Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN2019UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 780mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.30 грн
5000+9.15 грн
7500+8.74 грн
12500+7.73 грн
17500+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2019UTS-13Diodes2 N-Channel , 20V, TSSOP-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET,N-CHANNEL
на замовлення 28731 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.90 грн
6000+8.22 грн
9000+7.39 грн
30000+6.84 грн
75000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7DiodesMOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
490+28.90 грн
786+18.00 грн
819+17.27 грн
854+15.98 грн
1473+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.97 грн
24+32.28 грн
27+28.90 грн
100+17.36 грн
250+15.42 грн
500+14.20 грн
1000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V
на замовлення 90541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
13+24.61 грн
100+14.79 грн
500+12.85 грн
1000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V
на замовлення 1146000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.35 грн
6000+9.69 грн
9000+8.81 грн
15000+8.24 грн
21000+7.95 грн
30000+7.81 грн
75000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUFDFN
на замовлення 1148299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.11 грн
12+27.02 грн
100+18.41 грн
500+13.10 грн
1000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020UFCL-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh FET 0.61W 1788pF 21.5nC
на замовлення 6716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UCA4-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V X4-DSN1717-4 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UCA4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1717-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1438pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 4V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA
Supplier Device Package: X4-DSN1717-4
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.86 грн
6000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UCA4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1717-4 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UDH-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin VQFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UDH-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UDH-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin VQFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UDH-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UDH-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V 24V V-DFN3030-8
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.89 грн
30000+8.37 грн
50000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.17 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2022UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.03W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 46979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
13+24.53 грн
100+14.67 грн
500+12.75 грн
1000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2022UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.03W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UNS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UNS-13Diodes IncorporatedMOSFET Dual N-Ch Enh FET 20V 10Vgss 1.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UNS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
10+36.53 грн
100+25.29 грн
500+19.83 грн
1000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UNS-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UNS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.64 грн
6000+15.18 грн
10000+14.05 грн
50000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UNS-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch Enh FET 20V 10Vgss 1.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UNS-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023LSDDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.79 грн
15000+22.65 грн
30000+21.07 грн
45000+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch 24Vds 12Vgs 6.0A Enh FET 2564pF
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+41.36 грн
100+26.97 грн
500+19.52 грн
1000+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4.8A; Idm: 20A; 1.45W
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.45W
Case: X1-WLB1818-4
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024LCA4-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V X4-DSN1313-4 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024LCA4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1313-4 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024LCA4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1313-
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.40 грн
6000+9.37 грн
15000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
13+23.32 грн
100+11.77 грн
500+9.79 грн
1000+7.62 грн
2000+6.82 грн
5000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.53 грн
30000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.90 грн
9000+7.88 грн
24000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
на замовлення 41121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.11 грн
12+25.66 грн
25+21.35 грн
50+17.50 грн
100+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.14 грн
9000+7.20 грн
24000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET
на замовлення 7868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.70 грн
9000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 432000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7-MLMOSLEADERDescription: N 20V 6.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.58 грн
3000+3.14 грн
6000+3.04 грн
15000+2.75 грн
30000+2.65 грн
75000+2.41 грн
150000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UDH-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UDH-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UDH-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 950mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.03 грн
6000+12.82 грн
9000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UDH-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.6A; Idm: 40A; 1.67W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 14.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.67W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.1 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
на замовлення 22690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
14+22.49 грн
100+14.34 грн
500+10.14 грн
1000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-7Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.27 грн
6000+7.25 грн
9000+6.89 грн
15000+6.09 грн
21000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.1 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-7Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFU-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A/21A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 810mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFU-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2030-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFU-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 21 A, 21 A, 0.0202 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 810mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 810mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A/21A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 810mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.10 грн
6000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFU-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2030-6 T&R 3K
на замовлення 5969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFU-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 21 A, 21 A, 0.0202 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 810mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 810mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFU-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFX-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V V-DFN2050-4 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFX-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UFX-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 920mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN2050
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 920mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFX-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UFX-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 920mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN2050
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 920mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFX-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A 4VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 920mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]