Продукція > NTE
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTE2325 | NTE Electronics, Inc. | Trans GP BJT NPN 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2327 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN 450V 500MA TO126 | на замовлення 313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2328 | NTE Electronics, Inc. | Trans GP BJT NPN 200V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2329 | NTE Electronics, Inc. | Trans GP BJT PNP 200V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2329 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS PNP 200V 15A TO3PBL Frequency - Transition: 25MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Bag Power - Max: 150 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3PBL | на замовлення 608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2329 | NTE Electronics, Inc. | Trans GP BJT PNP 200V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2329 | NTE Electronics | Транзистор PNP, Uceo, В = 200, Ic = 15 А, ft, МГц = 25, hFE = 160, Icutoff-max = 5 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3 @ 1 АБ 10 А, Р, Вт = 150, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-3P-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE233 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN 30V 100MA TO92 | на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2330 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN 55V 4A TO3P | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2331 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN 800V 6A TO3PML Packaging: Bag Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 1A, 5V Supplier Device Package: TO-3PML Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 60 W | на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2331 | NTE ELECTRONICS | Description: NTE ELECTRONICS - NTE2331 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800V Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 10 Verlustleistung Pd: 60 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3PML Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 800 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 6 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2332 | NTE Electronics, Inc | Description: T-SI NPN DARLINGTON | на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2333 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN 450V 6A TO220 Packaging: Bag Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 14MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 100 W | на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2333 | NTE Electronics, Inc. | Trans GP BJT NPN 450V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2333 | NTE ELECTRONICS | Description: NTE ELECTRONICS - NTE2333 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 450V, TO-220 Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 32 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 15 Verlustleistung: 100 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 14 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2334 | NTE Electronics, Inc | Description: T-SI NPN DARLINGTON | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2335 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN 60V 5A TO3P | на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2337 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN 500V 7A TO220 Packaging: Bag Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 20MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 2 W | на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2337 | NTE Electronics | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 500V; 7A; 45W; TO220FP Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 500V Collector current: 7A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Mounting: THT Frequency: 20MHz | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2339 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN 800V 3A TO220 Packaging: Bag Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 30 W | на замовлення 514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE234 | NTE Electronics, Inc. | Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2340 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN DARL 60V 8A 3SIP Power - Max: 1.3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Part Status: Active Supplier Device Package: 3-SIP Frequency - Transition: 20MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 4A, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 8mA, 4A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: 3-SIP Packaging: Bag | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2341 | NTE Electronics, Inc. | Trans Darlington NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2341 | NTE | Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 80В; 1А; 1Вт; TO92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2341 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN DARL 80V 1A TO92 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2342 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS PNP DARL 80V 1A TO92 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-92 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bag | на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2343 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN DARL 120V 12A TO220 Packaging: Bag Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 80 W | на замовлення 2537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2343 | NTE Electronics, Inc. | Trans Darlington NPN 120V 12A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2343 | NTE ELECTRONICS | Description: NTE ELECTRONICS - NTE2343 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, TO-220 Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 12 Verlustleistung: 80 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2343 | NTE Electronics, Inc. | Trans Darlington NPN 120V 12A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2344 | NTE ELECTRONICS | Description: NTE ELECTRONICS - NTE2344 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -120V Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Verlustleistung Pd: 80 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 12 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2344 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS PNP DARL 120V 12A TO220 Power - Max: 80 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bag | на замовлення 427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2344 | NTE Electronics, Inc. | Trans Darlington PNP 120V 12A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2344 | NTE | Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 120В, 12А, 80Вт, TO220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2345 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN DARL 120V 6A SOT82 Power - Max: 60 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-82 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 500µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: SOT-82 Packaging: Bag | на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2345 | NTE Electronics, Inc. | Trans Darlington NPN 120V 6A 60000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-82 | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2347 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN 80V 5A TO39 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-39 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A Operating Temperature: 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bag | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2348 | NTE Electronics, Inc. | Trans GP BJT NPN 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-3P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2348 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN 800V 12A TO3P Power - Max: 150 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3P Frequency - Transition: 15MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 800mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.2mA, 6A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Bag | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2348 | NTE ELECTRONICS | Description: NTE ELECTRONICS - NTE2348 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800V Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 10 Verlustleistung Pd: 150 Übergangsfrequenz ft: 15 Bauform - Transistor: TO-3P Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 800 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 12 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2349 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN DARL 120V 50A TO3 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 2mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bag Power - Max: 300 W | на замовлення 486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2349 Код товару: 190903
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NTE2349 | NTE ELECTRONICS | Description: NTE ELECTRONICS - NTE2349 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 120V, TO-3 Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2349 | NTE Electronics, Inc. | Trans Darlington NPN 120V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE235 | NTE Electronics, Inc. | Trans RF BJT NPN 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE235 | NTE Electronics, Inc | Description: RF TRANS NPN 75V 150MHZ TO220 | на замовлення 4511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2350 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS PNP 120V 50A TO3 | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2350 Код товару: 190902
