Продукція > SI4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI488ZDY-T1
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI488ZDY-T2
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4890SI07+ SOP8
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4890BDY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 16A 5.7W 12mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4890BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4890BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4890BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI41
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4890BDYT1E3VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4890DYVISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4890DY-T1SILICONIX00+
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4890DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4890DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.45 грн
10+140.31 грн
100+101.74 грн
500+79.51 грн
1000+75.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4890DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V 11A 2.5W
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4890DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4890DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4890DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4890DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 11A 2.5W 12mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4890DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4890DYT1E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892SISOP-8
на замовлення 10146 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DYVishay / SiliconixMOSFET 30V 12.4A 3.1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DY-E3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 12.4A 3.1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DY-T1VISHAYSOP8
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DY-T1Vishay / SiliconixMOSFET 30V 12.4A 1.6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4134DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4134DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DY-TIVishay09+
на замовлення 399 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DYT1E3VISHAY
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894SISOP-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894B
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 9.5A; Idm: 40A
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 9.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.84 грн
10+75.01 грн
100+56.28 грн
500+41.81 грн
1000+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 12V 1.4W
на замовлення 3971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-E4
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-EG3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-GE3VISHAY
на замовлення 135500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10V
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4894BDY-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET, 30V, 12A
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
directShipCharge: 25
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.16 грн
10+78.57 грн
100+53.63 грн
500+41.81 грн
1000+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 9.5A; Idm: 40A
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 9.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894D
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894DYVishaySilicoSO-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894DYVishay / SiliconixMOSFET 30V 12.5A 3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 12.5A 3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894DY-T1Vishay / SiliconixMOSFET 30V 12.5A 3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894DY-T1VISHAY0214+
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894DY-T1 SOP8VISHAY
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4894DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4894DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 12.5A 3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894DY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894DY-T1SOP-8VISHAY
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894DY-T1SOP8SILICONIX
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894DY-TI
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894DY-TI-E3VISHAYSOP 05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894DYT1VISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894DYT1E3VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4895DYVISHAY05+
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896SI07+ SOP8
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DYVISHAY09+
на замовлення 378 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.82 грн
10+106.60 грн
25+106.58 грн
100+81.83 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.21 грн
10+139.87 грн
100+96.59 грн
500+79.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+120.82 грн
132+106.58 грн
166+81.83 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+88.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+116.59 грн
132+107.08 грн
133+105.92 грн
145+93.75 грн
250+86.48 грн
500+82.39 грн
1000+81.77 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4896DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 6.7 A, 0.0165 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: NSOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+88.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.59 грн
10+107.08 грн
25+105.92 грн
100+93.75 грн
250+86.48 грн
500+82.39 грн
1000+81.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+115.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 3752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.97 грн
10+129.71 грн
100+99.47 грн
500+82.43 грн
1000+79.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4896DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 6.7 A, 0.0165 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-TI-E3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DYT1E3VISHAY
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY_T1_E3VISHAY0643
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI48C-08200Утримувач Sim картки без кришки, 8 контактів та датчик наявності картки HOLDER
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
10+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI48C-08201Утримувач Sim картки без кришки, 8 контактів та датчик наявності картки, новый штамп HOLDER
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
14+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DT-T1-E3
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]