Продукція > STG

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STGAP3SXSTRSTMicroelectronicsDriver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+347.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP3SXSTRSTMicroelectronicsDescription: GALVANICALLY ISOLATED 6/10 A SIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 10A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 10A, 10A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 18ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 95ns, 95ns
Pulse Width Distortion (Max): 10ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.68 грн
10+211.57 грн
25+194.69 грн
100+165.28 грн
250+156.97 грн
500+151.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP3SXSTRSTMicroelectronicsDriver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+343.41 грн
10+283.97 грн
25+261.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP4STRSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-BSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Peak Output: 3.4A
Technology: Optical Coupling
Approval Agency: IEC/EN/DIN, UL, VDE
Supplier Device Package: 36-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 45ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns
Pulse Width Distortion (Max): 30ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 0.3V ~ 28V
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+345.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP4STRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGAP4STR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, SiC-MOSFET, 36 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 32V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+627.40 грн
10+427.67 грн
25+405.92 грн
50+357.48 грн
100+311.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP4STRSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-BSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Peak Output: 3.4A
Technology: Optical Coupling
Approval Agency: IEC/EN/DIN, UL, VDE
Supplier Device Package: 36-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 45ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns
Pulse Width Distortion (Max): 30ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 0.3V ~ 28V
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+747.90 грн
10+495.76 грн
100+369.09 грн
500+311.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP4STRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGAP4STR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, SiC-MOSFET, 36 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 32V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+427.67 грн
25+405.92 грн
50+357.48 грн
100+311.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.5ns/103ns
Switching Energy: 83µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 115 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+52.70 грн
2000+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+193.17 грн
2000+191.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.5ns/103ns
Switching Energy: 83µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 115 W
на замовлення 4135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.87 грн
10+101.26 грн
100+69.00 грн
500+51.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+192.94 грн
2000+191.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10H60DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.72 грн
10+105.59 грн
100+62.96 грн
500+49.98 грн
1000+45.56 грн
2000+42.11 грн
5000+40.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10M65DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB10M65DF2 - IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.30 грн
10+136.92 грн
100+109.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-263
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 115 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 28 nC
Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 10 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-263
Power - Max: 115 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 28 nC
Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.82 грн
10+124.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10M65DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB10M65DF2 - IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10N60LT4STM07+ TO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZSTMicroelectronicsIGBTs 10 A 410V INTERNALLY CLAMPED IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZSTMicroelectronicsDescription: IGBT 440V 20A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 440V 20A 125W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.37 грн
10+226.01 грн
100+161.10 грн
500+135.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB10NB37LZT4 - IGBT, 20 A, 1.3 V, 125 W, 410 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 410V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 440V 20A 125W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+162.87 грн
10+131.29 грн
20+117.17 грн
50+98.88 грн
100+86.42 грн
500+78.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4STMicroelectronicsIGBTs 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.71 грн
10+157.98 грн
100+91.12 грн
500+76.63 грн
1000+54.61 грн
2000+53.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4
Код товару: 34446
3 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > IGBT
Корпус: D²PAK
Напруга колектор-емітер Vces, V: 410 V
Струм колектора Ic при 25°C, A: 20 A
Струм колектора Ic при 100°C, A: 10 A
у наявності: 48 шт
  • 36 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+127.00 грн
10+114.50 грн
100+102.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB10NB37LZT4 - IGBT, 20 A, 1.3 V, 125 W, 410 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 410V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4 (відсутній резистор GE)
Код товару: 212617
Додати до обраних Обраний товар
КитайТранзистори > IGBT
Корпус: D²PAK
Струм колектора Ic при 25°C, A: 20 A
Струм колектора Ic при 100°C, A: 10 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZSTMIGBT 440V 20A 125W D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB40LZ
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB40LZSTMicroelectronicsIGBT Transistors 10 A - 410 V internally clamped IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 380V 20A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB40LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 440V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 380V 20A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB40LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 440V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 380V 20A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB40LZT4
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB40LZT4STMicroelectronicsIGBT Transistors N-Ch Clamped 20 Amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB60S
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB60ST4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 29A TO-263
Power - Max: 80 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 33 nC
Test Condition: 480V, 10A, 1kOhm, 15V
Switching Energy: 600µJ (on), 5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/1.2µs
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 10A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDSTMicroelectronicsIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4STMicroelectronicsIGBTs N Ch 10A 600V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.11 грн
10+104.79 грн
100+62.34 грн
500+51.57 грн
1000+43.91 грн
2000+40.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 582 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+183.45 грн
5+137.94 грн
10+120.49 грн
100+77.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A D2PAK
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19.2 nC
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4STMGBT 600V 20A 65W Surface Mount D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A D2PAK
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19.2 nC
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.43 грн
10+97.90 грн
100+66.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4 (D2PAK, ST)
Код товару: 155334
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60K
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KD
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDSTMicroelectronicsIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.73 грн
25+71.58 грн
100+67.93 грн
250+61.88 грн
500+58.43 грн
1000+57.45 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A 65W D2PAK
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.58 грн
10+82.04 грн
100+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsIGBTs N-channel MOSFET
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.78 грн
10+92.09 грн
100+53.98 грн
500+42.87 грн
1000+39.21 грн
2000+37.28 грн
5000+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A 65W D2PAK
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+132.44 грн
10+86.42 грн
25+73.12 грн
40+67.31 грн
100+66.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+72.73 грн
199+71.58 грн
202+70.45 грн
250+66.83 грн
500+60.87 грн
1000+57.45 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4
Код товару: 155948
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KT4
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A 65W D2PAK
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB12NB60KD
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB12NB60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 30A 125W D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB12NB60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 30A 125W D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB14NC60K
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB14NC60KD
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB14NC60KDSTMicroelectronicsIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB14NC60KDT4STMIGBT 25A600V D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB14NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A 80W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns
Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 34.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 80 W
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.79 грн
10+86.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB14NC60KDT4STMicroelectronicsIGBTs PowerMESH" IGBT
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.97 грн
10+91.30 грн
100+56.26 грн
500+47.70 грн
1000+39.21 грн
2000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB14NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A 80W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns
Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 34.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB14NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB14NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A 80W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns
Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 34.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB15H60DF - IGBT, 30 A, 1.6 V, 115 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 600V H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.09 грн
500+90.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15H60DFSTMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24.5ns/118ns
Switching Energy: 136µJ (on), 207µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 115 W
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.69 грн
10+131.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB15H60DF - IGBT, 30 A, 1.6 V, 115 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 600V H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.70 грн
10+103.90 грн
100+103.09 грн
500+90.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24.5ns/118ns
Switching Energy: 136µJ (on), 207µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 115 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15H60DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.18 грн
10+132.58 грн
100+86.29 грн
500+73.18 грн
1000+51.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 142 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/93ns
Switching Energy: 90µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.54 грн
10+100.06 грн
100+68.36 грн
500+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 142 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/93ns
Switching Energy: 90µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+52.38 грн
2000+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 15 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.74 грн
10+108.76 грн
100+64.68 грн
500+51.57 грн
1000+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+65.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+65.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB18N40LZ
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB18N40LZ-1STMicroelectronicsDescription: IGBT 420V 30A TO-262
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 29 nC
Test Condition: 300V, 10A, 5V
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB18N40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 360V 30A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB18N40LZT4STMicroelectronicsIGBTs EAS 180 mJ-400 V
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.02 грн
10+115.11 грн
100+68.90 грн
500+54.95 грн
1000+50.60 грн
2000+47.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB18N40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 360V 30A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+84.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]