Продукція > STW

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STW2110STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Earthing plug; ESD; 1MΩ; press stud male 10mm x3
Type of antistatic accessories: earthing plug
Version: ESD
Resistance: 1MΩ
Connection: press stud male 10mm x3
Caution!: Before connecting make sure that pin terminal in the mains socket is correctly earthed
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Connectors for the country: Europe
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+833.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW2130STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Earthing plug; ESD; 1MΩ; screw M5 with nut x2
Type of antistatic accessories: earthing plug
Version: ESD
Resistance: 1MΩ
Connection: screw M5 with nut x2
Caution!: Before connecting make sure that pin terminal in the mains socket is correctly earthed
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Connectors for the country: Europe
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+802.71 грн
5+703.83 грн
10+662.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N150K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1500V 14A TO247
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3145 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+984.77 грн
30+578.73 грн
120+524.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N150K5STMMOSFET N-CH 1500V 14A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N150K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N150K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW21N150K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 14 A, 0.7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+969.70 грн
5+888.35 грн
10+807.01 грн
50+673.83 грн
100+552.27 грн
250+482.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N150K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1500 V, 0.7 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 packge
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+990.64 грн
10+592.24 грн
100+456.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N150K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1500V; 8.7A; 446W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+906.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N150K5STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 1 500, Id = 14 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3145 @ 100, Qg, нКл = 89 @ 10 В, Rds = 900 мОм @ 7 A, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 446, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N50T3
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N65M5
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N65M5
Код товару: 61395
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N65M5STMTO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+331.00 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N90K5STMMOSFET N-CH 900V 18.5A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 18.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+329.69 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM50N
Код товару: 57941
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, V: 500 V
Струм стоку Idd, A: 18 A
Примітка: MOSFET N-канал
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 V 0.15 Ohm 18 A 2nd Gen MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM50NSTMN-кан. MOSFET 550V, 18A, 0.15 Ом, 214Вт, TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM50N-HSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM60
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 V 0.18 Ohm 16 A 2nd Gen MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM60N
на замовлення 539 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM60NSTMN-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM60N(1238)STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 17A FDMesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM60NDSTMТранзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 10А; 140Вт; TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 10A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW2200STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m
Kind of connector: banana 4mm socket x2; press stud male 10mm
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Version: ESD
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Cable length: 2m
Resistance: 1MΩ
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1211.68 грн
5+1061.97 грн
10+999.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW220NF75STM(Близкий к IRFP2907) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW220NF75STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW220NF75
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW2210STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m; banana 4mm socket x3
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Resistance: 1MΩ
Connection: banana 4mm socket x3
Cable length: 2m
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1194.67 грн
5+1047.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW2220STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Resistance: 1MΩ
Connection: press stud male 10mm x3
Cable length: 2m
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1211.68 грн
5+1061.97 грн
10+999.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW2240STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 2m; for wall mounting
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Connection: screw M5 with nut
Cable length: 2m
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Mounting: for wall mounting
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+833.14 грн
5+730.42 грн
10+687.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW2250STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 2m; press stud male 10mm
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Connection: press stud male 10mm
Cable length: 2m
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+833.14 грн
5+730.42 грн
10+687.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW2260STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; Features: copper tape 2m; 2m
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Related items: PRT-STW41490100
Connection: screw M5 with nut
Cable length: 2m
Features of antistatic elements: copper tape 2m
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground
Version: ESD
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1573.21 грн
5+1374.42 грн
10+1288.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW22N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+653.93 грн
30+368.82 грн
120+311.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW22N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 950V .28Ohm typ 17.5A Zener-protect
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW22NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW23N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ 16 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+337.46 грн
25+264.37 грн
100+200.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW23N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW23N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.53 грн
30+257.39 грн
120+214.89 грн
510+172.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW23N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+424.87 грн
10+367.04 грн
100+293.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW23N85K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 850V 19A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 275mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW23N85K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 850V 0.2Ohm typ 19A Zener-protected
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW23NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW23NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW23NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 600V Power MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW23NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW23NM60N.STW21NM60N
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW23NM60NDSTMN-CH 600V 19A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW23NM60NDST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW23NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 20A FDMesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW23NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 19.5A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW240N10F7STMicroelectronicsMOSFET LGS LV MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW240N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+203.27 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW24N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.48 грн
10+149.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW24N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 100 V
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+311.43 грн
30+166.08 грн
120+136.51 грн
510+107.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+204.83 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW24N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+323.77 грн
10+177.83 грн
100+125.64 грн
600+107.00 грн
1200+104.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW24N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+238.93 грн
5+161.21 грн
10+143.76 грн
30+121.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW24N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.11 грн
10+183.39 грн
100+116.67 грн
600+97.34 грн
1200+90.43 грн
3000+84.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW24N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW24N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.168 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.98 грн
10+209.40 грн
100+182.02 грн
500+144.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW24N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.30 грн
30+130.80 грн
120+106.64 грн
510+83.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW24N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 52.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 162mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW24N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.61 грн
10+180.21 грн
100+119.43 грн
600+95.96 грн
1200+90.43 грн
3000+84.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW24N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tj)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.13 грн
10+182.48 грн
100+128.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW24N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW24NK55ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4397.5 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11.5A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW24NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.38 грн
30+275.86 грн
120+230.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW24NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 125W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW24NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.18 Ohm 17A MDmesh II
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+519.48 грн
10+294.53 грн
100+214.01 грн
600+197.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW24NM60NSTMMOSFET N-CH 600V 17A TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW24NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW24NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW24NM65N
на замовлення 11589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW25A60
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW25N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.3A; Idm: 72A; 150W; TO247
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 0.175Ω
Drain current: 11.3A
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 150W
Pulsed drain current: 72A
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW25N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.57 грн
10+186.00 грн
100+131.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW25N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.63 грн
10+196.09 грн
100+122.88 грн
600+98.72 грн
1200+91.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW25N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW25N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 19.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+458.21 грн
30+322.13 грн
120+272.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW25N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+519.48 грн
10+294.53 грн
100+214.01 грн
600+184.32 грн
1200+177.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW25N80K5STMMOSFET Transistor, N Channel, 19.5 A, 800 V, 0.19 ohm, 10 V, 4 V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW25N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 12.3A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12.3A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW25N95K3STMMOSFET N-CH 950V 22A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW25N95K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 22A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]