Продукція > SMM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | _PRICE_WITHOUT_VAT | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SMMBT3906WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT3906WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT3906WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT3906WT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 78137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT3906WT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 40V | на замовлення 21921 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT3906WT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 23800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT3906WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT3906WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT3906WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT3906WT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT3906WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 14904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT3906WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT3906WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT3906WT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBT3906WT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 23800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT3906WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBT4401LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT4401LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 16251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT4401LT1G | On Semiconductor | TRANS NPN 40V 0.6A SOT23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBT4401LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT4401LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT4401LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBT4401LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT4401LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 16251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT4401LT1G Код товару: 164502
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SMMBT4401LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT4401LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBT4401LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBT4401LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SMAL SGNL TRANS MINI BLK | на замовлення 73711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT4401LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBT4403LT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBT4403LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBT4403LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 7268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT4403LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 XSTR PNP | на замовлення 331057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT4403LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 19128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT4403LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBT4403LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 7268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT4403LT1G | ONN | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SMMBT4403LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5088LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS LN XSTR NPN 35V | на замовлення 741 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5088LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3 Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBT5088LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.05A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 300...900 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBT5088LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3 Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5089LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.05A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 400...1200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBT5089LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBT5089LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5089LT1G | NPN 25V, 0.05A, general purpose transistor SOT-23-3 | на замовлення 772 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| |||||||||||||||||||
| SMMBT5089LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS LN XSTR NPN 25V | на замовлення 10937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5089LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 4001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5401LT1 | на замовлення 189000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SMMBT5401LT1 | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 141758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5401LT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBT5401LT1 - SMMBT5401LT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 141758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5401LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5401LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5401LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 23965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5401LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBT5401LT1G | On Semiconductor | PNP, Uкэ=150V, Iк=0.6A, 0.35Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори | на замовлення 6000 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5401LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR SPCL TR | на замовлення 24142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5401LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5401LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5401LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5401LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5401LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 29143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5401LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 20192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5401LT1G | ONN | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SMMBT5401LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5401LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 29143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5401LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBT5401LT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5401LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 2154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5401LT1G | ON Semiconductor | Транзистор PNP, Uceo, В = 150, Ic = 500 мА, ft, МГц = 300, hFE = 60 @ 10 мA, 5 В, Icutoff-max = 50 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 5 мA, 50 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBT5401LT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 60...240 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBT5401LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5401LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5401LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5551LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1223653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5551LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 13772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5551LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5551LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 13772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5551LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5551LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 225 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBT5551LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5551LT1G | ONN | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SMMBT5551LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 80...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBT5551LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 31560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5551LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5551LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBT5551LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5551LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 31560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5551LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR SPCL TR | на замовлення 49466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5551LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 1694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5551LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBT5551LT1G | On Semiconductor | TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBT5551LT3G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 80...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBT5551LT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 9923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5551LT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 HV XSTR SPCL TR | на замовлення 17870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT5551LT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 225 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBT5551LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBT5551LT3G | ON Semiconductor | на замовлення 7100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SMMBT6427LT1G | onsemi | Darlington Transistors SS DL XSTR NPN PBFR | на замовлення 5792 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT6427LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 19931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT6427LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 40V; 0.5A; 0.225W Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBT6427LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

