Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB039N10N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
On-state resistance: 3.9mΩ
Power dissipation: 214W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 20306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.29 грн
10+162.14 грн
100+113.78 грн
500+95.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GE8187ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 32000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GE8187ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 32000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GE8197ATMA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB03N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7027 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB03N03LAINF07+;
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB03N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB03N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB03N03LAGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7027 pF @ 15 V
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+98.14 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB03N03LAGinfineonto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB03N03LBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB03N03LBinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB03N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB03N03LBGInfineon TechnologiesDescription: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+107.36 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB0401NM5SInfineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB0401NM5SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.19 грн
10+218.75 грн
100+161.99 грн
500+131.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB0401NM5SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB0401NM5SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 107A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.28 грн
10+129.40 грн
100+86.98 грн
500+83.53 грн
800+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 107 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.28 грн
10+145.78 грн
100+113.56 грн
500+100.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 107A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.18 грн
10+160.04 грн
100+112.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 107 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.56 грн
500+100.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB041N04N GINFTO-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB041N04N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB041N04NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB041N04NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N03L GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 70A D2PAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N03L GINFTO-263
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N03LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+213.64 грн
69+205.50 грн
100+198.53 грн
250+185.63 грн
500+167.21 грн
1000+156.59 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3 GInfineon
на замовлення 167000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.35 грн
10+128.61 грн
100+76.63 грн
500+65.31 грн
1000+55.09 грн
5000+53.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+148.70 грн
100+143.03 грн
103+138.18 грн
250+129.20 грн
500+116.37 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3 G E8187Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.46 грн
10+121.62 грн
50+104.70 грн
200+80.77 грн
500+61.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1
Код товару: 117738
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.81 грн
2000+87.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+107.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 18119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.10 грн
10+148.08 грн
100+102.79 грн
500+78.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.06 грн
200+85.26 грн
500+64.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.68 грн
10+140.52 грн
100+83.53 грн
500+68.27 грн
1000+62.96 грн
2000+61.16 грн
5000+59.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+80.20 грн
2000+72.01 грн
3000+69.35 грн
5000+62.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GE8187ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 31000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GE8187ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GE8187ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GE818XTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesIPB042N10NF2SATMA1
на замовлення 898400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+131.12 грн
500+118.01 грн
1000+108.83 грн
10000+93.57 грн
100000+72.59 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesIPB042N10NF2SATMA1
на замовлення 459200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+131.12 грн
500+118.01 грн
1000+108.83 грн
10000+93.57 грн
100000+72.59 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SInfineon Technologies IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+87.98 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB043N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.21 грн
10+116.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+83.48 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.85 грн
10+118.29 грн
100+69.72 грн
500+59.37 грн
800+52.67 грн
2400+49.84 грн
4800+47.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.46 грн
10+180.06 грн
100+122.57 грн
800+89.12 грн
1600+76.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB043N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+83.07 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.54 грн
10+99.99 грн
100+68.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 135A; 167W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 135A
Power dissipation: 167W
Case: D2PAK-3
On-state resistance: 4.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+248.06 грн
500+235.07 грн
1000+222.08 грн
10000+201.61 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V
на замовлення 4172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.88 грн
10+246.57 грн
100+177.30 грн
500+163.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+407.48 грн
10+389.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+410.13 грн
41+347.45 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+219.90 грн
2000+216.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+236.79 грн
200+183.98 грн
500+158.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+211.63 грн
2000+208.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+219.90 грн
2000+216.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+147.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+389.25 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+208.99 грн
2000+206.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+397.49 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 3766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.87 грн
10+239.76 грн
100+166.37 грн
500+163.61 грн
1000+138.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 178000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+337.10 грн
2000+323.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+410.13 грн
43+330.52 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+409.95 грн
10+275.45 грн
50+245.65 грн
200+200.43 грн
500+182.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N06Linfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N06LGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N06LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO-263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N06LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N06LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.33 грн
10+245.00 грн
100+175.41 грн
500+148.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+634.75 грн
29+497.26 грн
30+480.01 грн
100+368.66 грн
500+309.95 грн
1000+290.62 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 3469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+227.12 грн
200+177.25 грн
500+147.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.15 грн
10+373.92 грн
25+309.27 грн
100+236.10 грн
250+235.41 грн
500+216.77 грн
1000+214.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+633.68 грн
10+496.42 грн
25+479.20 грн
100+368.04 грн
500+309.43 грн
1000+290.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 3469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+400.28 грн
10+263.37 грн
50+227.12 грн
200+177.25 грн
500+147.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]