Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 100 102  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3K15ACT(TPL3)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT(TPL3)ToshibaMOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT(TPL3)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3FToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET
на замовлення 14509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 5949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3413+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 3413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 4746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
28+11.17 грн
100+6.94 грн
500+4.79 грн
1000+4.23 грн
2000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.99 грн
54+14.04 грн
55+13.89 грн
100+12.11 грн
250+10.03 грн
500+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 5949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5227+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 5227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 9120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1068+13.25 грн
1104+12.81 грн
2500+12.44 грн
5000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 1068 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 5920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 7465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2863+4.94 грн
2995+4.72 грн
3037+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 2863 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST-C T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST-C T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3FToshibaMOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
на замовлення 19939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 19996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
27+11.55 грн
100+7.16 грн
500+4.94 грн
1000+4.36 грн
2000+3.88 грн
5000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST-C T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3F(BToshibaSSM3K15ACTC,L3F(B
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1046+13.53 грн
1080+13.10 грн
2500+12.70 грн
5000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 1046 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15ACTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST-C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 9155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15ACTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 9155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFSToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.31 грн
6000+2.85 грн
9000+2.68 грн
15000+2.34 грн
21000+2.23 грн
30000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LFToshibaMOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
на замовлення 5582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 34239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.59 грн
100+5.97 грн
500+4.10 грн
1000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1946+7.27 грн
2014+7.02 грн
2500+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 1946 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 93356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1128+12.54 грн
1505+9.40 грн
2000+7.90 грн
3000+7.08 грн
6000+5.12 грн
12000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 1128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 6048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1128+12.54 грн
1505+9.40 грн
2000+7.90 грн
3000+7.08 грн
6000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 1128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFSLF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LFToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET
на замовлення 15078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.66 грн
50+6.87 грн
100+5.59 грн
500+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+17.17 грн
71+10.63 грн
72+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 11087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1684+8.40 грн
1741+8.13 грн
2500+7.89 грн
5000+7.40 грн
10000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 1684 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 630 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AFU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 34672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 94082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2159+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 2159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 21000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 21000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 150mW; SC70; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 12510 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
45+10.12 грн
140+3.09 грн
155+2.77 грн
500+2.44 грн
3000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AFU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 34922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.42 грн
24000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.55 грн
16000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3FToshibaMOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
на замовлення 15498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 89585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
27+11.47 грн
50+8.20 грн
100+6.68 грн
500+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.37 грн
16000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM
на замовлення 6850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2443+5.79 грн
2517+5.62 грн
5000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 2443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 35633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1087+13.01 грн
1729+8.18 грн
2000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 1087 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3F(TToshibaTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6Ohm; 100mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: SSM3K15AMFV,L3F; SSM3K15AMFV,L3F(B; SSM3K15AMFV,L3F(T; SSM3K15AMFV,L3F(T TSSM3k15amfv
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 145 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 35633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
на замовлення 13926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V
на замовлення 35111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.66 грн
50+6.87 грн
100+5.59 грн
500+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.29 грн
9000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F,LF(BToshibaSSM3K15F,LF(B
на замовлення 3142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1786 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15F,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 27004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2496+5.67 грн
3326+4.25 грн
3334+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 2496 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15F,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 27004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FSToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FS(DP)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FS(T5L.F.T)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FS(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FSLF(TToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FSTE85L
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FUTOSHIBA
на замовлення 201200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FU(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FVTOSHIBA2006
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FV(TPL3.Z)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15TETOSHIBASOT-423 0612+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15TE TE85L.F SOT416-DP PB-FREETOSHIBA
на замовлення 10174 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15TE(TE85L)TOSHIBASOT416-DP
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15TE(TE85L) SOT416-TOSHIBA
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15TE(TE85L) SOT416-DPTOSHIBA
на замовлення 74200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15TE(TE85L)SOT416-DPTOSHIBA
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15TETE85L.FSOT416-DPPB-FREETOSHIBA
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
на замовлення 3531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.04 грн
68+11.14 грн
69+11.03 грн
100+7.41 грн
250+6.85 грн
500+5.17 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 100 102  [ Наступна Сторінка >> ]