Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF9620STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 200V 3.5A P-CH MOSFET
на замовлення 8375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.66 грн
10+129.29 грн
100+76.81 грн
500+64.87 грн
800+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+78.19 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.10 грн
10+140.25 грн
100+97.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9621Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9622Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+42.44 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9622
Код товару: 30496
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 3 А
Rds(on),Om: 2,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/16
Монтаж: THT
у наявності: 5 шт
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+33.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9622156Harris CorporationDescription: 3A, 200V, 2.4OHM, P-CHANNEL, POW
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+42.44 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9622156HARRISIRF9622156
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+54.77 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630HARRISIRF9630
на замовлення 5927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+137.02 грн
1000+129.94 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630JSMSEMITransistor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 420mOhm; 10A; 78W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9630; IRF9630-BE3; IRF9630 JSMICRO TIRF9630 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630HARRISIRF9630
на замовлення 6479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+137.02 грн
1000+129.94 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630
Код товару: 67392
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 200 V
Id,A: 4 А
Rds(on),Om: 10 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/29
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630HARRISIRF9630
на замовлення 7730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+137.02 грн
1000+129.94 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630International Rectifier/InfineonP-канальный ПТ... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 28039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+108.30 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630HARRISIRF9630
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630HARRISIRF9630
на замовлення 7473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+137.02 грн
1000+129.94 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630(TO-220) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630LVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9630PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.70 грн
10+127.90 грн
100+80.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF
Код товару: 98685
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
у наявності: 4 шт
  • 4 шт - склад
1+89.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+127.53 грн
113+126.39 грн
161+88.26 грн
500+68.33 грн
1000+57.05 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+117.67 грн
10+86.07 грн
50+65.56 грн
100+58.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+108.72 грн
148+96.12 грн
154+92.46 грн
500+77.43 грн
1000+59.61 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBFTO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+97.51 грн
154+92.08 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.52 грн
50+129.43 грн
100+117.17 грн
500+89.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.69 грн
50+126.55 грн
100+88.38 грн
500+68.42 грн
1000+57.11 грн
2000+42.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBFVishay SiliconixP-Channel 200V 6.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 6.5A P-CH MOSFET
на замовлення 5861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.42 грн
10+96.36 грн
2000+78.91 грн
5000+53.35 грн
10000+48.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.22 грн
147+96.70 грн
153+93.04 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 6,5 А, Ptot, Вт = 74, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 29 @ 10 В, Rds = 800 мОм @ 3,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.03 грн
50+109.87 грн
100+99.29 грн
500+75.79 грн
1000+70.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+154.75 грн
100+147.84 грн
250+141.90 грн
500+131.89 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 200V 6.5A P-CH MOSFET
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.60 грн
10+84.32 грн
100+60.68 грн
500+51.32 грн
1000+46.09 грн
2000+43.08 грн
5000+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF9630PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 200V, 6.5A, TO-220AB
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF9630SPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SSiliconixP-MOSFET 6.5A 200V IRF9630S IRF9630STRL IRF9630S TIRF9630s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.53 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
418+33.99 грн
Мінімальне замовлення: 418 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9630SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+253.36 грн
10+127.90 грн
100+116.50 грн
500+82.45 грн
1000+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+114.42 грн
1000+113.51 грн
2000+109.87 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.95 грн
50+117.63 грн
100+106.44 грн
500+81.47 грн
1000+75.56 грн
2000+71.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF
Код товару: 176782
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+254.86 грн
10+113.96 грн
1000+113.05 грн
2000+105.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 200V 6.5A P-CH MOSFET
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.65 грн
10+134.91 грн
100+105.44 грн
500+92.87 грн
1000+85.89 грн
2000+82.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+199.77 грн
107+133.62 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+201.85 грн
5+147.09 грн
10+129.44 грн
50+99.18 грн
100+91.62 грн
250+85.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRL
Код товару: 103281
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.23 грн
10+163.09 грн
100+113.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+339.26 грн
64+222.08 грн
500+211.68 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 200V 6.5A P-CH MOSFET
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.65 грн
10+174.25 грн
100+105.44 грн
500+82.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.55 грн
25+64.46 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+91.63 грн
1600+82.24 грн
2400+79.18 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+306.02 грн
67+211.98 грн
112+127.00 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9630STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 74W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+251.73 грн
10+193.07 грн
100+159.67 грн
500+128.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRR
Код товару: 103282
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9632Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+116.04 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9632HARRISIRF9632
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+157.11 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9633Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640Vishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 11 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 44 @ 10 В, Rds = 500 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640LVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640L
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640LPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640LPBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640NS
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFJSMSEMIMOSFET P-CH 200V 11A TO220AB Транзистори
на замовлення 318 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
8+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBF
Код товару: 22646
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
Монтаж: THT
у наявності: 21 шт
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+32.00 грн
10+28.80 грн
100+25.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9640PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 11A P-CH MOSFET
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.07 грн
10+88.33 грн
100+59.00 грн
500+53.07 грн
1000+51.46 грн
2000+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.28 грн
10+73.97 грн
50+62.20 грн
100+58.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 11 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 44 @ 10 В, Rds = 500 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBF
Код товару: 123234
1 Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 200 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
Монтаж: THT
у наявності: 58 шт
  • 37 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 200V 11A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]