Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 9088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.04V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7418IR09+
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7418TRIR09+
на замовлення 9345 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420
Код товару: 22021
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 12 В
Струм стоку Id, А: 11,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,026 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 3529/38
Монтаж: SMD
у наявності: 26 шт
  • 1 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+44.00 грн
10+39.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 11,5 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3529 @ 10, Qg, нКл = 38 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 11,5 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,9 @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 12V 11.5A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420PBFIRF7420PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420PBFInfineonMOSFET P-CH 12V 11.5A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420TRPB
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -12V -11.5A 14mOhm 38nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 11,5, Ciss, пФ @ Uds, В = 3529 @ 10, Qg, нКл = 38 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 11,5 A, 4,5 В, Ugs(th) = 0,9 @ 250 мкA, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.85 грн
10+91.54 грн
25+90.63 грн
50+86.51 грн
100+64.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420TRPBF
Код товару: 195254
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 12 В
Струм стоку Id, А: 9,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 17,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 3529/38
Монтаж: SMD
у наявності: 128 шт
  • 74 шт - склад
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+38.00 грн
10+33.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7421IR09+
на замовлення 4060 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7421D1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7421D1International Rectifier/InfineonN-канальный ПТ с диодом Шоттки (Vds=30V, Id=5,8A@T=25C, Id=4,6A@T=70C, Rds=0.035 R , P=2.0W, -55 to +150C), Schottky Vf = 0.39V... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7421D1PBFInfineon / IRMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 35mOhms 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7421D1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7421D1TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7421D1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7421D1TRPBFIOR
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7421D1TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT w/Schttky 30V 5.8A 35mOhm 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7421D1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.98 грн
11+27.73 грн
100+22.94 грн
500+19.68 грн
1000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7421IIR09+
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7421TRIR09+
на замовлення 3341 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7421TRPBFIRSOP8 07+08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7422IOR09+
на замовлення 8033 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7422D2IRSO-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7422D2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7422D2PBFIOR09+
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7422D2PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V FETKY 12 VGS 140 RDS 2.7VmOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7422D2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7422D2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7422D2TRPBFIOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7422D2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7422TRIR09+
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7422TRPBFIRSOP8 07+08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7423IOR09+ SO-8
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7423TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424International RectifierP-MOSFET 11A 30V 2.5W 13.5mΩ IRF7424 TIRF7424
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
95+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424International Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 11 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4030 @ 25, Qg, нКл = 110, Rds = 13.5 мОм, Ugs(th) = 10, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+63.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7424PBF - IRF7424 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424PBF
Код товару: 39774
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0135 Ом
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+17.40 грн
100+15.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 13.5mOhms 75nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424PBFInternational RectifierMOSFET P-Ch, 30V, 11A, SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRIR04+
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+104.81 грн
201+70.41 грн
253+55.94 грн
500+45.26 грн
1000+36.78 грн
2000+35.14 грн
4000+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC Транзистори
на замовлення 174 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
15+55.61 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF
Код товару: 54104
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -30V -11A 13.5mOhm 75nC
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7424TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.81 грн
11+70.41 грн
100+55.94 грн
500+45.26 грн
1000+36.78 грн
2000+35.14 грн
4000+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7424TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,4Ohm; 13,5A; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7425TR-VB; IRF7425TR; IRF7425 TIRF7425 c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425International RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,4Ohm; 13,5A; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7425TR-VB; IRF7425TR; IRF7425 TIRF7425 c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425PBFInfineon (IRF)Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 8.2mΩ
Gate charge: 87nC
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 15 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 7980 @ 15, Qg, нКл = 130 @ 4,5 В, Rds = 8,2 мОм @ 15 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
95+108.11 грн
190+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425PBFIRF7425PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425PBF
Код товару: 20322
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Id, А: 15 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0082 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 7980/87
Монтаж: SMD
на замовлення: 2 шт
  • 2 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V 1 P-CH HEXFET 8.2mOhms 87nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRInternational RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 13mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7220; IRF7220; IRF7425TR; IRF7425; IRF7425-GURT; IRF7425TR-VB; IRF7425; IRF7425TR-VB; IRF7425TR TIRF7425
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3424 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 17mOhm; 14A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7425; IRF7425TR; SP001563588; SP001555316; IRF7425TR JSMICRO TIRF7425 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TR-CNCHIPNOBOTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 20mOhm; 20A; 10W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7425; IRF7425TR; SP001563588; SP001555316; IRF7425TR-CN CHIPNOBO TIRF7425 CNB
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TR-VBVBsemiTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,4Ohm; 13,5A; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7425TR-VB; IRF7425TR; IRF7425 TIRF7425 c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBFInfineonSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBF
Код товару: 172358
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -20V -15A 8.2mOhm 87nC
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7425TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15 A, 8200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.28 грн
10+48.25 грн
25+42.33 грн
50+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 15, Ciss, пФ @ Uds, В = 7980 @ 15, Qg, нКл = 130, Rds = 8,2 мОм, Ugs(th) = 1.2 В @ 250мкА, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7425TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15 A, 8200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7426TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Supplier Device Package: 8-SO
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF743Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1877 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]