Продукція > SSM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3K15
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT(TPL3)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT(TPL3)ToshibaMOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT(TPL3)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 5949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3413+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 3413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3FToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET
на замовлення 41149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.04 грн
54+14.07 грн
55+13.92 грн
100+12.14 грн
250+10.05 грн
500+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 5949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5227+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 5227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 10241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
26+11.82 грн
50+8.42 грн
100+6.88 грн
500+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100mA
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.1A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9070 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
567+6.02 грн
1000+5.05 грн
4000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 9120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1068+13.28 грн
1104+12.84 грн
2500+12.46 грн
5000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 1068 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 4466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 7465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2863+4.95 грн
2995+4.73 грн
3037+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 2863 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 7455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 4466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 7455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
641+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 641 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 36950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.64 грн
27+11.14 грн
50+7.96 грн
100+6.50 грн
500+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST-C T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST-C T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.24 грн
30000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST-C T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3FToshibaMOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
на замовлення 7228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3F(BToshibaSSM3K15ACTC,L3F(B
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1046+13.56 грн
1080+13.13 грн
2500+12.73 грн
5000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 1046 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3F(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100mA
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.1A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8940 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
562+6.11 грн
1000+5.14 грн
4000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 562 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15ACTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST-C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 7527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15ACTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 9155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFSToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 44994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.09 грн
30+10.17 грн
50+7.25 грн
100+5.92 грн
500+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 44942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.52 грн
9000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LFToshibaMOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
на замовлення 17439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 100mW; SC75; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.1W
Case: SC75
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1946+7.29 грн
2014+7.04 грн
2500+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 1946 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 93833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 100mW; SC75; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.1W
Case: SC75
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 93356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1128+12.57 грн
1505+9.42 грн
2000+7.92 грн
3000+7.10 грн
6000+5.13 грн
12000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 1128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 93833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2352+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 2352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 100mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 6048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1128+12.57 грн
1505+9.42 грн
2000+7.92 грн
3000+7.10 грн
6000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 1128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFSLF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LFToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET
на замовлення 17991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 5172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.31 грн
32+9.57 грн
50+6.81 грн
100+5.54 грн
500+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+17.21 грн
71+10.65 грн
72+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 11087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1684+8.42 грн
1741+8.15 грн
2500+7.91 грн
5000+7.42 грн
10000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 1684 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100mA
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.1A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7272 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
897+5.74 грн
1000+4.79 грн
4000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 897 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 21000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AFU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 23602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 630 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 150mW; SC70; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
45+10.02 грн
140+3.06 грн
155+2.74 грн
500+2.42 грн
3000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 93530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 94082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2159+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 2159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AFU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 23602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 93530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
646+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 646 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 97020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.86 грн
29+10.47 грн
50+7.51 грн
100+6.12 грн
500+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.56 грн
16000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.13 грн
24000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3FToshibaMOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
на замовлення 77071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.37 грн
16000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM
на замовлення 6850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2443+5.80 грн
2517+5.63 грн
5000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 2443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1087+13.04 грн
1729+8.20 грн
2000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 1087 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 8720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 8720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
на замовлення 13926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.19 грн
9000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V
на замовлення 26002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.31 грн
32+9.35 грн
50+6.66 грн
100+5.42 грн
500+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F,LF(BToshibaSSM3K15F,LF(B
на замовлення 3142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1786 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15F,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 27004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2496+5.68 грн
3326+4.26 грн
3334+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 2496 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15F,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 27004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FSToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FS(DP)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FS(T5L.F.T)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FS(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FSLF(TToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FSTE85L
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FUTOSHIBA
на замовлення 201200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FU(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FVTOSHIBA2006
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.