Продукція > APT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APT12M80B | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 335W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT12MMCLR | PRO POWER | Description: PRO POWER - APT12MMCLR - PACKAGING TAPE PP 12MM X 66M tariffCode: 39191080 productTraceability: No rohsCompliant: NA euEccn: NLR Rollenlänge - imperial: 216ft isCanonical: Y hazardous: false Bandbreite - Imperial: 0.47" rohsPhthalatesCompliant: NA Rollenlänge - metrisch: 66m Bandbreite - Metrisch: 12mm usEccn: EAR99 Klebebandfarbe: Transparent Produktpalette: Pro Power - Clear Packaging Tapes SVHC: To Be Advised | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003DHZTR-G1 | Diodes Incorporated | Description: IC TRANSISTOR HIGH VOLT TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003DI-G1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 450V 1.5A TO-251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-251 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 24 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003DI-G1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 450V 1.5A TO-251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-251 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 24 W | на замовлення 1385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| APT13003DI-G1 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 24W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003DU-E1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN DARL 450V 1.5A TO-126 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 1.1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003DU-G1 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 20W | на замовлення 2824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003DU-G1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 450V 1.5A TO-126 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 20 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003DZTR-G1 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 250V NPN High Volt 700Vces 450Vceo 1.1W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003DZTR-G1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 450V 1.5A TO-92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 1.1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003EU-E1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 465V 1.5A TO-126 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 300mA, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 465 V Power - Max: 1.1 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003EU-G1 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 465V 1.5A 3-Pin TO-126 Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003EU-G1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 465V 1.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 465 V Power - Max: 20 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003EU-G1 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 465V 20W | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003EZTR-G1 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 465V NPN High Volt 700Vces 450Vceo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003EZTR-G1 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 465V 1.5A 1100mW 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003EZTR-G1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 465V 1.5A TO-92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 465 V Power - Max: 1.1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003HU-G1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 465V 1.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 465 V Power - Max: 20 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003HU-G1 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 465V 20W | на замовлення 3635 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003HZTR-G1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 465V 1.5A TO-92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 465 V Power - Max: 1.1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003HZTR-G1 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 465V NPN High Volt 700Vces 450Vceo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003HZTR-G1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 465V 1.5A TO-92 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 465 V Power - Max: 1.1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003LZTR-G1 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 465V NPN High Volt 700Vces 450Vceo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003LZTR-G1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 450V 0.8A TO-92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 200mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 300mA, 10V Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003NZTR-G1 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - APT13003NZTR-G1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 530 V, 1.5 A, 1 W, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 530V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| APT13003NZTR-G1 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 530V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003NZTR-G1 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 530V NPN HV Trans 900Vces 10Vebo 1.5A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003NZTR-G1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 900V 1.5A TO-92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003NZTR-G1 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 530V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003SU-E1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 450V 1.3A TO126 Power - Max: 1.1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-126 Frequency - Transition: 4MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 250mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003SU-G1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 450V 1.3A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 250mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 20 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003SU-G1 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 20W | на замовлення 3961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003SZTR-G1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 450V 1.3A TO-92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 250mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 1.1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003SZTR-G1 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 465V NPN High Volt 700Vces 450Vceo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003XZTR-E1 | Diodes Incorporated | Description: IC TRANSISTOR HIGH VOLT TO92 Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003XZTR-E1 | Diodes Incorporated | Diodes Inc. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003XZTR-G1 | Diodes Incorporated | Diodes Inc. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13003XZTR-G1 | Diodes Incorporated | Description: IC TRANSISTOR HIGH VOLT TO92 Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13005DI-G1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 450V 4A TO-251 Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 1A, 4A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-251 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 25 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13005DI-G1 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt PWR Trans 450BVceo | на замовлення 178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13005DT-G1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 450V 4A TO-220-3 Packaging: Box Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 1A, 4A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13005DT-G1 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt PWR Trans 450BVceo | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13005DTF-G1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 450V 4A TO-220F-3 Packaging: Box Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 1A, 4A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 28 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13005DTF-G1 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt PWR Trans 450BVceo | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| APT13005SI-G1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 450V 3.2A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 750mA, 3A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-251 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 25 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13005SI-G1 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt 700Vces 450Vceo 3.2A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13005STF-G1 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 28W | на замовлення 149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13005STF-G1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 450V 3.2A ITO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 750mA, 3A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: ITO-220AB Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 28 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13005SU-G1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 450V 3.2A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 750mA, 3A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 20 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13005SU-G1 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt 700Vces 450Vceo 3.2A | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13005T-G1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 450V 4A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 1A, 4A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13005T-G1 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt 700Vces 450Vceo 3.2A | на замовлення 513 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13005TF-G1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 450V 4A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 1A, 4A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 28 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13005TF-G1 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt 700Vces 450Vceo 3.2A | на замовлення 935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT130SM70B | Microsemi Corporation | Description: SICFET N-CH 700V 110A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 60A, 20V Power Dissipation (Max): 556W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 700 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT130SM70B | Microchip / Microsemi | Microchip Technology | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT130SM70J | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V SOT227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT130SM70S | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V D3PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13F120B | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1200V 14A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4765 pF @ 25 V | на замовлення 181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| APT13F120B | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS8 1200 V 13 A TO-247 | на замовлення 212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| APT13F120B | Microsemi | (MFET,N-CH,1200V,13A,TO-247) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13F120B | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13F120B | MICROSEMI | TO247/N-CHANNEL POWER FREDFET - MOS8 APT13F120 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13F120S | MICROSEMI | D3PAK/13 A, 1200 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APT13F120 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13F120S | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13F120S | Microchip Technology | MOSFET FG, FREDFET, 1200V, TO-268 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13GP120B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| APT13GP120BDF1 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| APT13GP120BDQ1G | Microchip Technology | Description: IGBT PT 1200V 41A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 9ns/28ns Switching Energy: 115µJ (on), 165µJ (off) Test Condition: 600V, 13A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 55 nC Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 250 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13GP120BDQ1G | Microchip / Microsemi | IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13GP120BDQ1G | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 13 A TO-247 | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| APT13GP120BG | Microchip / Microsemi | IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13GP120BG | Microchip Technology | Description: IGBT PT 1200V 41A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 9ns/28ns Switching Energy: 115µJ (on), 165µJ (off) Test Condition: 600V, 13A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 55 nC Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 250 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13GP120BG | MICROSEMI | TO-247/41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT APT13GP120 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT13GP120BG | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 13 A TO-247 | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| APT13GP120BSC | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| APT13GP120K | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| APT13GP120KG | Microsemi Corporation | Description: IGBT 1200V 41A 250W TO220 Power - Max: 250 W Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 55 nC Test Condition: 600V, 13A, 5Ohm, 15V Switching Energy: 114µJ (on), 165µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 9ns/28ns IGBT Type: PT Supplier Device Package: TO-220 [K] Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT14050JVFR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| APT14050JVFR | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT14050JVFRX | WL | на замовлення 96 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| APT14050JVRX | WL | на замовлення 166 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| APT14F100B | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS 8 1000 V 14 A TO-247 | на замовлення 1512 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| APT14F100B | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 25 V | на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| APT14F100S | Microchip Technology | MOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-268 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT14F100S | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D3Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT14F100S | Microsemi | MOSFET Power FREDFET - MOS8 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT14M100B | Microchip Technology | MOSFET FG, MOSFET, 1000V, TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT14M100B | MICROSEMI | TO-247/14 A, 1000 V, 0.88 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT14M100 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT14M100B | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-247 [B] Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT14M100S | MICROSEMI | D3PAK/14 A, 1000 V, 0.88 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT14M100 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT14M100S | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D3Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 880mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT14M100S | Microsemi | MOSFET Power MOSFET - MOS8 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT14M100S | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET MOS8 1000 V 14 A TO-268 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT14M120B | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET MOS8 1200 V 14 A TO-247 | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| APT14M120B | MICROSEMI | TO-247 [B] кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT14M120B | Microsemi | MOSFET Power MOSFET - MOS8 | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT14M120B | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1200V 14A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4765 pF @ 25 V | на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| APT14M120S | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET MOS8 1200 V 14 A TO-268 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |