Продукція > ZXM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ZXMN10A09KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10A11G | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 3.9W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm | на замовлення 641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10A11G | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10A11G | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 3.9W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm | на замовлення 641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10A11GFTA | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMN10A11GTA Код товару: 131543
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| ZXMN10A11GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10A11GTA | Diodes Incorporated | MOSFETs 100V N-Chnl UMOS | на замовлення 4460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10A11GTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.9A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.9A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 296 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN10A11GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN10A11GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN10A11GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN10A11GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10A11GTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10A11K | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10A11K | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10A11K | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10A11KT | на замовлення 78000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMN10A11KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10A11KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN10A11KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10A11KTC | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Chan 100V MOSFET (UMOS) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10A25 | ZETEX | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10A25GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V | на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN10A25GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN10A25GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm | на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10A25GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN10A25GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN10A25GTA | Diodes Incorporated | MOSFETs 100V N-Channel 2.9A MOSFET | на замовлення 1655 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10A25GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN10A25GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm | на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10A25GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V | на замовлення 22216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN10A25GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10A25K | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10A25KTC | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Chan 100V MOSFET (UMOS) | на замовлення 4249 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10A25KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN10A25KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.4 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 9.85W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10A25KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V | на замовлення 4509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN10A25KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10A25KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN10A25KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.4 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 9.85W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10A25KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN10A25KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10B08E6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10B08E6QTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10B08E6QTA | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V SOT26 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10B08E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10B08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFETs 100V N-Chnl UMOS | на замовлення 3717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10B08E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V | на замовлення 12583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN10B08E6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN10B08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 8504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10B08E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN10B08E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10B08E6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN10B08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 8504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN10B08E6TA 10B8 | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 1.6A 100V 1.1W 0.23Ω ZXMN10B08E6 TZXMN10b08e6 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 36 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN10B08E6TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN15A27KT | на замовлення 78000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMN15A27KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 150V 1.7A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN15A27KTC | Diodes Incorporated | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 150V N-CHANNEL | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN2069FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH SOT23-3 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN2088DE6 | на замовлення 123800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMN2088DE6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 6-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN2088DE6TA | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V DUAL SOT23-6 20V VBR MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN2088DE6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN20B28K | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN20B28K-13 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMN20B28KT | на замовлення 20500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMN20B28KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN20B28KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN20B28KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V | на замовлення 849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN20B28KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN20B28KTC | Diodes Incorporated | MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL | на замовлення 24466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN20B28KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN20B28KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN20B28KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN20B28KTC-13 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMN2A01E6 | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN2A01E6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN2A01E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V | на замовлення 1633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN2A01E6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN2A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.12 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 1.1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm | на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN2A01E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN2A01E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN2A01E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN2A01E6TA | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V N-Chnl UMOS | на замовлення 4093 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN2A01E6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN2A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.12 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 1.1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm | на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN2A01E6TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN2A01F | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN2A01F | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN2A01FTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 806mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN2A01FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 137 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN2A01FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN2A01FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN2A01FTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 806mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN2A01FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN2A01FTA | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET N-CH 20V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 ZXMN2A01FTA TZXMN2a01fta кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN2A01FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN2A01FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V | на замовлення 27277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN2A01FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| ZXMN2A01FTA | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V N-Chnl UMOS | на замовлення 7244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN2A01FTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN2A02 | на замовлення 938 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMN2A02F | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMN2A02N8 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN2A02N8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 20V N Chnl UMOS | на замовлення 416 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXMN2A02N8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC | на замовлення 749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |