+104.07 грн
500+79.42 грн
1000+78.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V 50A 136W 25.2mohm @ 10V
на замовлення 92635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.65 грн
10+136.55 грн
100+94.58 грн
500+79.39 грн
1000+78.70 грн
2000+73.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0252 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+126.45 грн
500+100.96 грн
1000+91.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 80V 50A TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+258.88 грн
81+176.04 грн
89+159.30 грн
109+126.14 грн
250+115.63 грн
500+102.25 грн
1000+93.51 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3
Код товару: 133983
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+75.95 грн
4000+68.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]