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NTE2350 | NTE Electronics, Inc. | Trans Darlington PNP 120V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2351 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN 80V 4A 3SIP | на замовлення 859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2353 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN 800V 10A TO3PML Packaging: Bag Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 1.6A, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 1A, 5V Supplier Device Package: TO-3PML Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 70 W | на замовлення 101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2354 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN 800V 10A TO3P Packaging: Bag Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 1A, 5V Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 150 W | на замовлення 1084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2354 | NTE | TO218, NPN аналог BUH1215 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2355 | NTE Electronics, Inc. | Trans Digital BJT NPN 50V 200mA 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2355 | NTE Electronics, Inc | Description: T-NPN SI W/10K RESISTOR Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-92S Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2355 | NTE ELECTRONICS | Description: NTE ELECTRONICS - NTE2355 - PRE-BIASED DIG TRANSISTOR, 50V, TO-92 Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 50 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 300 Übergangsfrequenz ft: 250 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2356 | NTE Electronics, Inc. | Trans Digital BJT PNP 50V 200mA 3-Pin TO-92 | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2356 | NTE Electronics, Inc | Description: T-PNP SI W/10K RESISTOR | на замовлення 481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2356 | NTE Electronics, Inc. | Trans Digital BJT PNP 50V 200mA 3-Pin TO-92 | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2357 | NTE Electronics, Inc. | Trans Digital BJT NPN 50V 200mA 3-Pin TO-92 | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2357 | NTE Electronics, Inc | Description: T-NPN SI W/22K RESISTOR Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-92S Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2358 | NTE Electronics | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 22kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 200MHz Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ | на замовлення 29 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2358 | NTE Electronics, Inc. | Trans Digital BJT PNP 50V 200mA 3-Pin TO-92 | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2359 | NTE Electronics, Inc | Description: T-NPN SI W/47K RESISTOR Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-92S Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE236 | NTE Electronics, Inc | Description: RF TRANS NPN 25V TO220 Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 12V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V Current - Collector (Ic) (Max): 6A Power - Max: 1.7W Gain: 12dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bag | на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE236 | NTE Electronics, Inc. | Trans RF BJT NPN 25V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE236 | NTE ELECTRONICS | Description: NTE ELECTRONICS - NTE236 - RF BJT, NPN, 25V, 6A, 27MHZ, TO-220AB Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180 DC-Stromverstärkung hFE: 180 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6 Verlustleistung Pd: 18 Verlustleistung: 18 Bauform - Transistor: TO-220AB Bauform - HF-Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 6 Übergangsfrequenz: 27 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE236 | NTE Electronics, Inc. | Trans RF BJT NPN 25V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2360 | NTE Electronics | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 47kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 200MHz Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | на замовлення 103 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2361 | NTE Electronics, Inc. | Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2361 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN 50V 500MA TO92S | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2362 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS PNP 50V 500MA TO92S | на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2363 | NTE Electronics, Inc. | Trans GP BJT NPN 50V 4A 3-Pin | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2363 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN 50V 2A TO92L | на замовлення 331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2364 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS PNP 50V 2A TO92L | на замовлення 1205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2365 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN 800V 15A TO3PBL Packaging: Bag Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 2.5A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 1A, 5V Supplier Device Package: TO-3PBL Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 180 W | на замовлення 364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2365 | NTE Electronics, Inc. | Trans GP BJT NPN 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2366 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS PNP 300V 0.1A TO92L Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-92L Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2367 | NTE Electronics, Inc | Description: T-NPN SI DIGITAL 4.7K Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-92S Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 1889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2369 | NTE Electronics, Inc | Description: T-NPN SI DIGITAL 4.7K/47K Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-92S Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE237 | NTE Electronics, Inc | Description: RF TRANS NPN 60V 300MHZ TO39 | на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2370 | NTE Electronics, Inc | Description: T-PNP SI DIGITAL 4.7K/47K Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-92S Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2371 | NTE Electronics | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 150W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement | на замовлення 9 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2371 | NTE Electronics, Inc | Description: MOSFET P-CHANNEL 100V 19A TO220 Packaging: Bag Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2372 | NTE Electronics, Inc | Description: MOSFET P-CHANNEL 200V 3.5A TO220 | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2373 | NTE Electronics, Inc. | Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2373 | NTE Electronics, Inc | Description: MOSFET P-CHANNEL 200V 11A TO220 Packaging: Bag Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2374 | NTE Electronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2374 | NTE Electronics, Inc | Description: MOSFET N-CHANNEL 200V 18A TO220 | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2374 | NTE Electronics, Inc. | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2375 | NTE Electronics, Inc | Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 41A TO247 Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2376 | NTE Electronics, Inc. | Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2376 | NTE Electronics, Inc | Description: MOSFET N-CHANNEL 200V 30A TO247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bag Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V | на замовлення 1808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2377 | NTE | N-MOSFET; полевой; 900В; 8А; Idm: 36А; 150Вт; TO3P (аналог 2SK1358) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2378 | NTE Electronics, Inc | Description: MOSFET N-CHANNEL 900V 5A TO3P Packaging: Bag Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V | на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE2379 | NTE Electronics, Inc | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6.2A TO220 Packaging: Bag Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTE238 | NTE ELECTRONICS | Description: NTE ELECTRONICS - NTE238 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 750V, TO-3 Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 8 Verlustleistung Pd: 100 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE238 | NTE Electronics, Inc. | Trans GP BJT NPN 750V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2380 | NTE Electronics, Inc | Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 2.5A TO220 | на замовлення 1578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTE2380 | NTE Electronics, Inc. | Trans MOSFET N-CH Si 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

