Продукція > mmb

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 108 126 144 162 180  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MMBT5550LT1onsemiBipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1ONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5550LT1 - MMBT5550LT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 35060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1onsemiDescription: TRANS SS NPN 140V HV SOT23
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 34060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7869+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 7869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11858+2.98 грн
100000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 11858 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS HV XSTR NPN 160V
на замовлення 70312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 101000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11858+2.98 грн
100000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 11858 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 7788 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.93 грн
70+6.04 грн
102+4.13 грн
120+3.50 грн
500+2.43 грн
1000+2.11 грн
1500+1.94 грн
3000+1.69 грн
6000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GON-SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5550LT1G MMBT5550LT3G MMBT5500 TMMBT5550
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5556+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 5556 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7018+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 7018 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GOn SemiconductorNPN 140V 0.6A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 40000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 600mA; 225mW; SOT23; universal
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Current gain: 60
Mounting: SMD
Application: universal
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5550LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16556 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+13.41 грн
95+7.96 грн
155+4.89 грн
500+3.38 грн
1000+2.47 грн
2500+2.29 грн
5000+1.99 грн
10000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 40000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.76 грн
67+11.39 грн
107+7.06 грн
500+4.90 грн
1000+3.70 грн
2500+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+5.20 грн
1000+4.24 грн
2500+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15874+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 15874 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS HV XSTR NPN 160V
на замовлення 74377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
39+7.93 грн
100+4.91 грн
500+3.35 грн
1000+2.95 грн
2000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2119+6.68 грн
2953+4.79 грн
3741+3.78 грн
3887+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 2119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
на замовлення 3088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.05 грн
76+4.00 грн
124+2.44 грн
500+1.64 грн
1000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551AnBonTransistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Diotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 41997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.19 грн
50+6.04 грн
100+3.74 грн
500+2.54 грн
1000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551HOTTECHNPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, h21=50...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551MDDDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
на замовлення 504000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LITEON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.05 грн
103+2.94 грн
168+1.80 грн
500+1.21 грн
1000+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551MDD(Microdiode Electronics)Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-E; MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551; MMBT5551 TMMBT5551 MDD
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1100+0.57 грн
Мінімальне замовлення: 1100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551onsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
на замовлення 377408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5769+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 5769 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Frequency: 100...300MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551DiotecMMBT5551-DIO NPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, h21=80...250, 0.25Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551
Код товару: 200829
2 Додати до обраних Обраний товар
JingdaoТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 160 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 180 В
Струм колектора Ic, А: 0,6 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 250
Монтаж: SMD
у наявності: 133 шт
  • 21 шт - склад
  • 48 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 36 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 28 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 6000 шт
  • 6000 шт - очікується 05.10.2026
15+1.40 грн
25+0.80 грн
100+0.64 грн
1000+0.48 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551DIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 374408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8696+4.06 грн
10000+3.63 грн
100000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 8696 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551HY Electronic (Cayman) LimitedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+4182.17 грн
100+3056.88 грн
1000+2431.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.84 грн
65+4.68 грн
106+2.85 грн
500+1.93 грн
1000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551RectronBipolar Transistors - BJT SOT23,NPN,0.6A,160V,HighVolt
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 21000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.28 грн
6000+1.09 грн
9000+1.02 грн
15000+0.87 грн
21000+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551HOTTECHTransistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Diotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.02 грн
6000+1.72 грн
9000+1.61 грн
15000+1.40 грн
21000+1.33 грн
30000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551EVVODescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
37+8.38 грн
100+5.21 грн
500+3.56 грн
1000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551onsemiBipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GEN PUR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) MMBT5551 SOT23(T/R) CJ TMMBT5551 CJ
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551onsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 176629 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.93 грн
72+5.87 грн
124+3.40 грн
500+2.28 грн
1000+1.93 грн
3000+1.49 грн
6000+1.27 грн
9000+1.17 грн
15000+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Yangzhou Yangjie ElectronicNPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551
Код товару: 160587
Додати до обраних Обраний товар
YangjieТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 160 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 180 В
Струм колектора Ic, А: 0,6 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 300
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
14+1.50 грн
23+0.90 грн
100+0.70 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551DIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 176929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4088+3.46 грн
5282+2.68 грн
6148+2.30 грн
9000+2.04 грн
15000+1.68 грн
21000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 4088 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Microdiode Electronics (MDD)Transistor Diode
на замовлення 4860000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10345+1.37 грн
2430000+1.25 грн
3645000+1.17 грн
4860000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 10345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+1991.91 грн
134+201.06 грн
223+21.24 грн
500+4.87 грн
1000+2.74 грн
3000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.52 грн
6000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Fairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
на замовлення 203639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5769+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 5769 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551YANGJIE TECHNOLOGYCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551DIOTECTranzystor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO; MMBT5551 TMMBT5551
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551FAIRCHILDTrans GP BJT NPN 160V 0.06A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 203639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8696+4.06 грн
10000+3.63 грн
100000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 8696 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551GOODWORKDescription: SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551EVVODescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Diotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
на замовлення 8858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 4153
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 160 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 180 В
Струм колектора Ic, А: 0,6 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 250
Монтаж: SMD
на замовлення: 150 шт
  • 150 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
10+2.00 грн
16+1.30 грн
100+0.90 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 G1WEJTransistor NPN; 30; 200mW; 30V; 600mA; 300MHz SOT23; WEJ; Bipolar tranzistor MMBT5551 G1 WEJ TMMBT5551 G1 WEJ
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 14995 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1500+0.41 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 G1N/ASOT-23 05+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551(G1)
на замовлення 7429 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551(RANGE:200-300)JSCJTRANS NPN 160V 600mA SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-13PMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-13PMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-13PMicro Commercial ComponentsNPN Plastic Encapsulate Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7DIODES07+ SOT-23
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS NPN 300mW
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 3000pcs.
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.16 грн
44+9.64 грн
55+7.68 грн
65+6.46 грн
100+5.44 грн
500+3.73 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+16.97 грн
71+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AQDiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+19.60 грн
1500+9.57 грн
3000+4.90 грн
6000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AQDiotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AQDiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AQDiotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 108 126 144 162 180  [ Наступна Сторінка >> ]