Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF7493TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+40.35 грн
8000+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+44.34 грн
325+43.66 грн
330+42.97 грн
336+40.78 грн
500+37.14 грн
1000+35.07 грн
3000+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 320 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7494IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7494PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 5,1 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1783 @ 25, Qg, нКл = 53 @ 10 В, Rds = 44 мОм @ 3,1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7494PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1783 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7494PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7494PBF
Код товару: 79849
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7494TRINTERNATIONAL RECTIFIERMOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+233.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7494TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7494TRHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 719 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7494TRHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+116.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7494TRPBFIRF
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7494TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1783 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495
Код товару: 117001
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495International RectifierTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+459.27 грн
25+405.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 7,3, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1530pF @ 25V, Qg, нКл = 51, Rds = 22 mOhm @ 4.4A, 10V, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = ±20V,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
95+85.50 грн
190+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V N-CH HEXFET 22mOhms 34nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.65 грн
10+100.86 грн
100+78.84 грн
500+67.26 грн
1000+49.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495PBF
Код товару: 125064
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRIR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 212000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+50.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.93 грн
126+112.65 грн
250+108.14 грн
500+100.50 грн
1000+90.03 грн
2500+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 2812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.27 грн
50+92.87 грн
250+62.08 грн
1000+42.14 грн
2000+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBFInternational Rectifier8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
283+50.16 грн
Мінімальне замовлення: 283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 2812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.87 грн
250+62.08 грн
1000+42.14 грн
2000+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+170.73 грн
125+113.75 грн
172+82.56 грн
500+64.08 грн
1000+56.13 грн
2000+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.98 грн
167+85.01 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 25 V
на замовлення 6609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.12 грн
10+83.14 грн
100+56.14 грн
500+41.84 грн
1000+39.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 7.3A 22mOhm 34nC Qg
на замовлення 13822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.08 грн
10+91.54 грн
100+55.23 грн
500+43.92 грн
1000+40.22 грн
2000+37.92 грн
4000+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 7,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1530 @ 25, Qg, нКл = 51, Rds = 22 mOhm @ 4.4A, 10V, Ugs(th) = ±20V, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 212000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+50.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7496IR09+
на замовлення 543 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501TR
Код товару: 109125
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501TRInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2,4 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 260 @ 15, Qg, нКл = 8 @ 4,5 В, Rds = 135 мОм @ 1,7 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: MICRO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
100+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH DUAL 20V 2.4A MICRO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 2.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+67.29 грн
8000+61.49 грн
12000+57.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7501TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 8045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.25 грн
250+37.31 грн
1000+28.90 грн
2000+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 2.4A Micro 8
на замовлення 21116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.50 грн
10+63.20 грн
100+42.18 грн
500+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7501TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 8045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.58 грн
50+47.25 грн
250+37.31 грн
1000+28.90 грн
2000+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 2.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+62.81 грн
8000+57.40 грн
12000+53.93 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503TRInternational RectifierTransistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 222mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRF7503 TIRF7503
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7503TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.41 грн
50+32.02 грн
250+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7503TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.02 грн
250+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 2.4A Micro 8
на замовлення 31029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.42 грн
10+35.25 грн
100+21.93 грн
500+18.71 грн
1000+16.62 грн
2000+16.13 грн
4000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.4A; 1.25W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 2.4A
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503TRPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504International RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504PBFInfineon / IRMOSFET MICRO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRIORDC05 TSSOP8
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 1.7A 8-Pin Micro T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRPBF
Код товару: 76998
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: 8-TSSOP
Uds,V: 20 V
Id,A: 1,7 A
Rds(on),Om: 0,27 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 83 шт
  • 29 шт - склад
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 35 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 30 шт
  • 30 шт - очікується
2+14.00 грн
10+12.50 грн
100+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7504TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.27 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 1.7A Micro 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRPBFInternational RectifierDual MOSFET, P Channel, 20 V, 1.7 A, 0.27 ohm, µSOIC, Surface Mount Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 1.7A 8-Pin Micro T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7504TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.27 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7506IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7506TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7506TRIR04+ SOP8
на замовлення 6700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7506TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 1.7A 8-Pin Micro T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7506TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH DUAL 30V 1.7A MICRO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7506TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7506TRPBF - IRF7506 30V DUAL P-CHANNEL HEXFET POWER
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7506TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7506TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 1.7A Micro 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507International Rectifier2 сил. MOSFET P-кан. -20V, 0.27Ом, N-кан. 20V, 0.135Ом, -50...+150, Micro-8 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507IRSO-8
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507PBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 2,4 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 260 @ 15, Qg, нКл = 8 @ 4,5 В, Rds = 140 мОм @ 1,7 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА, Id2 = 1,7 А,... Транзистори Корпус: M
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+44.78 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507PBFInfineon / IRMOSFET MICRO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.4A MICRO8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507PBF
Код товару: 27069
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 2,4 A
Rds(on), Ohm: 0,135 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 260/5,3
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507TR
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]