Продукція > Si4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4892DYVishay / SiliconixMOSFET 30V 12.4A 3.1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DY-E3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 12.4A 3.1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DY-T1Vishay / SiliconixMOSFET 30V 12.4A 1.6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DY-T1VISHAYSOP8
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4134DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4134DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DY-TIVishay09+
на замовлення 399 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4892DYT1E3VISHAY
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894SISOP-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894B
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 12V 1.4W
на замовлення 3971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 9.5A; Idm: 40A
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 9.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.18 грн
10+77.27 грн
100+57.98 грн
500+43.07 грн
1000+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-E4
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-EG3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-GE3VISHAY
на замовлення 135500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4894BDY-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET, 30V, 12A
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
directShipCharge: 25
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10V
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.87 грн
10+80.94 грн
100+55.24 грн
500+43.07 грн
1000+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 9.5A; Idm: 40A
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 9.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894D
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894DYVishaySilicoSO-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894DYVishay / SiliconixMOSFET 30V 12.5A 3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 12.5A 3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894DY-T1Vishay / SiliconixMOSFET 30V 12.5A 3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894DY-T1VISHAY0214+
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894DY-T1 SOP8VISHAY
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4894DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4894DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 12.5A 3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894DY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894DY-T1SOP-8VISHAY
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894DY-T1SOP8SILICONIX
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894DY-TI
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894DY-TI-E3VISHAYSOP 05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894DYT1VISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894DYT1E3VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4895DYVISHAY05+
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896SI07+ SOP8
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DYVISHAY09+
на замовлення 378 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.33 грн
10+144.08 грн
100+99.50 грн
500+82.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+121.63 грн
132+107.29 грн
166+82.38 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.63 грн
10+107.32 грн
25+107.29 грн
100+82.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+88.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.37 грн
10+107.80 грн
25+106.63 грн
100+94.38 грн
250+87.07 грн
500+82.95 грн
1000+82.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 3752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.51 грн
10+133.62 грн
100+102.47 грн
500+84.91 грн
1000+81.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+116.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+89.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4896DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 6.7 A, 0.0165 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: NSOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.37 грн
132+107.80 грн
133+106.63 грн
145+94.38 грн
250+87.07 грн
500+82.95 грн
1000+82.32 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4896DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 6.7 A, 0.0165 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-TI-E3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DYT1E3VISHAY
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY_T1_E3VISHAY0643
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI48C-08200Утримувач Sim картки без кришки, 8 контактів та датчик наявності картки HOLDER
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
10+69.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI48C-08201Утримувач Sim картки без кришки, 8 контактів та датчик наявності картки, новый штамп HOLDER
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
14+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DT-T1-E3
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DYVISHAY09+
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.80 грн
17+46.57 грн
25+46.11 грн
50+44.02 грн
100+40.12 грн
250+37.91 грн
500+37.31 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.11 грн
10+74.75 грн
100+50.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+46.57 грн
307+46.11 грн
310+45.65 грн
315+43.33 грн
320+39.49 грн
500+37.31 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 5.3A 3.1W
на замовлення 21316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4900DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.046 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 5.3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V
на замовлення 5467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DYT1E3VISHAY
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4901-B-GL
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4901-GL
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4902DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4902DY-T1
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4904-GL
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4904DYVishayТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]