НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STF20NF20STTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STF20NF20 TSTF20NF20
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
15+55.46 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF20NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.44 грн
107+133.18 грн
122+116.45 грн
200+107.06 грн
500+98.92 грн
1000+87.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF20NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 17A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF20NK50ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V SUPERMESH Zener SuperMESH 17A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF20NK50Z
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF20NK50Z-HSTMicroelectronicsMOSFET Power MOSFETs, N-Channel (>400V to 650V), POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF20NM50
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF20NM50D
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF20NM50DSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF20NM50FDST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF20NM50N
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF20NM60A
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF20NM60DSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF20NM60DSTMTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF20NM60DSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF20NM60N
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF20NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF21N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF21N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF21N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 17A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.29 грн
50+208.32 грн
100+190.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF21N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 10.7A; 30W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.7A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 179mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+382.94 грн
10+226.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF21N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF21N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+583.97 грн
10+516.12 грн
25+405.12 грн
100+360.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+584.78 грн
28+516.83 грн
35+405.68 грн
100+361.08 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF21N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
на замовлення 1723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF21N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 18.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 100 V
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+569.83 грн
10+372.11 грн
50+296.74 грн
100+255.73 грн
500+215.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF21N90K5STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+806.18 грн
25+586.96 грн
50+572.81 грн
100+518.26 грн
200+452.51 грн
500+424.30 грн
1000+398.04 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF21N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF21N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 18.5 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF21NK90ZSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF21NM50A
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF21NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF21NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 V 0.15 Ohm 18 A 2nd Gen MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF21NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF21NM50NSTMN-кан. MOSFET 550V, 18A, 0.15 Ом, 214Вт, TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF21NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF21NM60
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF21NM60N
Код товару: 118076
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF21NM60N
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF21NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 V 0.18 Ohm 16 A 2nd Gen MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF21NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF21NM60NDSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF21NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 600V-0.17ohms FDMesh 17A
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF21NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF21P6LLF6STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF22N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF22N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF22N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 200 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in TO-220FP package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF22N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+127.21 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF22N60DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 43A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF22N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+127.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF22N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 196 mOhm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF22N60M6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF22N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF22N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 30W
Technology: MDmesh™ M6
Kind of package: tube
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+231.21 грн
5+177.79 грн
10+166.89 грн
50+149.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF22N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF22NM60
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF22NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF22NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF22NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+301.66 грн
10+187.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF22NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+574.54 грн
10+376.26 грн
50+300.45 грн
100+259.08 грн
500+219.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF22NM60NSTMMOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF22NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF22NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V 0.190 16A MDmesh
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF22NM60N
Код товару: 171989
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF22NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF22NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF23N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF23N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF23N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 16A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.37 грн
10+282.29 грн
50+222.78 грн
100+191.10 грн
500+159.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF23N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF23N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF23NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 17A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF23NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF23NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF23NM50NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 11A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ II
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF23NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF23NM60N
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF23NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 600V Power MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF23NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 19A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF23NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 19.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF23NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600V; 19.5A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
300+130.06 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF23NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 600V-0.15ohms FDMesh 20A
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 100 V
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.23 грн
10+182.96 грн
50+141.90 грн
100+120.75 грн
500+98.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+250.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60DM2 транзистор
Код товару: 204287
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+283.82 грн
89+160.08 грн
100+145.07 грн
500+110.24 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+157.33 грн
100+142.58 грн
500+113.49 грн
1000+106.85 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+254.98 грн
10+153.73 грн
100+140.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.23 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.52 грн
10+160.77 грн
50+124.07 грн
100+105.33 грн
500+85.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 164 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+163.54 грн
10+123.28 грн
50+98.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+284.99 грн
10+160.75 грн
100+145.68 грн
500+110.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M2STTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STF24N60M2 TSTF24n60m2
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+106.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+254.98 грн
93+153.73 грн
101+140.50 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+87.23 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF24N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.