Продукція > STG

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STGB18N40LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 420V 30A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 29 nC
Test Condition: 300V, 10A, 5V
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 150 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+59.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB18N40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 360V 30A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+84.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB18N40LZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB18N40LZT4 - IGBT, 30 A, 1.35 V, 150 W, 390 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 390V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+192.64 грн
10+124.37 грн
100+84.54 грн
500+63.10 грн
1000+54.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB18N40LZT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 30A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 30A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Application: automotive industry
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB18N40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 360V 30A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB18N40LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 420V 30A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 29 nC
Test Condition: 300V, 10A, 5V
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.28 грн
10+111.71 грн
100+76.65 грн
500+58.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB18N40LZT4STMicroelectronicsIGBTs EAS 180 mJ-400 V
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.70 грн
10+116.18 грн
100+69.53 грн
500+55.46 грн
1000+51.07 грн
2000+48.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19N40LZSTMicroelectronicsDescription: IGBT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19N40LZSTMicroelectronicsIGBT Transistors PTD IGBT & IPM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A 130W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 130 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4STMicroelectronicsIGBTs N Ch 600V 19A
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.36 грн
10+161.85 грн
100+98.24 грн
500+86.39 грн
1000+80.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 898 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+177.92 грн
10+88.06 грн
25+81.35 грн
50+77.16 грн
100+73.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+104.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A 130W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.63 грн
10+151.33 грн
100+105.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+104.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60KDSTMicroelectronicsIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+543.11 грн
50+370.56 грн
100+337.56 грн
200+268.22 грн
500+231.52 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 35A D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/105ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 125 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Part Status: Active
Gate Charge: 55 nC
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 165µJ (on), 255µJ (off)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60KDT4STMicroelectronicsIGBTs 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+404.80 грн
10+298.06 грн
100+188.81 грн
1000+160.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 35A D2PAK
Power - Max: 125 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Part Status: Active
Gate Charge: 55 nC
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 165µJ (on), 255µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/105ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+510.26 грн
10+331.50 грн
100+240.82 грн
500+189.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 35A 125W D2PAK
Power - Max: 125 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 55 nC
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 165µJ (on), 255µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/105ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60WT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A 130W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/90ns
Switching Energy: 81µJ (on), 125µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 130 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB2012-360PT
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42.5ns/177ns
Switching Energy: 209µJ (on), 261µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42.5ns/177ns
Switching Energy: 209µJ (on), 261µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20H60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.08 грн
500+165.05 грн
1000+54.00 грн
2000+50.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 215 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns
Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 147 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 147W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 215 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns
Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 147 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20H65FB2STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A 167W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns
Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 147 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20H65FB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns
Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.47 грн
10+118.43 грн
100+81.28 грн
500+61.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns
Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 166 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.95 грн
10+119.38 грн
100+71.07 грн
500+62.29 грн
1000+52.67 грн
2000+48.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20M65DF2STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20N40LZSTMicroelectronicsIGBT Transistors 390V IGBT EAS 300mJ Internally Clamped
на замовлення 952 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
2+190.21 грн
1000+91.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20N40LZSTMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 20A; 150W; D2PAK; ESD
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 24nC
Power dissipation: 150W
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 390V
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20N40LZSTMicroelectronicsDescription: IGBT 390V 25A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/4.3µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 24 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20N40LZSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 390V 25A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20N45LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20N45LZAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB20N45LZAG - IGBT, 25 A, 1.1 V, 150 W, 450 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.73 грн
500+81.52 грн
1000+66.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20N45LZAG
Код товару: 169666
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20N45LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 638000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+109.96 грн
2000+103.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20N45LZAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT 450V 25A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 26 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20N45LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20N45LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 638000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+109.96 грн
2000+103.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20N45LZAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB20N45LZAG - IGBT, 25 A, 1.1 V, 150 W, 450 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.22 грн
10+139.81 грн
100+96.73 грн
500+81.52 грн
1000+66.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20N45LZAGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20N45LZAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT 450V 25A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 26 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.33 грн
10+135.48 грн
100+94.03 грн
500+75.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB32LZ
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB32LZSTMicroelectronicsDescription: IGBT 375V 40A 150W I2PAK
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Gate Charge: 51 nC
Test Condition: 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V
Switching Energy: 11.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 2.3µs/11.5µs
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB32LZ-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB32LZT4
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB32LZT4
Код товару: 27025
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB37LZSTMicroelectronicsDescription: IGBT 425V 40A 200W D2PAK
Power - Max: 200 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 425 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Gate Charge: 51 nC
Test Condition: 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V
Switching Energy: 11.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 2.3µs/2µs
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB37LZSTMicroelectronicsIGBT Transistors N-Channel 20 Amp IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB37LZ
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB37LZT4STMicroelectronicsIGBT Transistors N-Ch Clamped 20 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB37LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 425V 40A 200W D2PAK
Power - Max: 200 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 425 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Gate Charge: 51 nC
Test Condition: 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V
Switching Energy: 11.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 2.3µs/2µs
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB37LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 375V 40A 200000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.84 грн
10+229.97 грн
25+226.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB37LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 425V 40A 200W D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 200 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 425 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Gate Charge: 51 nC
Test Condition: 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V
Switching Energy: 11.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 2.3µs/2µs
Supplier Device Package: D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB37LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 375V 40A 200000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.76 грн
10+246.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB41LZT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 20A; 200W; D2PAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB41LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB41LZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB20NB41LZT4 - IGBT, 40 A, 1.3 V, 200 W, 412 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 412V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+270.68 грн
10+177.20 грн
100+125.18 грн
500+103.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB41LZT4STMIGBT N-CHAN 40A CLAMP D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB41LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 442V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1µs/12.1µs
Switching Energy: 5mJ (on), 12.9mJ (off)
Test Condition: 320V, 20A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 442 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.44 грн
10+164.09 грн
100+115.12 грн
500+96.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB41LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB41LZT4STMicroelectronicsIGBTs N-Ch Clamped 20 Amp
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.93 грн
10+185.89 грн
100+113.57 грн
500+95.45 грн
1000+88.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB41LZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB20NB41LZT4 - IGBT, 40 A, 1.3 V, 200 W, 412 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.18 грн
500+103.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB41LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 442V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1µs/12.1µs
Switching Energy: 5mJ (on), 12.9mJ (off)
Test Condition: 320V, 20A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 442 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+90.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB41ZT4
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NC60VSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB20NC60V - IGBT, 60 A, 1.8 V, 200 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 200W
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 60A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NC60VSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 60A 200W D2PAK
Power - Max: 200 W
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 100 nC
Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NC60VSTMicroelectronicsIGBT Transistors 30 A 600V FAST IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NC60VSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB20NC60V - IGBT, 60 A, 1.8 V, 200 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.08 грн
10+118.68 грн
100+85.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NC60V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NC60VT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 60A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns
Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NC60VT4STMicroelectronicsIGBT Transistors 30 A 600V FAST IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A 167W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 167 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 116 nC
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20V60DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.46 грн
10+172.27 грн
25+140.74 грн
100+120.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A 167W D2PAK
Power - Max: 167 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 116 nC
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20V60FSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.82 грн
10+147.43 грн
25+121.23 грн
100+103.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A 167W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Gate Charge: 116 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A 167W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Gate Charge: 116 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB25N36LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 325V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB25N36LZAGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade 360 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB25N36LZAGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/7.4µs
Gate Charge: 25.7 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB25N40LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 400V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]