Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF7478PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478PBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478QPBFIR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478QTRPBFIOR
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 30mOhm; 7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: PTS6012; IRF7478; IRF7478TR; IRF7478-GURT; Obsolete; IRF7478; IRF7478TR TIRF7478
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+65.82 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRInfineon / IRMOSFET MOSFET, 60V, 7.6A, 26 mOhm, 21 nC Qg, SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7478TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.61 грн
12+68.33 грн
25+63.27 грн
100+48.75 грн
250+44.68 грн
500+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRPBFInternational RectifierSO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7478TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 7.6A 26mOhm 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 13969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.92 грн
500+140.57 грн
1000+129.94 грн
10000+111.26 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 132A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 25 V
на замовлення 14175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.24 грн
10+141.69 грн
100+98.12 грн
500+74.63 грн
1000+72.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7480MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 330 A, 950 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+114.87 грн
500+88.51 грн
1000+78.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 59940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.92 грн
500+140.57 грн
1000+129.94 грн
10000+111.26 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 26722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.92 грн
500+140.57 грн
1000+129.94 грн
10000+111.26 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 132A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+65.74 грн
9600+63.18 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7480MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 330 A, 950 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+254.17 грн
10+165.38 грн
100+114.87 грн
500+88.51 грн
1000+78.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET
на замовлення 8709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.81 грн
10+149.36 грн
100+90.78 грн
500+74.02 грн
1000+71.22 грн
2500+66.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 4770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.00 грн
105+135.14 грн
107+133.24 грн
500+111.17 грн
1000+87.75 грн
2000+74.60 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBF
Код товару: 200134
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 33098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.92 грн
500+140.57 грн
1000+129.94 грн
10000+111.26 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 330A; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 330A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7483MTRPBFInfineon / IRMOSFET 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.96 грн
10+176.66 грн
100+123.59 грн
500+101.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7483MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 135A 8-Pin Direct-FET MF T/R
на замовлення 6672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+138.21 грн
500+124.03 грн
1000+114.71 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7483MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: IRF7483 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3913 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 81A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Packaging: Bulk
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+99.06 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7483MTRPBFInfineon TechnologiesIRF7483MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 40V 135A 8-Pin Direct-FET MF T/R Si - Arrow.com
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+138.21 грн
500+124.03 грн
1000+114.71 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7483MTRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 40V 135A DIRECTFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 81A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3913 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
на замовлення 12946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+99.06 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7483MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 135A 8-Pin Direct-FET MF T/R
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+138.21 грн
500+124.03 грн
1000+114.71 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7484IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7484PBFIR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7484PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 14A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 7 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 14A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7484QInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=40V, Id=14A@Vgs=7V, P=2.5W, ), Pb-free.... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1045 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7484QInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 14A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 7 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 14A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7484QTRPBFIOR
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7484TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 14A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 7 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 14A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7484TRPBFIR
на замовлення 328000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7484TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 14A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7488IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7488PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 6.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7488TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7488TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 6.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7488TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 80V 6.3A 29mOhm 38nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7488TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 6.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490PBFInfineon / IRMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 39mOhms 37nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.04 грн
8000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
на замовлення 13687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.41 грн
10+59.00 грн
100+39.09 грн
500+28.65 грн
1000+26.06 грн
2000+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7490TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.4 A, 0.039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.89 грн
250+41.63 грн
1000+27.46 грн
2000+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.21 грн
8000+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.4A; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+127.58 грн
176+80.89 грн
207+68.80 грн
500+51.67 грн
1000+46.91 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.40 грн
8000+21.86 грн
12000+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7490TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.4 A, 0.039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.20 грн
50+62.89 грн
250+41.63 грн
1000+27.46 грн
2000+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBFIOR
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 5.4A 39mOhm 37nC
на замовлення 5539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.31 грн
10+59.26 грн
100+34.15 грн
500+26.67 грн
1000+24.23 грн
2000+22.34 грн
4000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7491IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7491Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7491PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7491TRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7491TRPBFIOR
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7491TRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7492IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7492Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7492PBFInfineonMOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7492PBF
Код товару: 26534
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,7 A
Rds(on), Ohm: 0,079 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1820/39
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+46.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7492PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7492PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,7 A, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1820 @ 25, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 79 мОм @ 2,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7492PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 79mOhms 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7492TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7492TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7492TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7492TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 3.7A 79mOhm 39nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7492TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7492TRPBF(транзистор)
Код товару: 49590
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493
Код товару: 126425
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493PBFInfineon TechnologiesMOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 31nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493PBF
Код товару: 162716
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 9,3 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1510 @ 25, Qg, нКл = 53 @ 10 В, Rds = 15 мОм @ 5,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7493PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 9.3
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 80V 9.3A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 80V 7,4A 2.5W 0,015Ω IRF7493 TIRF7493
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.24 грн
250+56.86 грн
1000+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+48.48 грн
302+47.06 грн
304+46.68 грн
500+43.92 грн
1000+39.99 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 9,3, Ciss, пФ @ Uds, В = 1510 @ 25, Qg, нКл = 53 @ 10, Rds = 15 мОм @ 5,6 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 20 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+40.59 грн
8000+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.57 грн
50+73.24 грн
250+56.86 грн
1000+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
на замовлення 6513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.97 грн
10+80.64 грн
100+54.36 грн
500+40.46 грн
1000+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.02 грн
18+44.34 грн
25+43.66 грн
100+41.43 грн
250+37.76 грн
500+35.66 грн
1000+35.07 грн
3000+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]