Продукція > IPT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPT039N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 319W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+175.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 3356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+302.91 грн
500+286.41 грн
1000+271.08 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+302.91 грн
500+286.41 грн
1000+271.08 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 3295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5XTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT03YQC12-A6PF7N405GlenairStandard Circular Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT043N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+214.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.04 грн
10+292.78 грн
50+231.19 грн
100+198.37 грн
500+184.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+508.13 грн
41+352.64 грн
50+331.17 грн
100+248.74 грн
500+225.72 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+210.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+217.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+286.41 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+166.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+286.41 грн
500+271.08 грн
1000+256.94 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 3872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+286.41 грн
500+271.08 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+210.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 174A; 300W; HSOF-8
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 174A
Power dissipation: 300W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+525.53 грн
10+364.71 грн
50+342.51 грн
100+257.25 грн
500+233.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT047N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 18.6A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+177.93 грн
87+163.03 грн
93+152.09 грн
100+142.66 грн
250+130.74 грн
500+120.26 грн
1000+119.37 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT047N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT047N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 18.6A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.93 грн
10+163.03 грн
25+152.09 грн
100+142.66 грн
250+130.74 грн
500+120.26 грн
1000+119.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT047N15NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT047N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 147 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT047N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 18.6A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 3866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT047N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 18.6A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT047N15NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT047N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 147 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT047N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 18.6A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT05.5G33R-T005Honeywell AerospaceDescription: IPT05.5G33R-T005
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT05.5G33R-T007Honeywell AerospaceDescription: IPT05.5G33R-T007
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT05.5G33R-T009Honeywell AerospaceDescription: IPT05.5G33R-T009
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT05.5G33R-T011Honeywell AerospaceDescription: IPT05.5G33R-T011
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5Infineon Technologies IFX FET >100-150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT054N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 4600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 17.5A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 3757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+280.51 грн
500+265.19 грн
1000+251.05 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 17.5A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 17.5A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.21 грн
10+287.27 грн
50+226.69 грн
100+194.44 грн
500+180.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT054N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 4600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 17.5A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 3953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+280.51 грн
500+265.19 грн
1000+251.05 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3Infineon
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+840.41 грн
25+801.61 грн
50+769.35 грн
100+715.71 грн
250+642.14 грн
500+599.56 грн
1000+585.01 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+573.09 грн
37+390.03 грн
50+354.58 грн
100+292.19 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+580.64 грн
10+384.42 грн
25+347.65 грн
100+274.95 грн
250+252.06 грн
500+217.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; Idm: 620A; 375W
Transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+179.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+282.33 грн
10+249.10 грн
50+240.38 грн
100+214.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 5000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+224.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+224.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1InfineonТранзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 155А; 375Вт; PG-HSOF-8-1 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+592.72 грн
10+403.38 грн
50+366.72 грн
100+302.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+278.29 грн
58+245.52 грн
60+236.93 грн
100+211.28 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+478.91 грн
10+310.14 грн
50+245.44 грн
100+210.82 грн
500+198.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+580.64 грн
37+384.42 грн
41+347.65 грн
100+274.95 грн
250+252.06 грн
500+217.49 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT05A16-8PGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT05A16-8SGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT063N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 3562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+210.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+232.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT063N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 3562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+316.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.10 грн
10+278.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6Infineon Technologies IFX FET >150 - 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+375.98 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
на замовлення 13511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+532.99 грн
10+347.20 грн
50+276.10 грн
100+237.64 грн
500+228.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+705.32 грн
29+496.24 грн
50+399.54 грн
100+361.80 грн
500+323.59 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+289.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 137A; Idm: 548A
Transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 137A
Pulsed drain current: 548A
Power dissipation: 300W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+291.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+289.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+206.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+409.97 грн
40+357.36 грн
44+321.53 грн
100+308.05 грн
250+283.46 грн
500+270.34 грн
1000+268.65 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+409.97 грн
10+357.36 грн
25+321.53 грн
100+308.05 грн
250+283.46 грн
500+270.34 грн
1000+268.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >150 - 400V
на замовлення 4722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+290.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 5715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+375.98 грн
100+357.12 грн
500+338.27 грн
1000+308.00 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+705.32 грн
10+496.24 грн
50+399.54 грн
100+361.80 грн
500+323.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT06A10-6SF7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT06A10-6SN0GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT06A10-6SSRGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT06A12-10PCSRGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT06A12-10PCSRF11GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT06A12-10PPHM11F6GlenairIPT06A12-10PPHM11F6
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+16581.75 грн
20+12972.14 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]