Продукція > CSD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 15 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17310Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V
на замовлення 8258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.74 грн
10+61.77 грн
100+40.94 грн
500+31.11 грн
1000+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17310Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17310Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17310Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.51 грн
10+65.42 грн
100+37.83 грн
500+29.82 грн
1000+26.99 грн
2500+24.23 грн
5000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.41 грн
5000+32.22 грн
10000+31.57 грн
12500+30.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17310Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.71 грн
5000+24.07 грн
7500+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17310Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17310Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 3900 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.31 грн
13+65.80 грн
100+43.65 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.36 грн
10+89.03 грн
100+59.03 грн
500+45.93 грн
1000+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17311Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.96 грн
10+112.63 грн
100+77.41 грн
500+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17311Q5Texas InstrumentsMOSFETs 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.60 грн
10+132.58 грн
100+82.84 грн
500+67.10 грн
1000+64.13 грн
2500+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 7495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+128.76 грн
500+115.89 грн
1000+106.87 грн
Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17311Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17311Q5TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 3.2W; VSON-CLIP8
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: VSON-CLIP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.3mΩ
Power dissipation: 3.2W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17311Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
на замовлення 7687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+103.75 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+74.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17312Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V
на замовлення 6002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.59 грн
10+124.60 грн
100+90.48 грн
500+69.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+301.80 грн
10+195.97 грн
100+135.39 грн
500+105.60 грн
1000+94.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17312Q5Texas InstrumentsMOSFET N-CH 30V 100A 8SON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17312Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
340+41.70 грн
346+41.06 грн
349+40.64 грн
350+36.20 грн
500+34.71 грн
1000+34.67 грн
Мінімальне замовлення: 340 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17312Q5Texas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5240 @ 15, Qg, нКл = 36 @ 4.5 В, Rds = 1.5 мОм @ 35 А, 8 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SON-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+100.56 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17312Q5Texas InstrumentsMOSFETs 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.07 грн
10+139.72 грн
100+62.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Texas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 42mOhm; 19A; 17W; -55°C ~ 150°C; CSD17313Q2T CSD17313Q2 TCSD17313q2
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.61 грн
20+38.29 грн
25+37.42 грн
100+24.80 грн
250+22.74 грн
500+17.73 грн
1000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.03 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.70 грн
500+14.66 грн
1000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 24004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.59 грн
10+31.78 грн
100+20.49 грн
500+14.65 грн
1000+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Texas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+38.88 грн
531+26.70 грн
667+21.26 грн
1000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 365 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Texas InstrumentsMOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17313Q2T
на замовлення 15632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.41 грн
10+33.90 грн
100+18.98 грн
500+14.50 грн
1000+12.98 грн
3000+11.11 грн
6000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.49 грн
6000+11.02 грн
9000+10.51 грн
15000+9.32 грн
21000+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.03 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.16 грн
28+29.07 грн
100+20.70 грн
500+14.66 грн
1000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2
Код товару: 126922
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+37.42 грн
552+25.72 грн
557+25.47 грн
686+19.95 грн
1027+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2G4Texas InstrumentsMOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 1842000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2348+15.10 грн
10000+13.47 грн
100000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 2348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Q1Wurth Elektronik
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+49.36 грн
100+32.41 грн
500+23.57 грн
1000+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsMOSFETs Auto 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.65 грн
10+49.14 грн
100+28.10 грн
500+21.81 грн
1000+19.74 грн
3000+16.36 грн
6000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.24 грн
10+84.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsMOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsMOSFETs Automotive 30-V N channel NexFET power MOSFET 6-WSON 0 to 0
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.50 грн
10+84.95 грн
100+49.57 грн
500+41.77 грн
2500+38.73 грн
5000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Q1TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 57A; 17W; WSON6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: WSON6
Gate-source voltage: -8...10V
On-state resistance: 42mΩ
Drain current: 5A
Power dissipation: 17W
Drain-source voltage: 30V
Application: automotive industry
Pulsed drain current: 57A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+46.02 грн
500+40.21 грн
750+38.12 грн
1250+33.57 грн
1750+32.26 грн
2500+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TTexas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 15, Qg, нКл = 2,7 @ 4,5 В, Rds = 30 мОм @ 4 A, 8 В, Ugs(th) = 1,8 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,4, 17, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: WDFN-6 (Exp. Pad) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 250 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 17W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+49.57 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TTexas InstrumentsMOSFETs 30V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD17313Q2
на замовлення 4814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.67 грн
10+80.98 грн
100+41.08 грн
500+35.35 грн
1000+31.82 грн
2500+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 2.1nC
Dimensions: 2x2mm
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 5A
Power dissipation: 17W
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.43 грн
10+61.49 грн
25+51.52 грн
100+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 17845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.26 грн
10+75.98 грн
100+50.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2Texas InstrumentsMOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2T
на замовлення 5801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.93 грн
13+26.28 грн
100+14.64 грн
500+11.05 грн
1000+9.73 грн
3000+8.42 грн
6000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.09 грн
6000+8.35 грн
9000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2Texas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25 А, Ptot, Вт = 16, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 879 @ 15, Qg, нКл = 6 @ 4,5 В, Rds = 15,1 мОм @ 8 A, 8 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: WDFN-6 (Exp. Pad) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
250+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
на замовлення 12435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.50 грн
13+24.90 грн
100+15.97 грн
500+12.02 грн
1000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21.5A; Idm: 68A; 16W; WSON6
Gate-source voltage: ±10V
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: WSON6
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 16W
Drain current: 21.5A
Pulsed drain current: 68A
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.93 грн
10+74.49 грн
100+49.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+40.31 грн
500+35.53 грн
750+33.84 грн
1250+29.97 грн
1750+28.91 грн
2500+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2TTexas InstrumentsMOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.42 грн
10+76.45 грн
100+38.59 грн
500+33.14 грн
1000+31.00 грн
2500+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17322Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET
на замовлення 6093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.09 грн
10+82.56 грн
100+47.36 грн
500+37.49 грн
1000+34.10 грн
2500+30.51 грн
5000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17322Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 14A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.89 грн
5000+29.25 грн
12500+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17322Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17322Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 14A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17322Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17327Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17327Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSON-FET EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17327Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
на замовлення 24835000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17327Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSON-FET EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17327Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.37 грн
10+70.97 грн
100+41.01 грн
500+32.31 грн
1000+28.86 грн
2500+27.34 грн
5000+25.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17327Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
на замовлення 24835000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8A
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 30875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
19+15.93 грн
100+10.04 грн
500+7.02 грн
1000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4Texas InstrumentsMOSFETs N-CH NexFET Pwr MOSF ET A 595-CSD17381F4 A 595-CSD17381F4T
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.71 грн
19+16.91 грн
100+9.25 грн
500+6.97 грн
1000+6.08 грн
3000+5.18 грн
6000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.67 грн
33+23.11 грн
35+22.17 грн
117+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8A
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.81 грн
6000+5.06 грн
9000+4.79 грн
15000+4.21 грн
21000+4.04 грн
30000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 15 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]