Продукція > SI4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4920DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4920DYT1E3VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4921DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4921DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4922SIEMENS01+ SOP
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4922BDY
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4922BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4922BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4922BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CH 30V(D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4922BDY-T1-E3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 35A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 24mΩ
Power dissipation: 3.1W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 35A
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4922BDY-T1-E3
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4922BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4922BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4922BDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 8.0A 3.1W 16mohm @ 10V
на замовлення 4741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4922BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4922BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4922BDYT1E3VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4922DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4922DY-DY-T1
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4922DY-E309+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4922DY-T1SI2005
на замовлення 5572 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4922DY-T1*
на замовлення 567500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4922DY-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 80018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4922DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4923SISOP-8
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4923DY
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4923DY-T1
на замовлення 943 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4923DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4923DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4923DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4923DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4924DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4924DY-T1vishay2003
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4924DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4924DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925SISOP-8
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925B
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925B
Код товару: 92591
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925BDY
Код товару: 131064
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925BDY
на замовлення 335 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925BDYVishay / SiliconixMOSFETs 30V 7.1A 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925BDY-T1
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925BDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4925BDY-T1-E3 - MOSFET, DUAL P CHANNEL, -30V, 0.01OHM, -5.3A, SOIC-8, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.1
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925BDY-T1-E3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30 Volt 7.1 Amp 2.0W
на замовлення 17364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925BDY-T1-E3
Код товару: 173526
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925BDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 7.1A 2.0W 25mohm @ 10V
на замовлення 27191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925BDY-TI-E3
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925BDYT1E3VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.90 грн
5000+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.41 грн
14+57.31 грн
25+51.52 грн
100+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 43360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.11 грн
10+68.55 грн
50+51.23 грн
100+42.82 грн
500+33.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.28 грн
5000+38.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3
Код товару: 140021
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 39980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.32 грн
5000+38.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.90 грн
5000+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.31 грн
7500+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+78.19 грн
209+68.13 грн
500+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 541 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.26 грн
6+79.53 грн
10+69.67 грн
35+27.11 грн
96+25.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DX-T1-E3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DYonsemiMOSFETs Dual PCh 30V/20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DYSILICONIX
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DYVishay / SiliconixMOSFETs 30V 6.1A 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4925BDY-T1-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DY-T1SI98
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DY-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4925DDY-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4925BDY-T1-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DY-TI
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DY-TI-E3
на замовлення 2907 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DYT1E3VISHAY
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4926DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4926DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4926DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4927
на замовлення 566 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4927DY
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4927DY-T1
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4927DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4927DYSOP-8VISHAY
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4927DYT1VISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4927DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4930
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY
Код товару: 165829
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 8V Vgs SO-8
на замовлення 19810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.72 грн
10+71.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.