Продукція > FDS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS4885C-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4885CNLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4885C_NLFAIRCHILD
на замовлення 175200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4895CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 5.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4895ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4895LFDS07+/08+ SOP8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897ACONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4897AC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 6.1 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 392500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1137+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 1137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897ACONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4897AC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 6.1 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897AConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 577500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.90 грн
18+42.88 грн
25+38.70 грн
100+34.73 грн
500+30.36 грн
1000+27.70 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897AConsemi / FairchildMOSFET 40V Dual N & P Chan PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 577500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+51.90 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897AConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897ACFairchildTransistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 39mOhm/65mOhm; 6,1A/5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS4897AC TFDS4897ac
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.24 грн
14+55.93 грн
100+45.54 грн
500+38.43 грн
1000+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897CONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897Consemi / FairchildMOSFETs 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 40632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
677+52.27 грн
Мінімальне замовлення: 677 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897CFairchildTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC FDS4897C TFDS4897C
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+55.08 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897CONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897CONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897C-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4920FAIRCHILDSO-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4925FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4925-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4925NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935onsemiMOSFETs 30V P-CH DUAL PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.38 грн
6+79.34 грн
10+68.60 грн
50+48.05 грн
100+41.68 грн
125+40.00 грн
500+38.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AON-SemiconductorTransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 7A; 2W; -55°C ~ 175°C; FDS4935A TFDS4935a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+53.93 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A
Код товару: 40550
2 Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,023 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1233/15
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
у наявності: 129 шт
  • 77 шт - склад
  • 28 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
10+68.46 грн
50+51.23 грн
100+42.85 грн
500+33.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AonsemiMOSFETs -30V Dual
на замовлення 13187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+53.93 грн
1000+49.74 грн
10000+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AONS/FAIMOSFET P-CH 30V SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.44 грн
5000+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+61.08 грн
500+56.02 грн
1000+53.06 грн
2500+49.13 грн
5000+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935ANLFAIRCHILD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A_NLFSC
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A_Qonsemi / FairchildMOSFETs -30V Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935B
на замовлення 9080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZOn SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.11 грн
14+54.65 грн
25+54.10 грн
100+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZonsemiMOSFETs 30V PCH DUAL POWER TRENCH M
на замовлення 9499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
720+49.17 грн
1000+45.34 грн
10000+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 720 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+103.86 грн
10+65.67 грн
25+53.84 грн
50+46.46 грн
100+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZFairchildMosfet Array 2x P-Channel (Dual) 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC FDS4935BZ ONS TFDS4935bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+90.41 грн
500+53.20 грн
1000+47.97 грн
2500+40.91 грн
5000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ_Gonsemi / FairchildArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ_NLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935NLFAIRCHILD
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935_NLFAIRCHILD
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4936FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4936-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953
Код товару: 205323
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Транзисторні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953onsemiMOSFETs SO-8 P-CH DUAL -30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953-NL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953A
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953ANLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V, DUAL, SO-8, PCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4963Fairchild04+ SOP-8
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5009FDS04+
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5109FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5109MFAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 21520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5170N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2889 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5170N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2889 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5341FSCSOP-8
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS53418MFDSSOP-8
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351onsemiMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351FairchildN-MOSFET 6.1A 60V 2.5W 35mΩ FDS5351 TFDS5351
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.51 грн
10+43.44 грн
25+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.89 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ONS/FAIMOSFET N-CH 60V 6.1A SOIC-8 Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
2+390.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.