Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF7451TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
на замовлення 7451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.91 грн
10+69.52 грн
100+46.52 грн
500+34.40 грн
1000+31.42 грн
2000+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7451TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7451TRPBFInfineonMOSFET N-CH 150V 3.6A SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7451TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+53.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7451TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7451TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3.6 A, 0.09 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.76 грн
500+40.24 грн
1000+33.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7451TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
596+59.48 грн
1000+54.86 грн
Мінімальне замовлення: 596 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7451TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7451TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.32 грн
11+68.79 грн
25+68.10 грн
100+50.75 грн
250+46.74 грн
500+41.35 грн
1000+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7451TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+51.29 грн
32000+46.86 грн
48000+43.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7451TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+85.14 грн
207+68.61 грн
209+67.95 грн
500+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452International RectifierСиловой MOSFET N-кан., 100V, 4.5A, 0.06Ом, -55...+150, SO-8 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452PBFInternational RectifierСиловой MOSFET N-кан., 100V, 4.5A, 0.06Ом, -55...+150, SO-8 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452PBFInfineon / IRMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 33nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452QPBFInfineon / IRMOSFET AUTO HEXFET SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452QTRPBFInfineon / IRMOSFET AUTO HEXFET SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452QTRPBFIOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7452TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452TRPBFInternational RectifierСиловой MOSFET N-кан., 100V, 4.5A, 0.06Ом, -55...+150, SO-8 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 100V 4.5A 60mOhm 33nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7452TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7453IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7453Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7453PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7453TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7453TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7453TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7453TRPBFIOR
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455IRSO-8
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455PBF
Код товару: 133322
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 37nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 20mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7455; IRF7455TR; SP001555380; SP001566270; IRF7455TR UMW TIRF7455 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRInternational RectifierN-MOSFET 15A 30V 2.5W 0.075Ω Replacement: IRF7455TR; IRF7455 smd TIRF7455
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+84.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7455TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 15A 7.5mOhm 37nC
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.83 грн
10+110.01 грн
100+74.72 грн
500+61.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7455TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456IRSO-8
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456 TRInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456PBFInfineon / IRMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 6.5mOhms 41nC
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456TRUMWDescription: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456TRUMWDescription: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+86.00 грн
500+77.40 грн
1000+71.39 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 20V 16A 6.5mOhm 41nC
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.49 грн
10+122.86 грн
100+83.09 грн
500+68.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+104.20 грн
143+99.54 грн
250+95.54 грн
500+88.80 грн
1000+79.54 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456TRPBF
Код товару: 176316
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 15A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457International RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457PBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 28nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 15A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 15A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRIOR2002
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.84 грн
10+80.51 грн
25+79.35 грн
50+74.49 грн
100+55.29 грн
250+52.63 грн
500+45.99 грн
1000+38.32 грн
3000+37.93 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 15A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7457TRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 20 V, 15 A, 0.0055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7457TRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 20 V, 15 A, 0.0055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 15A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 20V 15A 7mOhm 28nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRPBF-1Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458IRSOP-8
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 39nC
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 16V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 16V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458PBFIR
на замовлення 7905 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRInternational RectifierN-CH MOSFET 30V So-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 16V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 16V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 16V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.54 грн
10+88.96 грн
100+60.37 грн
500+45.15 грн
1000+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.22 грн
500+54.09 грн
1000+46.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 16V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 16V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.93 грн
10+76.03 грн
25+75.99 грн
100+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs IR MOSFET 30 V in a SO-8 package
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.34 грн
10+86.73 грн
100+52.44 грн
500+45.04 грн
1000+42.32 грн
2000+40.22 грн
4000+36.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.63 грн
10+102.65 грн
100+70.22 грн
500+54.09 грн
1000+46.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+57.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7459Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]