Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3K15F,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15F,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 27004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.62 грн
152+5.38 грн
500+3.59 грн
1500+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2496+5.67 грн
3326+4.25 грн
3334+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 2496 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15F,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 27004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+13.98 грн
95+8.62 грн
152+5.38 грн
500+3.59 грн
1500+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FSToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FS(DP)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FS(T5L.F.T)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FS(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FSLF(TToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FSTE85L
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FUTOSHIBA
на замовлення 201200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FU(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FVTOSHIBA2006
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FV(TPL3.Z)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15TETOSHIBASOT-423 0612+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15TE TE85L.F SOT416-DP PB-FREETOSHIBA
на замовлення 10174 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15TE(TE85L)TOSHIBASOT416-DP
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15TE(TE85L) SOT416-TOSHIBA
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15TE(TE85L) SOT416-DPTOSHIBA
на замовлення 74200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15TE(TE85L)SOT416-DPTOSHIBA
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15TETE85L.FSOT416-DPPB-FREETOSHIBA
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
на замовлення 3531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
на замовлення 6059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
29+10.49 грн
100+6.53 грн
500+4.50 грн
1000+3.97 грн
2000+3.52 грн
5000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.04 грн
68+11.14 грн
69+11.03 грн
100+7.41 грн
250+6.85 грн
500+5.17 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3FToshibaMOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V SOT-883-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3FToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
на замовлення 3802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F(BToshibaSSM3K16CT,L3F(B
на замовлення 9210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
895+15.81 грн
928+15.25 грн
1000+14.75 грн
2500+13.80 грн
5000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 895 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+17.48 грн
76+10.73 грн
250+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 31384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.64 грн
1000+3.65 грн
5000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 13990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13990+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 13990 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CTC,L3FToshibaMOSFET LowON Res MOSFET ID=.2A VDSS=20V
на замовлення 7880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin CST-C T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+19.90 грн
47+16.18 грн
100+7.53 грн
250+6.91 грн
500+6.58 грн
1000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FSTOSHIBA
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FS(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FS,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FS/DS
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16FU(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 14480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.92 грн
500+9.66 грн
1500+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16FU(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 14480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.25 грн
53+15.44 грн
100+12.92 грн
500+9.66 грн
1500+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
на замовлення 32564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
на замовлення 29064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
23+13.66 грн
100+6.68 грн
500+5.23 грн
1000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.76 грн
60+12.75 грн
61+12.52 грн
151+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.48 грн
6000+3.11 грн
9000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LF(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2095+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 2095 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 32820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.73 грн
1000+3.77 грн
5000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 15677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1636+8.65 грн
1977+7.16 грн
2484+5.70 грн
3125+4.36 грн
3417+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 1636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 32820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.53 грн
75+10.97 грн
131+6.25 грн
500+4.73 грн
1000+3.77 грн
5000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FULF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FVTOSHIBA09+
на замовлення 69018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV(TL3SONYZ)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 8010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV(TPL3)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV(TPL3,Z)ToshibaMOSFETs Pb-F VESM S-MOS(LF),ACTIVE,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV(TPL3Z)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
38+8.00 грн
100+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3FToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
на замовлення 26457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3F(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2137+6.62 грн
2500+6.42 грн
5000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 2137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3F(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2137+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 2137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16FV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+13.98 грн
99+8.29 грн
250+5.10 грн
1000+3.12 грн
4000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16FV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.10 грн
1000+2.94 грн
4000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FVL3F(TToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16TETOSHIBA
на замовлення 12440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FUTOSHIBASOT323
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU(TE85L)TOSHIBASOT323-DM
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU(TE85L) SOT323-TOSHIBA
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU(TE85L) SOT323-DMTOSHIBA
на замовлення 189200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU(TE85L) SOT323-DMTOSHIBA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU(TE85L)SOT323-DM
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU(TE85L,F)TOSHIBASOT323
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 3 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.77 грн
6000+3.26 грн
9000+3.07 грн
15000+2.68 грн
21000+2.56 грн
30000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 3 V
на замовлення 90743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
28+10.87 грн
100+6.73 грн
500+4.65 грн
1000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=50V
на замовлення 31774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LF(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K17FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 20 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
на замовлення 29990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.21 грн
500+5.14 грн
1500+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K17FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 20 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
на замовлення 29990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.86 грн
62+13.25 грн
100+8.21 грн
500+5.14 грн
1500+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FULF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FUSOT323-DMTOSHIBA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17SU,LFToshibaMOSFET 50V VDS 7V VGSS 100mA ID 150mW
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17SU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17SU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17SU,LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615RToshibaMOSFET Pb-F SOT-23F MOSFET (LF) TRANSISTOR Pd=1W F=1MHz V 20 V I 6A
на замовлення 2577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.93 грн
6000+10.51 грн
9000+10.02 грн
15000+8.88 грн
21000+8.57 грн
30000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LFToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET
на замовлення 42552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]