Продукція > IPB

Обрати Сторінку: [ << Попередня Сторінка ] 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40 44 47 [ Наступна Сторінка >> ]

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IPB027N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm

на замовлення 1679 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	205.37 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N3GE8187ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N5

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm

на замовлення 61 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 61 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	479.28 грн
41+	348.49 грн
100+	257.72 грн
500+	218.57 грн
1000+	189.46 грн

Мінімальне замовлення: 30 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N5ATMA1

IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	146.35 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	481.42 грн
41+	350.31 грн
100+	259.21 грн
500+	219.89 грн
1000+	190.51 грн

Мінімальне замовлення: 30 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm

на замовлення 61 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

64+	221.20 грн
68+	208.95 грн
100+	200.94 грн

Мінімальне замовлення: 64 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	480.60 грн
10+	349.70 грн
100+	258.77 грн
500+	219.51 грн
1000+	190.18 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	221.20 грн
10+	209.42 грн
25+	208.95 грн
100+	200.94 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

на замовлення 2139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	395.83 грн
10+	253.53 грн
50+	199.07 грн
100+	170.35 грн
500+	153.52 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N5ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB027N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 571 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	347.35 грн
100+	248.29 грн

Мінімальне замовлення: 41 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3 G

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 2649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	199.09 грн
10+	124.24 грн
100+	85.70 грн
500+	66.91 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	96.51 грн
2000+	93.74 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB029N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 944 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	200.24 грн
100+	138.11 грн
500+	111.55 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	74.04 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

на замовлення 970 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

3+	198.70 грн
10+	121.60 грн
50+	95.61 грн
100+	86.38 грн
200+	77.99 грн
500+	69.61 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	97.78 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB029N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GATMA1
Код товару: 150736

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 944 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	252.19 грн
83+	171.56 грн
112+	127.07 грн
500+	91.04 грн

Мінімальне замовлення: 57 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	96.51 грн
2000+	93.74 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

61+	234.84 грн
88+	161.18 грн
132+	107.29 грн

Мінімальне замовлення: 61 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 60V

на замовлення 1545 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	173.49 грн
100+	110.50 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB029N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm

на замовлення 542 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

на замовлення 1337 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	270.42 грн
10+	170.35 грн
50+	131.65 грн
100+	111.84 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	250.95 грн
10+	164.65 грн
100+	106.18 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	96.85 грн

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

86+	164.65 грн
134+	106.18 грн

Мінімальне замовлення: 86 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB029N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm

на замовлення 542 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	95.97 грн

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	96.85 грн

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 16800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	149.88 грн
8000+	136.96 грн
12000+	127.43 грн
16000+	115.89 грн

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	222.35 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	276.65 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	396.00 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPB029N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 2800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V

на замовлення 884 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	467.94 грн
10+	303.05 грн
50+	239.66 грн
100+	205.77 грн
500+	192.68 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB029N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 38000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	631.12 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB029N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1530 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB029N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPB029N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 2800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB030N08N3 G

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 80V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1654 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB030N08N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB030N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB030N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm

на замовлення 776 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB030N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB030N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	319.80 грн
10+	202.66 грн
100+	143.14 грн
500+	115.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB031N08N5

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 1273 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB031N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V

на замовлення 7870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	253.96 грн
10+	159.11 грн
50+	122.64 грн
100+	104.05 грн
500+	84.71 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB031N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB031N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB031N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm

на замовлення 909 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB031N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	86.86 грн
3000+	75.24 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB031N08N5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 2810 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB031N08N5ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 3.1mΩ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB031N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB031N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm

на замовлення 909 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB031N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB031NE7N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB031NE7N3 G

Rochester Electronics, LLC

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB031NE7N3G

Infineon Technologies

Description: IPB031NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB031NE7N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB031NE7N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	165.67 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB031NE7N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3-2

на замовлення 3216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 175 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB031NE7N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 315-324 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB032N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB032N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB032N10N5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB032N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB032N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 187W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm

на замовлення 301 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB032N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	426.04 грн
10+	384.40 грн
25+	366.94 грн
100+	315.36 грн
250+	277.96 грн
500+	247.51 грн
1000+	233.93 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB032N10N5ATMA1

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB032N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB032N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 187W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm

на замовлення 301 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB032N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V

на замовлення 293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	302.55 грн
10+	190.96 грн
50+	147.86 грн
100+	125.74 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB033N10N5LF

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 179W; PG-TO263-3
Power dissipation: 179W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 108A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB033N10N5LFATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 1783 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB033N10N5LFATMA1

Description: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm

на замовлення 1593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB033N10N5LFATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 50 V

на замовлення 629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	444.42 грн
10+	287.20 грн
50+	226.63 грн
100+	194.39 грн
500+	179.97 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB033N10N5LFATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	369.83 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB033N10N5LFATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	498.90 грн
42+	340.21 грн
50+	315.25 грн
100+	250.14 грн

Мінімальне замовлення: 29 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB033N10N5LFATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB033N10N5LFATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	629.04 грн
10+	421.82 грн
50+	332.83 грн
100+	293.33 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB033N10N5LFATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 50 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB033N10N5LFATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

127+	280.51 грн
500+	265.19 грн
1000+	251.05 грн

Мінімальне замовлення: 127 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB033N10N5LFATMA1

Description: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm

на замовлення 1593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB033N10N5LFATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	523.01 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB033N10N5LFATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 909 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	539.90 грн
10+	350.19 грн
25+	322.00 грн
100+	251.22 грн
250+	230.25 грн
500+	209.40 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

Обрати Сторінку: [ << Попередня Сторінка ] 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40 44 47 [ Наступна Сторінка >> ]