Продукція > AOT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
AOTF10B65M1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 20A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10B65M1AOSTrans IGBT Chip N-CH 650V 20A 30000mW TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10B65M1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 12W; TO220F; Eoff: 0.13mJ; Eon: 0.18mJ
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Case: TO220F
Kind of package: tube
Gate charge: 24nC
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 131ns
Turn-off switching energy: 0.13mJ
Turn-on switching energy: 0.18mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.6V
Collector current: 10A
Power dissipation: 12W
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10B65M2ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 12W; TO220F; Eoff: 0.13mJ; Eon: 0.18mJ
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Case: TO220F
Kind of package: tube
Gate charge: 24nC
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 131ns
Turn-off switching energy: 0.13mJ
Turn-on switching energy: 0.18mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.6V
Collector current: 10A
Power dissipation: 12W
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10B65M2Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 10A TO220
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 30 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 24 nC
Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V
Switching Energy: 180µJ (on), 130µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/91ns
Supplier Device Package: TO-220
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr): 262 ns
Input Type: Standard
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.33 грн
10+98.20 грн
100+69.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10N50FDAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10N50FD_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10N60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31.1nC
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+83.74 грн
25+74.62 грн
100+67.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10N60
Код товару: 119569
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10N60ALPHA&OMEGATransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10N60Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10N60ALPHA&OMEGATransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10N60CLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10N60CL_0C1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10N60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 745 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10N60L_002Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10N60_002Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10N60_003Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10N60_006Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10N62Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH TO-220F
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10N65ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.08 грн
6+74.62 грн
25+66.33 грн
100+60.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10N65
Код товару: 165192
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10N65Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10N90Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 900V 10A TO220-3F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10T60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1346 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10T60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1346 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10T60PAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10T60PLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF10T60_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V TO-220F
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF11C60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF11C60PAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2333 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF11C60PLAOSMOSFET N-CH 600V 11A TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF11C60PLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2333 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF11C60P_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2333 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF11C60_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF11N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1656 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF11N60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 37.9W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 37.9W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 37nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF11N60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF11N62Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 620V 11A TO220-3F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF11N62LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 620V 11A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF11N70Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF11N70Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 11A TO220-3F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF11N70ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.87Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37.5nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+52.57 грн
25+47.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF11N70_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF11S60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF11S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF11S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF11S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF11S60_900Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH TO220
Part Status: Obsolete
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF11S65LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF11S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.10 грн
50+102.54 грн
100+92.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF125A60FDLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF125A60FDLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: LINEAR IC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF125A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220F
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2993 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N30Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 11.5A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N50Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N50Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N50LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N50_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N50_007Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N60ALPHA&OMEGATransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N60 TAOTF12n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+63.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N60Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N60
Код товару: 129208
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+133.04 грн
5+88.72 грн
10+79.60 грн
25+75.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N60Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+70.03 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N60FDAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N60FDALPHA&OMEGATransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 650mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N60FD TAOTF12n60fd
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+63.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N60FD_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V TO220F
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.88 грн
50+86.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N60_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N65Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N65Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+83.65 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N65ALPHA&OMEGATransistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 720mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N65 TAOTF12n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+82.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N65Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+89.91 грн
1000+74.07 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N65Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N65AAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12T50PAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12T50PLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12T60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1954 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12T60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1954 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12T60PAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2028 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12T60PLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2028 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF13N50
Код товару: 180939
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF13N50ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 510mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.7nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 548 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.65 грн
6+78.77 грн
25+69.65 грн
100+63.01 грн
500+58.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF13N50Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF13N50Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF13N50LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V
Part Status: Last Time Buy
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF13N50_002Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Part Status: Last Time Buy
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF14N50Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2297 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF14N50Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
879+94.98 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF14N50FDAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF14N50LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2297 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF14N50_002Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH TO220
Part Status: Obsolete
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Packaging: Tube
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF15B60DAOSIGBT 600V 30A 50W TO220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF15B60DAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 600V 30A TO-220F
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/73ns
Supplier Device Package: TO-220F
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr): 196 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Power - Max: 50 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Not For New Designs
Gate Charge: 25.4 nC
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Switching Energy: 420µJ (on), 110µJ (off)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF15B60DALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 25W; TO220F; Eoff: 0.11mJ; Eon: 0.42mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 83ns
Turn-off switching energy: 0.11mJ
Turn-on switching energy: 0.42mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.6V
Turn-on time: 40ns
на замовлення 392 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.94 грн
5+130.17 грн
25+118.56 грн
100+109.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF15B60D2Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 600V 23A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/72ns
Switching Energy: 260µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 17.4 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 42 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF15B60D2AOSIGBT 600 V 23 A 42 W Through Hole TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]