Продукція > ZXM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXMN10A08E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.37 грн
15+55.25 грн
100+38.90 грн
500+28.94 грн
1000+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 5139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+38.64 грн
371+38.25 грн
444+31.96 грн
447+30.60 грн
534+23.73 грн
1000+21.37 грн
3000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA-50Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA-50Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TCDiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Chnl UMOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GT
на замовлення 20500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
на замовлення 9394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+46.29 грн
100+30.42 грн
500+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTA
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTADiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Channel 2A MOSFET
на замовлення 6679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.65 грн
10+49.38 грн
100+28.23 грн
500+21.88 грн
1000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.31 грн
16+51.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+21.54 грн
2000+18.95 грн
3000+18.03 грн
5000+15.96 грн
7000+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08T6TA
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A09KZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A09KTCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CH 100V
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.68 грн
10+109.56 грн
100+70.41 грн
500+60.54 грн
1000+56.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A09KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A09KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.42 грн
10+102.46 грн
100+70.10 грн
500+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A09KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.40 грн
10+84.48 грн
100+76.54 грн
500+67.77 грн
1000+56.31 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A09KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 3.9
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.14 грн
500+28.72 грн
1000+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.63 грн
17+49.69 грн
100+29.56 грн
500+25.35 грн
1000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GFTA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+21.08 грн
2000+18.54 грн
3000+17.64 грн
5000+15.61 грн
7000+15.05 грн
10000+14.51 грн
25000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTA
Код товару: 131543
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 43000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V
на замовлення 90619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.33 грн
10+45.40 грн
100+29.79 грн
500+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTADiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Chnl UMOS
на замовлення 3156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.65 грн
10+49.06 грн
100+28.03 грн
500+21.75 грн
1000+19.05 грн
2000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11KT
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11KTCDiodes IncorporatedMOSFETs N-Chan 100V MOSFET (UMOS)
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.96 грн
10+50.97 грн
100+28.99 грн
500+22.44 грн
1000+20.30 грн
2500+17.12 грн
5000+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25ZETEXSOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Channel 2.9A MOSFET
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.03 грн
10+77.80 грн
100+45.49 грн
500+35.90 грн
1000+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.15 грн
10+93.22 грн
25+92.25 грн
100+70.49 грн
250+64.66 грн
500+51.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A25GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.58 грн
10+94.23 грн
100+58.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+93.22 грн
154+92.25 грн
194+73.10 грн
250+69.84 грн
500+53.83 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.17 грн
2000+31.21 грн
3000+29.86 грн
5000+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A25GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
на замовлення 22216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.27 грн
10+71.95 грн
100+48.30 грн
500+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
на замовлення 4509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.34 грн
10+91.24 грн
100+61.80 грн
500+46.16 грн
1000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A25KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.4 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.09 грн
10+82.15 грн
100+57.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KTCDiodes IncorporatedMOSFETs N-Chan 100V MOSFET (UMOS)
на замовлення 4326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.64 грн
10+92.09 грн
100+57.02 грн
500+45.98 грн
1000+42.18 грн
2500+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KTC
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A25KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.4 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6QTADiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V SOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.44 грн
10+47.56 грн
100+31.24 грн
500+22.75 грн
1000+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10B08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.75 грн
50+38.66 грн
100+31.57 грн
500+21.39 грн
1500+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.26 грн
6000+17.15 грн
9000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10B08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.57 грн
500+21.39 грн
1500+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Chnl UMOS
на замовлення 3717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.88 грн
10+43.98 грн
100+26.37 грн
500+21.06 грн
1000+19.26 грн
3000+18.50 грн
6000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TA 10B8DIODES/ZETEXN-MOSFET 1.6A 100V 1.1W 0.23Ω ZXMN10B08E6 TZXMN10b08e6
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+31.93 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN15A27KT
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN15A27KTC
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN15A27KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN15A27KTCDiodes IncorporatedMOSFET ENHANCE MODE MOSFET 150V N-CHANNEL
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2069FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH SOT23-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2088DE6
на замовлення 123800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2088DE6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2088DE6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2088DE6TADiodes IncorporatedMOSFETs 20V DUAL SOT23-6 20V VBR MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28K-13
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KT
на замовлення 20500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.32 грн
10+49.81 грн
100+32.76 грн
500+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.34 грн
5000+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCDiodes IncorporatedMOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL
на замовлення 24466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.32 грн
10+42.95 грн
100+25.82 грн
500+22.16 грн
1000+20.16 грн
2500+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.91 грн
500+26.32 грн
1000+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCZetex10+ SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.80 грн
50+43.89 грн
100+33.91 грн
500+26.32 грн
1000+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTC-13
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]