Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF8306MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+124.18 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8308MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8308MTRPBFInternational RectifierDescription: TRENCH MOSFET - DIRECTFET MV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
на замовлення 10378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+112.16 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8308MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 6861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+158.29 грн
500+142.93 грн
1000+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8308MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8308MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 3517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+158.29 грн
500+142.93 грн
1000+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830A
Код товару: 63499
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 A
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+12.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830AIR
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 934 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+162.93 грн
5+133.64 грн
10+100.86 грн
50+70.60 грн
100+66.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.50 грн
2000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.25 грн
10+134.10 грн
100+90.78 грн
500+75.41 грн
1000+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.44 грн
2000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+183.90 грн
110+129.65 грн
117+121.72 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.60 грн
50+98.81 грн
100+89.03 грн
500+67.48 грн
1000+62.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 9756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+132.50 грн
109+131.18 грн
155+91.93 грн
500+69.73 грн
1000+58.87 грн
2000+53.57 грн
5000+51.81 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+161.01 грн
111+128.73 грн
122+116.69 грн
250+99.00 грн
500+83.28 грн
750+75.52 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF830APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 3892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.56 грн
10+102.65 грн
100+72.50 грн
500+52.42 грн
1000+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBFN-кан. MOSFET 500V, 5.0A, 1.4Ом, 100Вт, TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 9762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+132.84 грн
50+131.52 грн
100+92.16 грн
500+69.90 грн
1000+59.01 грн
2000+53.70 грн
5000+51.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 824 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+146.64 грн
10+88.42 грн
50+70.60 грн
100+64.05 грн
250+56.40 грн
500+51.19 грн
750+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.86 грн
10+99.57 грн
100+68.43 грн
500+52.23 грн
10000+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 2,9 A, Ptot, Вт = 100 W, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 1,4 Ом @ 3 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220-AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.86 грн
10+99.57 грн
100+53.00 грн
500+44.41 грн
1000+37.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.60 грн
50+98.81 грн
100+89.03 грн
500+67.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF830APBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF830A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.86 грн
10+101.02 грн
100+61.91 грн
500+48.11 грн
1000+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+54.11 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.44 грн
10+114.83 грн
100+81.00 грн
500+69.06 грн
2000+61.24 грн
5000+57.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBFIRF830ASPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF830ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.81 грн
10+108.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+54.24 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBFN-кан. MOSFET 500V, 5.0A, D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.31 грн
50+106.56 грн
100+96.15 грн
500+73.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 8316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.31 грн
10+138.89 грн
100+96.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.74 грн
10+131.69 грн
100+78.91 грн
500+64.24 грн
800+60.05 грн
2400+57.96 грн
4800+57.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.69 грн
38+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+76.65 грн
1600+68.60 грн
2400+65.95 грн
4000+59.09 грн
5600+58.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRPBFIR
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BONSEMIDescription: ONSEMI - IRF830B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
617+48.47 грн
Мінімальне замовлення: 617 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BON SemiconductorIRF830B
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+81.14 грн
500+73.03 грн
1000+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 9803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+57.42 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830Bonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BON SemiconductorIRF830B
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+81.14 грн
500+73.03 грн
1000+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BON SemiconductorIRF830B
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+81.14 грн
500+73.03 грн
1000+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BFairchild
на замовлення 10005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BON SemiconductorIRF830B
на замовлення 4519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+81.14 грн
500+73.03 грн
1000+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+10.92 грн
72+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.3A; Idm: 10A; 104W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF830BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.69 грн
18+46.52 грн
100+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBFVishay SemiconductorsMOSFETs 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.76 грн
10+55.33 грн
100+41.83 грн
500+34.77 грн
1000+30.72 грн
2500+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 500V 5.3A N-CH MOSFET
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.97 грн
10+81.10 грн
100+46.51 грн
500+37.57 грн
1000+31.91 грн
2000+29.89 грн
5000+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRF830BPBF. - MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
directShipCharge: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830LPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830NPBFIR
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.86 грн
10+78.50 грн
100+72.25 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBFN-кан. MOSFET 500V, 4.5A, 1.5Ом, 74Вт, TO-220AB Транзистори
на замовлення 45 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
8+42.21 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.32 грн
50+84.12 грн
100+75.59 грн
500+56.91 грн
1000+52.40 грн
2000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+73.43 грн
200+70.91 грн
205+69.19 грн
500+63.40 грн
1000+56.70 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF
Код товару: 163342
2 Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
Монтаж: THT
у наявності: 37 шт
  • 4 шт - склад
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+26.00 грн
10+23.40 грн
100+20.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+114.23 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 6409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.68 грн
10+78.05 грн
100+54.95 грн
500+44.55 грн
1000+39.87 грн
2000+37.29 грн
5000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.44 грн
10+92.87 грн
100+83.91 грн
500+59.61 грн
1000+53.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF
Код товару: 17846
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+14.40 грн
100+12.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+78.30 грн
197+72.06 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Pulsed drain current: 18A
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+103.19 грн
10+57.66 грн
30+49.84 грн
50+47.07 грн
100+45.30 грн
150+44.04 грн
500+40.43 грн
1000+38.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.90 грн
10+85.92 грн
100+54.95 грн
500+44.55 грн
1000+38.75 грн
2000+36.24 грн
5000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+75.59 грн
211+67.30 грн
500+60.04 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.32 грн
50+84.12 грн
100+75.59 грн
500+56.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF830PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 4.5A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.41 грн
11+79.51 грн
25+75.60 грн
50+66.42 грн
100+57.82 грн
500+49.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+75.59 грн
100+67.30 грн
500+60.04 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF/VISHAYVIAHAY08+;
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830RHARRISIRF830R
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+99.88 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830RHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830S
Код товару: 108365
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]