Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF9540SPBFVishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 19 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1400, Qg, нКл = 61, Rds = 200 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 150, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRLVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRF9540STRLPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRLIR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 100V 19 Amp
на замовлення 14478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.69 грн
10+167.03 грн
100+101.95 грн
500+90.08 грн
800+77.51 грн
2400+75.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9540STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 19 A, 0.2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 1876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.94 грн
10+199.59 грн
100+140.12 грн
500+112.71 грн
1000+91.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.15 грн
10+217.26 грн
100+154.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+126.07 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9540STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 19 A, 0.2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 1876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.12 грн
500+112.71 грн
1000+91.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRPBF
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9541HARRISIRF9541
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+196.09 грн
500+186.64 грн
1000+176.01 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9541HARRISIRF9541
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+196.09 грн
500+186.64 грн
1000+176.01 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9541Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 4318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+146.22 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9541
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9541HARRISIRF9541
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+196.09 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9542Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+134.20 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9542HARRISIRF9542
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+180.73 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9543HARRISIRF9543
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9543Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+92.80 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SiliconixP-MOSFET 1.8A 200V 20W 3Ω IRF9610 TIRF9610
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 225 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+40.84 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610
Код товару: 174702
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 3,0 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/11
Монтаж: THT
у наявності: 64 шт
  • 14 шт - склад
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+30.00 грн
10+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610International Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = -200, Id = -1,8, Ptot, Вт = 20, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 170 @ -25, Qg, нКл = 11, Rds = 3 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = -3 В,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
100+25.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610LVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFIRF9610PBF Транзисторы MOS FET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+108.93 грн
132+107.82 грн
155+91.98 грн
500+73.90 грн
1000+65.60 грн
2000+58.89 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBF
Код товару: 35442
Додати до обраних Обраний товар
IR/InfineonТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 3,0 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/11
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
  • 12 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+32.00 грн
10+28.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.97 грн
155+91.49 грн
500+77.98 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.38 грн
50+118.10 грн
100+106.05 грн
500+81.88 грн
1000+69.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.47 грн
50+74.72 грн
100+67.11 грн
500+50.42 грн
1000+46.39 грн
2000+42.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+102.40 грн
144+98.83 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9610PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.75 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.08 грн
12+71.69 грн
100+53.12 грн
500+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.31 грн
10+62.62 грн
50+52.45 грн
100+48.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+242.38 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFMOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.06 грн
50+107.97 грн
100+92.09 грн
500+73.99 грн
1000+65.69 грн
2000+58.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 1.8A P-CH MOSFET
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.93 грн
10+99.57 грн
100+69.06 грн
500+58.17 грн
1000+51.53 грн
2000+48.67 грн
5000+46.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.47 грн
50+74.72 грн
100+67.09 грн
500+50.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 200V 1.8A P-CH MOSFET
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.04 грн
10+84.32 грн
100+59.14 грн
500+51.60 грн
1000+47.62 грн
2000+46.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF9610SPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9610SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.8 A, 3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.52 грн
10+101.02 грн
100+71.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.32 грн
10+110.75 грн
100+76.02 грн
500+57.42 грн
1000+52.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 200V 1.8A P-CH MOSFET
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.22 грн
10+121.26 грн
100+76.81 грн
500+61.87 грн
1000+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SPBF
Код товару: 176781
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610STRLIR08+ SOP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610STRRPBFVishay SiliconixDescription: N-CHANNEL200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+28.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610STRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610STRRPBFVishay SiliconixDescription: N-CHANNEL200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.48 грн
10+56.96 грн
100+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610STRRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610STRRPBFVishay / SiliconixMOSFETs TO263 200V 1.8A N-CH MOSFET
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.91 грн
10+65.85 грн
100+37.99 грн
500+27.93 грн
800+24.23 грн
2400+22.90 грн
4800+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620SiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 3,5A; 40W; -55°C ~ 150°C; IRF9620 TIRF9620
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620
Код товару: 31591
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 3,5 A
Rds(on),Om: 10 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/22
Монтаж: THT
у наявності: 25 шт
  • 15 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+26.00 грн
10+23.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620LVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.15 грн
50+140.83 грн
100+110.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+113.38 грн
130+109.54 грн
250+101.34 грн
500+91.85 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+80.61 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 431 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.10 грн
10+72.96 грн
50+66.15 грн
100+63.12 грн
250+56.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 2709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.25 грн
50+97.89 грн
100+88.31 грн
500+67.12 грн
1000+62.05 грн
2000+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 3.5A P-CH MOSFET
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.34 грн
10+108.41 грн
100+64.24 грн
500+58.24 грн
5000+56.98 грн
10000+56.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.78 грн
101+141.43 грн
129+110.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+80.26 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9620PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.33 грн
10+97.76 грн
100+72.42 грн
500+49.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+80.24 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.78 грн
50+141.43 грн
100+110.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBF -200 В -3.5 А (TO-220)Trans MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220 Транзистори
на замовлення 26 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
7+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.33 грн
50+62.14 грн
100+55.62 грн
500+41.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 200V 3.5A P-CH MOSFET
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.45 грн
10+89.94 грн
100+64.24 грн
500+51.81 грн
1000+46.16 грн
2000+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.10 грн
10+140.25 грн
100+97.61 грн
500+74.49 грн
1000+68.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620SPBFVishay / SiliconixMOSFETs TO263 200V 3.5A P-CH MOSFET
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.41 грн
10+112.42 грн
100+73.32 грн
500+63.05 грн
1000+58.93 грн
2000+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 40W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]