Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступність_PRICE_WITHOUT_VAT
SMMBT3906WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2125+6.67 грн
2773+5.11 грн
3081+4.60 грн
4156+3.29 грн
6000+2.93 грн
15000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 2125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 33000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6049+2.34 грн
9000+2.20 грн
27000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 6049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.98 грн
37+8.30 грн
100+5.09 грн
500+3.49 грн
1000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 40V
на замовлення 21921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.58 грн
37+8.81 грн
100+4.76 грн
500+3.45 грн
1000+3.04 грн
3000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+15.38 грн
90+9.02 грн
140+5.77 грн
500+3.86 грн
1000+3.17 грн
5000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+17.96 грн
63+12.19 грн
67+11.30 грн
108+6.79 грн
250+5.96 грн
500+4.38 грн
1000+3.94 грн
3000+2.92 грн
6000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7178+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 7178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 33000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.64 грн
6000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14355+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 14355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+14.19 грн
88+8.68 грн
145+5.24 грн
500+3.69 грн
1000+3.07 грн
3000+2.17 грн
6000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14355+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 14355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.02 грн
140+5.77 грн
500+3.86 грн
1000+3.17 грн
5000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3125+4.54 грн
9000+3.87 грн
24000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 3125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.03 грн
118+6.86 грн
500+4.70 грн
1000+3.86 грн
5000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1GOn SemiconductorTRANS NPN 40V 0.6A SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.95 грн
40+19.13 грн
41+18.71 грн
101+7.24 грн
250+6.64 грн
500+6.03 грн
1000+4.34 грн
3000+3.58 грн
6000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.64 грн
28+10.69 грн
100+6.66 грн
500+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.54 грн
9000+3.87 грн
24000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+18.04 грн
73+11.03 грн
118+6.86 грн
500+4.70 грн
1000+3.86 грн
5000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1G
Код товару: 164502
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1887+7.51 грн
1906+7.44 грн
2014+7.04 грн
2799+4.88 грн
3394+3.73 грн
6000+3.05 грн
15000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 1887 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SMAL SGNL TRANS MINI BLK
на замовлення 73711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.41 грн
28+11.43 грн
100+6.21 грн
500+4.56 грн
1000+4.00 грн
3000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4403LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4403LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT4403LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.24 грн
3000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4403LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SOT-23 XSTR PNP
на замовлення 331057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+11.76 грн
49+6.59 грн
100+3.80 грн
500+2.76 грн
1000+2.42 грн
3000+2.00 грн
6000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4403LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 19128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
45+6.66 грн
100+4.10 грн
500+2.79 грн
1000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4403LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT4403LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+13.77 грн
82+9.83 грн
192+4.20 грн
500+2.24 грн
3000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4403LT1GONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4403LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.10 грн
6000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5088LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS LN XSTR NPN 35V
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.36 грн
14+22.71 грн
100+12.50 грн
500+8.35 грн
1000+7.59 грн
3000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5088LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5088LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.05A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 300...900
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5088LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.96 грн
19+16.38 грн
100+10.31 грн
500+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5089LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.05A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 400...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5089LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5089LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5089LT1GNPN 25V, 0.05A, general purpose transistor SOT-23-3
на замовлення 772 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
36+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5089LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS LN XSTR NPN 25V
на замовлення 10937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.80 грн
18+17.86 грн
100+9.80 грн
500+7.32 грн
1000+6.56 грн
3000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5089LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 4001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
18+16.75 грн
100+10.57 грн
500+7.38 грн
