Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF7905PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7905TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.0174 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0174ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0174ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 7.8A/8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 8.9A
на замовлення 7593 шт:
термін постачання 280-289 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 7.8A/8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+30.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7905TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.0174 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0174ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0174ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905TRPBFIOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905TRPBF
Код товару: 111317
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7907TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+41.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 11A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.15 грн
8000+24.35 грн
12000+23.44 грн
20000+21.03 грн
28000+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.87 грн
8000+33.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7907TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+119.48 грн
182+77.90 грн
214+66.23 грн
500+52.53 грн
1000+46.03 грн
4000+37.01 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBFInfineonMOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.74 грн
8000+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 11A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 45797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.14 грн
10+64.99 грн
100+43.20 грн
500+31.75 грн
1000+28.92 грн
2000+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910IRSO-8
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910PBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910PBFInfineon / IRMOSFET 12V DUAL N-CH HEXFET 15mOhms 17nC
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910TR
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910TRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910TRInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910TRBF
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT DUAL NCh 12V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910TRPBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7910TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7910TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0115
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910TRPBFInfineonMOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7923TRPBFIOR
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7946TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 90A DIRECTFET MX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6852 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7946TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 90A DIRECTFET MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6852 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 198A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A DIRECTFET MX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6852 pF @ 25 V
на замовлення 58515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.47 грн
10+129.01 грн
100+89.22 грн
500+70.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 198A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+147.00 грн
109+130.54 грн
113+125.83 грн
200+120.20 грн
500+104.90 грн
1000+97.17 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 198A 1.5mOhm 141nC StrongIRFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A DIRECTFET MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6852 pF @ 25 V
на замовлення 57600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+63.44 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7946TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7946TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 1400 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7MS2907Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7MS2907Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7NA2907Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 75A 3-Pin SMD-2
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29391.44 грн
10+29278.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7NA2907Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7NA2907SCVInfineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7NA2907SCVInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 75A 3-Pin SMD-2
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+47992.84 грн
10+47821.90 грн
25+46141.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7Y1405CMInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7Y1405CMPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7Y1405CMSCXInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010International RectifierN-MOSFET HEXFET 80A 100V 260W 0.015Ω IRF8010 TIRF8010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+103.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010HRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.76 грн
25+42.05 грн
100+24.08 грн
500+20.32 грн
1000+15.04 грн
2500+13.87 грн
5000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+161.31 грн
5+85.35 грн
10+82.84 грн
50+76.98 грн
100+73.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
577+112.08 грн
Мінімальне замовлення: 577 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+187.60 грн
79+180.45 грн
100+174.32 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.31 грн
10+122.17 грн
50+120.95 грн
100+107.23 грн
500+95.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+137.59 грн
500+123.48 грн
1000+114.20 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBFInternational RectifierMOSFET N-Channel 100V 80A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 68066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+129.59 грн
121+116.79 грн
500+112.19 грн
1000+77.87 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF
Код товару: 25040
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 80 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,015 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3830/81
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+65.00 грн
10+59.00 грн
100+55.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 577 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 68066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.37 грн
10+129.89 грн
100+117.05 грн
500+108.43 грн
1000+72.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+187.60 грн
79+180.45 грн
100+174.32 грн
250+163.00 грн
500+146.82 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.38 грн
50+100.43 грн
100+90.49 грн
500+68.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+203.31 грн
116+122.17 грн
117+120.95 грн
127+107.23 грн
500+95.07 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010SPBFInternational RectifierTO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+102.46 грн
1600+94.90 грн
2400+93.45 грн
4000+88.72 грн
5600+81.47 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+83.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+287.76 грн
10+202.26 грн
100+125.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+287.76 грн
70+202.26 грн
113+125.25 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBFInternational RectifierN-CH 100V 80A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+102.69 грн
1600+95.11 грн
2400+93.67 грн
4000+88.91 грн
5600+81.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.31 грн
10+150.09 грн
100+104.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+164.64 грн
500+148.18 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF80701IOR01+
на замовлення 317 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF807D1IRF2001 SMD8
на замовлення 333 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF807D2IOR01+ SOP
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF807VD1IOR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF807VD1TRPBFIR0650NO
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF809IRSOP-8
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF809AVSI07+/08+ SOP8
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF810HARRISIRF810
на замовлення 93400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.32 грн
1000+52.86 грн
10000+47.13 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF810Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 8A
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 93400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+34.44 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113InfineonN-Channel 30 V 17.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]