Продукція > 2SA

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 59 60 61 62 63 64 65  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SAR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.21 грн
12+66.38 грн
100+47.24 грн
500+36.49 грн
1000+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+43.78 грн
336+42.03 грн
500+40.51 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.13 грн
5000+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR573DGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+36.87 грн
399+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR573DGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR573DGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+36.87 грн
399+35.39 грн
500+34.11 грн
1000+31.82 грн
2500+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR574DROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR574D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.12 грн
250+83.99 грн
500+74.59 грн
1000+68.65 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR574D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.48 грн
10+107.29 грн
100+83.64 грн
500+64.85 грн
1000+51.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR574D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+144.22 грн
10+90.64 грн
100+73.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR574D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SAR574D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 10W
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR574D3FRATLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -80V -2A, Power Transistor
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR574D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR574D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+144.22 грн
156+90.64 грн
193+73.48 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR574D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SAR574D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR574D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+50.70 грн
290+48.67 грн
500+46.91 грн
1000+43.75 грн
Мінімальне замовлення: 279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR574D3TL1ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP -80V -2A 10W Pwr trnstr Low VCE
на замовлення 3066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR574D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 2A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 3691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.46 грн
10+54.58 грн
100+36.15 грн
500+26.48 грн
1000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR574D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR574D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SAR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR574D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR574D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 2A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR574D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+51.82 грн
299+47.33 грн
500+42.84 грн
1000+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR574D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SAR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 10W
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR574DGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+58.38 грн
252+56.03 грн
500+54.01 грн
1000+50.39 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR574DGTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR579D3FRATLQROHMDescription: ROHM - 2SAR579D3FRATLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 67MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR579D3FRATLQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT 2SAR579D3FRA is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier. It is a highly reliable product for automotive.
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR579D3FRATLQRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR579D3FRATLQRohm SemiconductorDescription: PNP, TO-252 (DPAK), -160V -1.5A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 67MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.44 грн
10+38.64 грн
25+34.76 грн
100+28.64 грн
250+26.75 грн
500+25.61 грн
1000+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR579D3FRATLQRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR579D3FRATLQRohm SemiconductorDescription: PNP, TO-252 (DPAK), -160V -1.5A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 67MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR579D3TLQRohm SemiconductorDescription: PNP, TO-252 (DPAK), -160V -1.5A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 67MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 10 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR579D3TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR579D3TLQROHMDescription: ROHM - 2SAR579D3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 67MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR579D3TLQRohm SemiconductorDescription: PNP, TO-252 (DPAK), -160V -1.5A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 67MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.44 грн
10+38.64 грн
25+34.76 грн
100+28.64 грн
250+26.75 грн
500+25.61 грн
1000+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR579D3TLQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT 2SAR579D3 is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier.
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR579D3TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR582D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SAR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR582D3FRATLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -10V -30A, Power Transistor for Automotive
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR582D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SAR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 10W
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR582D3TL1ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP DPAK 30V
на замовлення 3162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR582D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+51.82 грн
310+45.58 грн
325+43.54 грн
500+39.67 грн
1000+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR582D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 230MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR582D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+116.91 грн
127+111.69 грн
250+107.20 грн
500+99.65 грн
1000+89.26 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR582D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 230MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 3478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.88 грн
10+88.45 грн
100+68.80 грн
500+54.72 грн
1000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SAR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3FRATLRohm SemiconductorDescription: PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, PO
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.98 грн
10+165.14 грн
100+132.74 грн
500+102.35 грн
1000+84.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+191.31 грн
102+138.98 грн
103+137.98 грн
105+130.45 грн
141+89.92 грн
250+85.46 грн
500+75.56 грн
1000+63.45 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SAR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3FRATLRohm SemiconductorDescription: PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, PO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3FRATLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TO-252 50V 7A PWR TRANS
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.31 грн
10+138.98 грн
25+137.98 грн
50+130.45 грн
100+89.92 грн
250+85.46 грн
500+75.56 грн
1000+63.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+56.69 грн
260+54.42 грн
500+52.45 грн
1000+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SAR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, Power Transistor
на замовлення 4535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 7A TO-252
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 230MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.64 грн
10+95.38 грн
100+64.62 грн
500+48.27 грн
1000+44.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.72 грн
10+101.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1RohmTRANS PNP 50V 7A TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+165.58 грн
123+114.78 грн
200+96.90 грн
500+79.20 грн
1000+69.47 грн
2500+56.04 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SAR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 7A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 230MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR586D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SAR586D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR586D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.93 грн
10+123.22 грн
100+84.61 грн
500+63.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR586D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 5A 10000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.28 грн
118+119.68 грн
250+114.88 грн
500+106.78 грн
1000+95.64 грн
2500+89.10 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR586D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SAR586D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR586D3FRATLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS BJT PNP TO-252
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR586D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR586D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 5A 10000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.28 грн
118+119.68 грн
250+114.88 грн
500+106.78 грн
1000+95.64 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR586D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 5A TO-252
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR586D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+164.64 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR586D3TL1ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP -80V -5A 10W Pwr trnstr Low VCE
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR586D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SAR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR586D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 5A TO-252
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.62 грн
10+73.86 грн
100+49.61 грн
500+36.81 грн
1000+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR586D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+73.74 грн
250+70.79 грн
500+68.23 грн
1000+63.65 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR586D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SAR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR586JFRGTLLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP, TO-263AB, -80V -5A, Power Transistor
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR586JFRGTLLROHMDescription: ROHM - 2SAR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR586JFRGTLLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 5A LPTL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Supplier Device Package: LPTL
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR586JFRGTLLROHMDescription: ROHM - 2SAR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 40W
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 5A
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR586JFRGTLLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 5A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Supplier Device Package: LPTL
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.39 грн
10+122.40 грн
100+84.36 грн
500+64.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR586JGTLLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 5A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: LPTL
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 3626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.92 грн
10+112.95 грн
100+77.47 грн
500+58.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR586JGTLLROHMDescription: ROHM - 2SAR586JGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR586JGTLLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 5A LPTL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: LPTL
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+59.61 грн
2000+53.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR586JGTLLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIPOLAR 80V, 5A, TO-263AB PNP
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR586JGTLLROHMDescription: ROHM - 2SAR586JGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR587D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SAR587D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 10W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR587D3FRATLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -120V -3A, Power Transistor for Automotive
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR587D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 120V 3A TO-252
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.30 грн
10+69.84 грн
25+58.49 грн
100+42.78 грн
250+36.83 грн
500+33.17 грн
1000+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR587D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+45.06 грн
387+36.50 грн
500+34.15 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR587D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SAR587D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR587D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 120V 3A TO-252
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR587D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+57.93 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR587D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+62.56 грн
353+39.98 грн
1000+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR587D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 120V 3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.18 грн
10+96.12 грн
100+65.14 грн
500+48.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR587D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+78.27 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR587D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+105.11 грн
181+78.27 грн
500+65.19 грн
1000+57.34 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR587D3TL1ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -120V -3A, Power Transistor
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR587D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 120V 3A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 10 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 59 60 61 62 63 64 65  [ Наступна Сторінка >> ]