Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN2015UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439 pF @ 10 V
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.67 грн
6000+9.40 грн
9000+8.96 грн
15000+7.94 грн
21000+7.66 грн
30000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.95 грн
10+31.91 грн
100+17.88 грн
500+13.60 грн
1000+12.15 грн
3000+10.42 грн
6000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 6800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.86 грн
500+13.54 грн
1000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439 pF @ 10 V
на замовлення 194767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.37 грн
11+28.19 грн
100+18.13 грн
500+12.93 грн
1000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8DFN
на замовлення 80900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+40.46 грн
100+26.33 грн
500+19.00 грн
1000+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LFG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET N-CHANNEL DFN DFN3030-8 GREEN 3K
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.92 грн
10+40.33 грн
100+25.13 грн
500+19.61 грн
1000+15.95 грн
3000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8DFN
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.40 грн
6000+14.54 грн
9000+13.90 грн
15000+12.37 грн
21000+11.97 грн
30000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LHAB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.24 грн
10+39.26 грн
100+25.55 грн
500+18.42 грн
1000+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LHAB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LHAB-7Diodes IncorporatedMOSFET DUAL N-CH MOSFET 20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UFX-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UFX-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 9.9A 4VDFN
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Power - Max: 1.07W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.58A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 117727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+35.22 грн
100+20.99 грн
500+15.74 грн
1000+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2016UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.58 A, 8.58 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.58A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 880mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 880mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.76 грн
24+34.15 грн
100+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.58A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.48 грн
5000+11.87 грн
7500+11.61 грн
12500+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2016UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.58 A, 8.58 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.58A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 880mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 880mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.60 грн
10+37.79 грн
100+13.81 грн
500+12.50 грн
1000+11.67 грн
2500+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2019UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2019UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 780mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 780mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.16 грн
33+24.81 грн
100+16.83 грн
500+12.27 грн
1000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2019UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 780mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 21429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.04 грн
12+26.92 грн
100+17.28 грн
500+12.30 грн
1000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2019UTS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 24V TSSOP-8 T&R 2.5
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.96 грн
13+25.25 грн
100+16.43 грн
500+12.91 грн
1000+10.01 грн
2500+8.49 грн
10000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2019UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2019UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 780mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 780mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.83 грн
500+12.27 грн
1000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2019UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 780mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.20 грн
5000+9.06 грн
7500+8.66 грн
12500+7.66 грн
17500+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2019UTS-13Diodes2 N-Channel , 20V, TSSOP-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET,N-CHANNEL
на замовлення 28731 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
7+47.76 грн
12+27.31 грн
100+15.53 грн
500+12.08 грн
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.06 грн
24+32.36 грн
27+28.96 грн
100+17.40 грн
250+15.46 грн
500+14.23 грн
1000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.08 грн
27+30.20 грн
100+19.01 грн
500+13.76 грн
1000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7DiodesMOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.82 грн
6000+8.14 грн
9000+7.33 грн
30000+6.77 грн
75000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.01 грн
500+13.76 грн
1000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V
на замовлення 90541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
13+24.38 грн
100+14.65 грн
500+12.73 грн
1000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
490+28.96 грн
786+18.04 грн
819+17.31 грн
854+16.01 грн
1473+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V
на замовлення 1146000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.25 грн
6000+9.60 грн
9000+8.73 грн
15000+8.16 грн
21000+7.87 грн
30000+7.74 грн
75000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUFDFN
на замовлення 1148299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.71 грн
12+26.77 грн
100+18.24 грн
500+12.98 грн
1000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020UFCL-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh FET 0.61W 1788pF 21.5nC
на замовлення 6716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.39 грн
12+28.02 грн
100+15.60 грн
500+11.87 грн
1000+10.63 грн
3000+9.53 грн
6000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UCA4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1717-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1438pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 4V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA
Supplier Device Package: X4-DSN1717-4
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.71 грн
6000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UCA4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1717-4 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UCA4-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V X4-DSN1717-4 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UDH-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin VQFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UDH-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UDH-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UDH-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin VQFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UDH-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V 24V V-DFN3030-8
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.81 грн
30000+8.29 грн
50000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2022UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.09 грн
500+9.95 грн
1000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2022UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+28.99 грн
37+21.99 грн
100+14.09 грн
500+9.95 грн
1000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 46979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
13+24.31 грн
100+14.54 грн
500+12.63 грн
1000+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.24 грн
10+36.20 грн
100+19.88 грн
500+14.84 грн
1000+13.25 грн
3000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UNS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UNS-13Diodes IncorporatedMOSFET Dual N-Ch Enh FET 20V 10Vgss 1.2W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UNS-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UNS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.49 грн
10+36.20 грн
100+25.06 грн
500+19.65 грн
1000+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UNS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.48 грн
6000+15.04 грн
10000+13.92 грн
50000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UNS-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch Enh FET 20V 10Vgss 1.2W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UNS-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023LSDDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch 24Vds 12Vgs 6.0A Enh FET 2564pF
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.80 грн
10+43.27 грн
100+25.27 грн
500+19.67 грн
1000+17.81 грн
3000+15.39 грн
6000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+40.98 грн
100+26.72 грн
500+19.34 грн
1000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.84 грн
15000+22.70 грн
30000+21.12 грн
45000+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4.8A; Idm: 20A; 1.45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.45W
Case: X1-WLB1818-4
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024LCA4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1313-4 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024LCA4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1313-
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.31 грн
6000+9.29 грн
15000+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024LCA4-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V X4-DSN1313-4 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.47 грн
30000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
13+23.11 грн
100+11.67 грн
500+9.70 грн
1000+7.55 грн
2000+6.76 грн
5000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
16+18.85 грн
100+11.97 грн
500+8.41 грн
1000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 432000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET
на замовлення 7868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.20 грн
15+21.59 грн
100+8.91 грн
1000+7.80 грн
3000+6.90 грн
9000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.92 грн
9000+7.90 грн
24000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.16 грн
9000+7.22 грн
24000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7-MLMOSLEADERDescription: N 20V 6.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.55 грн
3000+3.11 грн
6000+3.01 грн
15000+2.73 грн
30000+2.63 грн
75000+2.39 грн
150000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UDH-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 950mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.90 грн
6000+12.71 грн
9000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UDH-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UDH-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]