Продукція > FFS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FFSD-25-S-78.00-01-NSamtecRibbon Cables / IDC Cables .050" Low Profile Tiger Eye(TM) IDC Ribbon Cable Assembly
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD-25-S-79.00-01-NSamtec Inc.Description: .050 X .050 C.L. FEMALE IDC ASSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD-25-S-79.00-01-NSamtecCable Assembly 2.006m 30AWG 1.27mm 50 POS IDC Connector F TIGER EYE™ Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD-25-S-79.00-01-NSamtecRibbon Cables / IDC Cables .050" Low Profile Tiger Eye(TM) IDC Ribbon Cable Assembly
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD-25-S-79.00-01-NSamtecCable Assembly 2.006m 30AWG 1.27mm 50 POS IDC Connector F TIGER EYE™ Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD-25-S-80.00-01-NSamtecRibbon Cables / IDC Cables .050" Low Profile Tiger Eye IDC Ribbon Cable Assembly
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD-25-S-80.00-01-NSamtec Inc.Description: .050 X .050 C.L. FEMALE IDC ASSE
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Socket to Cable
Contact Finish: Gold
Color: Gray, Ribbon
Length: 6.67' (2.03m)
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 50
Number of Rows: 2
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Cable Termination: IDC
Pitch - Cable: 0.025" (0.64mm)
Pitch - Connector: 0.050" (1.27mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD-34-D-6.0-01-NSamtecRibbon Cables / IDC Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0465AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 7.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 258pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 7.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.77 грн
10+152.99 грн
100+106.48 грн
500+81.27 грн
1000+75.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0465AonsemiSchottky Diodes & Rectifiers 650V 4A SIC SBD
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0465AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 7.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 258pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 7.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0465AON SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode,4A, 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD05D06.0001NSamtecRibbon Cables / IDC Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0665AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 39759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.90 грн
10+155.03 грн
100+108.00 грн
500+82.49 грн
1000+81.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0665AonsemiSiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0665AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+77.32 грн
5000+70.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0665BON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 9.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.89 грн
10+91.45 грн
25+90.02 грн
100+85.42 грн
250+77.81 грн
500+73.47 грн
1000+72.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0665BonsemiSiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0665BON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 9.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0665BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 9.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0665BON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 9.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+92.89 грн
155+91.45 грн
158+90.02 грн
160+85.42 грн
250+77.81 грн
500+73.47 грн
1000+72.24 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0665BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 9.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.15 грн
10+185.45 грн
100+130.46 грн
500+100.39 грн
1000+93.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0665BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 9.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.66 грн
10+124.61 грн
50+95.24 грн
100+80.47 грн
500+64.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0665B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.09 грн
10+142.73 грн
100+98.79 грн
500+75.06 грн
1000+69.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0665B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD0665B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0665B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 9.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK Reel Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0665B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0665B-F085onsemiSiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0665B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 9.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK Reel Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0665B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD0665B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD06LAMFAGBelden Inc.Description: FFSD06LAMFAG
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120AON SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+250.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120AON SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120AonsemiSiC Schottky Diodes 1200V 8A SIC SBD
на замовлення 3489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120AonsemiDescription: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+176.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120AONSEMICategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 22.5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 22.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.75V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120AON SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+407.71 грн
43+335.48 грн
47+305.97 грн
100+267.86 грн
250+246.75 грн
500+232.44 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120AON SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+407.71 грн
10+335.48 грн
25+305.97 грн
100+267.86 грн
250+246.75 грн
500+232.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120AonsemiDescription: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 4848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+475.78 грн
10+308.18 грн
50+243.96 грн
100+209.58 грн
500+195.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+110.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865AonsemiSchottky Diodes & Rectifiers 650V 8A SIC SBD
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865BON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.01 грн
10+112.13 грн
25+110.25 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.61 грн
10+196.55 грн
100+138.51 грн
500+106.75 грн
1000+99.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865BON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.08 грн
500+154.40 грн
1000+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 4724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.25 грн
10+156.69 грн
100+109.02 грн
500+83.20 грн
1000+81.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865BON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+114.01 грн
127+112.13 грн
129+110.25 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865BonsemiSiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865BON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+101.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD0865B - SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 8A, TO-252
tariffCode: 0
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3 Pin
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+77.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B-F085onsemiSiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD0865B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.69 грн
10+174.43 грн
100+122.13 грн
500+93.64 грн
1000+93.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.15 грн
500+137.90 грн
1000+130.83 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD0865B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.15 грн
500+137.90 грн
1000+130.83 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD10120AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+204.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD10120AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 4168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+537.70 грн
10+349.39 грн
50+277.37 грн
100+238.55 грн
500+225.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD10120Aonsemi / FairchildSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 88751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.93 грн
10+205.38 грн
100+145.41 грн
500+116.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065AOn SemiconductorSchottky 650 V 18A (DC) D-PAK (TO-252) Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065AonsemiDescription: 650V 10A SIC SBD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065AonsemiSiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+106.63 грн
5000+101.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065AonsemiDescription: 650V 10A SIC SBD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD1065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 13.5 A, 25 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85419000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13.5A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065BON SemiconductorDescription: 650V 10A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD1065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 13.5 A, 25 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85419000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13.5A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065BON SemiconductorDescription: 650V 10A SIC SBD GEN1.5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065BonsemiSiC Schottky Diodes 650V 10A
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.36 грн
500+157.94 грн
1000+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+242.70 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDescription: 650V 10A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065B-F085onsemiSiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD G EN1.5
на замовлення 2606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.36 грн
500+157.94 грн
1000+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDescription: 650V 10A SIC SBD GEN1.5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.36 грн
500+157.94 грн
1000+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD10D470001NSamtecRibbon Cables / IDC Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD2065BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 23.4A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD2065BON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 23.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+335.48 грн
47+304.56 грн
100+270.42 грн
250+250.31 грн
500+224.95 грн
1000+198.01 грн
2500+193.56 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD2065BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD2065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 20 A, 51 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD2065BON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 23.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD2065BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 23.4A TO252
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.88 грн
10+258.82 грн
50+203.26 грн
100+173.97 грн
500+155.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD2065BonsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE DPAK 650V
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD2065BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD2065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 20 A, 51 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD2065BON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 23.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD2065BON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 23.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.48 грн
10+304.56 грн
100+270.42 грн
250+250.31 грн
500+224.95 грн
1000+198.01 грн
2500+193.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH06LDBelden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables FX UHD FRAME OS2 06P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH10120AON SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.