Продукція > STW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STW20NM50
Код товару: 32074
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50STMN-кан. MOSFET 550V, 20A, 0.2 Ом, 214Вт, O-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50.STW20NM50FD
на замовлення 18684 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50FDSTTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 250mOhm; 20A; 214W; -65°C ~ 150°C; STW20NM50FD TSTW20NM50FD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+197.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50FDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+459.71 грн
10+316.17 грн
30+286.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50FDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+329.22 грн
46+309.62 грн
120+306.62 грн
510+292.68 грн
1020+268.23 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+649.00 грн
30+365.89 грн
120+309.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50FDSTMN-кан. MOSFET 500V, 20A, 0.22Ом, 214Вт, TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+331.06 грн
30+311.36 грн
120+308.34 грн
510+294.32 грн
1020+269.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50FDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW20NM50FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50FD
Код товару: 180604
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+232.81 грн
62+231.83 грн
66+215.62 грн
120+205.94 грн
510+184.41 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60STW20NM60 Транзисторы MOS FET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW20NM60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60
Код товару: 161796
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+513.90 грн
10+322.88 грн
20+281.79 грн
30+260.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.26 грн
30+232.28 грн
60+216.05 грн
120+206.34 грн
510+184.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW20NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.26 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FDSTMзамена IRFP27N60K Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+137.47 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FD
Код товару: 1135
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,29 Ом
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+475.97 грн
2+421.84 грн
10+244.89 грн
30+176.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FDSTTranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 290mOhm; 20A; 214W; -65°C ~ 150°C; STW20NM60FD STMicroelectronics TSTW20NM60fd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+231.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.10 грн
30+287.02 грн
60+261.77 грн
120+225.72 грн
510+193.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW2100STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Earthing plug; ESD; 1MΩ
Type of antistatic accessories: earthing plug
Version: ESD
Resistance: 1MΩ
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Connectors for the country: Europe
Connection: banana 4mm socket x2; press stud male 10mm
Caution!: Before connecting make sure that pin terminal in the mains socket is correctly earthed
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+810.14 грн
5+710.34 грн
10+668.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW2110STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Earthing plug; ESD; 1MΩ; press stud male 10mm x3
Type of antistatic accessories: earthing plug
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Connectors for the country: Europe
Connection: press stud male 10mm x3
Caution!: Before connecting make sure that pin terminal in the mains socket is correctly earthed
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+840.84 грн
5+737.17 грн
10+693.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW2130STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Earthing plug; ESD; 1MΩ; screw M5 with nut x2
Type of antistatic accessories: earthing plug
Version: ESD
Resistance: 1MΩ
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Connectors for the country: Europe
Connection: screw M5 with nut x2
Caution!: Before connecting make sure that pin terminal in the mains socket is correctly earthed
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+810.14 грн
5+710.34 грн
10+668.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N150K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1500V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3145 pF @ 100 V
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+993.88 грн
30+584.08 грн
120+529.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N150K5STMMOSFET N-CH 1500V 14A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N150K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N150K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW21N150K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 14 A, 0.7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N150K5STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 1 500, Id = 14 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3145 @ 100, Qg, нКл = 89 @ 10 В, Rds = 900 мОм @ 7 A, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 446, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N150K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1500V; 8.7A; 446W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+914.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N150K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1500 V, 0.7 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 packge
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N50T3
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N65M5STMTO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N65M5
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N65M5
Код товару: 61395
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+330.26 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 18.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N90K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 900V; 11.6A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11.6A
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Version: ESD
Technology: SuperMESH5™
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+551.83 грн
5+457.90 грн
10+410.94 грн
30+365.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+328.96 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N90K5STMMOSFET N-CH 900V 18.5A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 V 0.15 Ohm 18 A 2nd Gen MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM50NSTMN-кан. MOSFET 550V, 18A, 0.15 Ом, 214Вт, TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM50N
Код товару: 57941
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Примітка: MOSFET N-канал
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM50N-HSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM60
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM60NSTMN-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 V 0.18 Ohm 16 A 2nd Gen MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM60N
на замовлення 539 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM60N(1238)STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 17A FDMesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM60NDSTMТранзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 10А; 140Вт; TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW21NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 10A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW2200STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Cable length: 2m
Connection: banana 4mm socket x2; press stud male 10mm
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1222.88 грн
5+1071.79 грн
10+1008.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW220NF75
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW220NF75STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW220NF75STM(Близкий к IRFP2907) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW2210STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m; banana 4mm socket x3
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Resistance: 1MΩ
Connection: banana 4mm socket x3
Cable length: 2m
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1205.72 грн
5+1056.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW2220STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Resistance: 1MΩ
Connection: press stud male 10mm x3
Cable length: 2m
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1222.88 грн
5+1071.79 грн
10+1008.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW2240STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 2m; for wall mounting
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Connection: screw M5 with nut
Cable length: 2m
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Mounting: for wall mounting
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+840.84 грн
5+737.17 грн
10+693.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW2250STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 2m; press stud male 10mm
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Cable length: 2m
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Connection: press stud male 10mm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+840.84 грн
5+737.17 грн
10+693.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW2260STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; Features: copper tape 2m; 2m
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Features of antistatic elements: copper tape 2m
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground
Connection: screw M5 with nut
Related items: PRT-STW41490100
Cable length: 2m
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1587.76 грн
5+1387.13 грн
10+1300.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW22N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 950V .28Ohm typ 17.5A Zener-protect
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW22N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+659.97 грн
30+372.23 грн
120+314.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW22NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW23N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW23N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.86 грн
30+259.77 грн
120+216.87 грн
510+174.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW23N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ 16 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW23N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+423.93 грн
10+366.22 грн
100+293.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW23N85K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 850V 0.2Ohm typ 19A Zener-protected
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW23N85K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 850V 19A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 275mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW23NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW23NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW23NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW23NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 600V Power MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW23NM60N.STW21NM60N
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW23NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 20A FDMesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW23NM60NDSTMN-CH 600V 19A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.