1000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1onsemiDescription: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 141758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7869+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 7869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1ONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT5401LT1 - SMMBT5401LT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 141758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5726+6.19 грн
10000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 5726 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.67 грн
6000+5.39 грн
9000+5.07 грн
15000+4.62 грн
24000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+8.15 грн
1000+5.67 грн
5000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GOn SemiconductorPNP, Uкэ=150V, Iк=0.6A, 0.35Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
127+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS HV XSTR SPCL TR
на замовлення 24142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.85 грн
39+8.34 грн
100+4.49 грн
500+3.24 грн
1000+2.83 грн
3000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5726+6.19 грн
10000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 5726 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.02 грн
6000+5.09 грн
9000+4.93 грн
24000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.65 грн
59+12.99 грн
100+8.89 грн
500+7.13 грн
1000+6.02 грн
3000+4.57 грн
6000+3.71 грн
9000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.33 грн
6000+5.18 грн
9000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 29143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+13.52 грн
94+8.12 грн
95+8.03 грн
100+7.52 грн
250+6.75 грн
500+6.29 грн
1000+6.08 грн
3000+5.88 грн
6000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.29 грн
52+15.62 грн
100+9.83 грн
500+6.77 грн
1000+5.66 грн
5000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.42 грн
6000+6.57 грн
9000+6.03 грн
12000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 29143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1624+8.73 грн
1699+8.34 грн
1782+7.96 грн
1875+7.29 грн
3000+6.40 грн
6000+5.82 грн
15000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 1624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT5401LT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.20 грн
39+7.78 грн
100+4.81 грн
500+3.29 грн
1000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GON SemiconductorТранзистор PNP, Uceo, В = 150, Ic = 500 мА, ft, МГц = 300, hFE = 60 @ 10 мA, 5 В, Icutoff-max = 50 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 5 мA, 50 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5726+6.19 грн
10000+5.52 грн
100000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 5726 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.08 грн
6000+5.14 грн
9000+4.96 грн
24000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.33 грн
6000+5.18 грн
9000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1223653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
100000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+8.60 грн
135+5.63 грн
152+5.00 грн
218+3.35 грн
250+3.00 грн
500+2.13 грн
1000+2.03 грн
3000+1.94 грн
6000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+9.85 грн
131+5.78 грн
189+4.02 грн
500+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4226+3.35 грн
5704+2.49 грн
5977+2.37 грн
6250+2.19 грн
6579+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 4226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+18.85 грн
74+10.95 грн
113+7.14 грн
500+4.81 грн
1500+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.76 грн
6000+3.33 грн
9000+3.10 грн
15000+2.82 грн
21000+2.49 грн
30000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 31560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+6.98 грн
166+4.57 грн
187+4.06 грн
268+2.72 грн
278+2.43 грн
500+2.30 грн
1000+2.26 грн
3000+2.22 грн
6000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4747+2.99 грн
9000+2.82 грн
27000+2.72 грн
51000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 4747 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 31560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5017+2.83 грн
5209+2.72 грн
5282+2.68 грн
5377+2.54 грн
5475+2.31 грн
6000+2.18 грн
15000+2.15 грн
30000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 5017 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS HV XSTR SPCL TR
на замовлення 49466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+15.22 грн
35+9.21 грн
100+4.97 грн
500+3.66 грн
1000+3.18 грн
3000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.76 грн
35+8.68 грн
100+5.36 грн
500+3.67 грн
1000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GOn SemiconductorTRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT3GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 9923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.76 грн
35+8.68 грн
100+5.36 грн
500+3.67 грн
1000+3.23 грн
2000+2.86 грн
5000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 HV XSTR SPCL TR
на замовлення 17870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+15.22 грн
35+9.21 грн
100+4.97 грн
500+3.66 грн
1000+2.83 грн
5000+2.42 грн
10000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT3GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT3GON Semiconductor
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT6427LT1GonsemiDarlington Transistors SS DL XSTR NPN PBFR
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.80 грн
18+17.86 грн
100+9.80 грн
500+7.32 грн
1000+6.56 грн
3000+5.11 грн
6000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT6427LT1GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 19931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
19+15.85 грн
100+9.96 грн
500+6.96 грн
1000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT6427LT1GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 40V; 0.5A; 0.225W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT6427LT1GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.76 грн
6000+5.02 грн
9000+4.75 грн
15000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91  Наступна Сторінка >> ]