Продукція > 2N7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2N7002DWQ-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.22 грн
33+13.05 грн
36+11.63 грн
100+7.70 грн
500+6.28 грн
1000+5.77 грн
1500+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.46 грн
6000+4.99 грн
9000+4.23 грн
15000+4.05 грн
21000+3.70 грн
30000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWS-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWS-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 247mA; Idm: 1.8A; 370mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 247mA
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWS-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWS-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.15 грн
19+16.42 грн
100+10.36 грн
500+7.23 грн
1000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWT/RPANJITSOT-363 09+
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EonsemiMOSFETs NFET SOT23 60V 115MA 7MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 60V 300MA 3@10V,500MA 225MW N CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.46 грн
6000+1.24 грн
9000+1.16 грн
15000+1.00 грн
21000+0.94 грн
30000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT 2N70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EAnalog Power Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 1.4A SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.13 грн
10+46.69 грн
100+29.10 грн
500+18.87 грн
1000+14.34 грн
3000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EPanasonicMOSFETs Nch MOSFET 60V 0.3A RDS(on)=3ohms SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ESILICONIX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 60V 300MA 3@10V,500MA 225MW N CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.82 грн
67+4.52 грн
110+2.76 грн
500+1.86 грн
1000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E,215NexperiaMOSFETs TAPE7 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 385MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 385mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E,215NXP/Nexperia/We-EnN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 385 мА, Ptot, Вт = 0,83, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Qg, нКл = 0,69 @ 10 В, Rds = 3 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 385MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.91 грн
64+6.61 грн
90+4.67 грн
105+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs N-Channel
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002E-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 370mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2N7002E
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002E-7-F - MOSFET, N-KANAL, 60V, 0.25A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2N7002E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.72 грн
64+11.92 грн
102+7.41 грн
500+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-F-79Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-F-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.42 грн
6000+2.95 грн
9000+2.77 грн
15000+2.42 грн
21000+2.31 грн
30000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-F-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.42 грн
31+9.87 грн
100+6.15 грн
500+4.23 грн
1000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-F-WDiodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-GDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1 SOT23-7EVISHAY
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - 2N7002E-T1-E3 - N CHANNEL MOSFET, 60V, 240mA TO-236
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+46.27 грн
477+29.61 грн
771+18.31 грн
1081+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 0.24A
на замовлення 281501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+46.27 грн
100+29.61 грн
500+18.31 грн
1000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 1394018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1-E3-LVishay / SiliconixMOSFETs 60V 0.24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1-E3-SVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
358+39.50 грн
379+37.32 грн
792+17.83 грн
1040+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1-GE3LRC2N7002E-T1-GE3 N-кан. MOSFET 60V 240MA SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V
на замовлення 161483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1-GE3
Код товару: 167495
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.22W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.71 грн
11+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+39.50 грн
100+37.32 грн
500+17.83 грн
1000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EDWT/RPANJITSOT-363 09+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EHT1GON Semiconductor2N7002EHT1G
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.66 грн
100000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EPT06+ SOT-323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EQ-13-FDiodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 10K
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 292mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EQ-13-FDiodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EQ-13-FDiodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EQ-7-FDiodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 292mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.33 грн
25+12.05 грн
100+7.49 грн
500+5.17 грн
1000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EQ-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EQ-7-FDiodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EQ-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 292mA; Idm: 1A; 700mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 292mA
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 292mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EQ-7-FDiodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1
на замовлення 5580315 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
на замовлення 55524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1GON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 260 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25, Qg, нКл = 0,81 @ 5 В, Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 1597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
на замовлення 278316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.64 грн
33+9.34 грн
100+5.75 грн
500+3.95 грн
1000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1151+12.27 грн
1868+7.55 грн
2587+5.46 грн
2989+4.55 грн
3958+3.18 грн
6000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 1151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.74 грн
6000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+12.27 грн
100+7.55 грн
500+5.46 грн
1000+4.55 грн
3000+3.18 грн
6000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 276000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4762+2.96 грн
9000+2.79 грн
27000+2.70 грн
51000+2.48 грн
102000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 4762 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
на замовлення 55524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1GON-SemiconductorN-MOSFET 60V 260mA 2N7002ET1G T2N7002et1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
на замовлення 277490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.97 грн
6000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1GonsemiMOSFETs NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms
на замовлення 190487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3769+3.74 грн
6000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3769 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+11.81 грн
86+8.79 грн
87+8.73 грн
122+5.95 грн
250+5.48 грн
500+4.06 грн
1000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.91 грн
67+6.28 грн
97+4.33 грн
116+3.61 грн
500+2.39 грн
1000+2.18 грн
1500+2.08 грн
3000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1GOn SemiconductorMOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 365 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 5504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.08 грн
36+8.43 грн
100+5.23 грн
500+3.58 грн
1000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+2.84 грн
7000+2.45 грн
10500+2.30 грн
24500+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4967+2.84 грн
7000+2.45 грн
10500+2.30 грн
24500+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 4967 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7GonsemiMOSFETs NFET SOT23 60V 115MA 7MO
на замовлення 222514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3555+3.97 грн
10500+3.94 грн
28000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 3555 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EWAnBonTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 340mA; 200mW; -55°C~150°C; 2N7002EW T2N7002EW ANB
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EYANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.38 грн
53+5.72 грн
100+3.51 грн
500+2.38 грн
1000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EYANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.88 грн
6000+1.61 грн
9000+1.50 грн
15000+1.30 грн
21000+1.23 грн
30000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EYAnbon Semiconductor2N7002EY
на замовлення 258000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16484+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 16484 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24  [ Наступна Сторінка >> ]