Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF9610Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610
Код товару: 174702
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Id, А: 1,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,0 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 170/11
Монтаж: THT
у наявності: 64 шт
  • 14 шт - склад
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1 шт
  • 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+30.00 грн
10+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610International Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = -200, Id = -1,8, Ptot, Вт = 20, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 170 @ -25, Qg, нКл = 11, Rds = 3 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = -3 В,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
100+25.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610LVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBF
Код товару: 35442
Додати до обраних Обраний товар
IR/InfineonТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Id, А: 1,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,0 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 170/11
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
  • 12 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+32.00 грн
10+28.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+93.91 грн
163+86.93 грн
250+78.50 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFMOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.07 грн
22+35.20 грн
100+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 1.8A P-CH MOSFET
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 277 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.60 грн
10+62.34 грн
50+52.22 грн
100+48.28 грн
250+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9610PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.75 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.62 грн
50+104.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFIRF9610PBF Транзисторы MOS FET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 200V 1.8A P-CH MOSFET
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.97 грн
50+82.66 грн
100+74.22 грн
500+55.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF9610SPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9610SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.8 A, 3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 200V 1.8A P-CH MOSFET
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.08 грн
10+122.45 грн
100+84.09 грн
500+63.51 грн
1000+58.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SPBF
Код товару: 176781
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610STRLIR08+ SOP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610STRRPBFVishay SiliconixDescription: N-CHANNEL200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610STRRPBFVishay / SiliconixMOSFETs TO263 200V 1.8A N-CH MOSFET
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610STRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610STRRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610STRRPBFVishay SiliconixDescription: N-CHANNEL200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.23 грн
10+62.96 грн
100+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620SiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 3,5A; 40W; -55°C ~ 150°C; IRF9620 TIRF9620
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620
Код товару: 31591
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Id, А: 3,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 10 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 350/22
Монтаж: THT
у наявності: 25 шт
  • 15 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+26.00 грн
10+23.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620LVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+79.88 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.15 грн
50+140.80 грн
100+109.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 3.5A P-CH MOSFET
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 431 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.56 грн
10+72.63 грн
50+65.85 грн
100+62.84 грн
250+55.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.52 грн
50+140.21 грн
100+109.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 2709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.34 грн
50+97.45 грн
100+87.92 грн
500+66.82 грн
1000+61.78 грн
2000+57.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.88 грн
130+109.06 грн
250+100.89 грн
500+91.45 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+80.25 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9620PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFIRF9620PBF -200 В -3.5 А (TO-220) Trans MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220 Транзистори
на замовлення 26 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
7+45.36 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.15 грн
101+140.80 грн
129+109.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+79.90 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.73 грн
50+61.86 грн
100+55.37 грн
500+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 200V 3.5A P-CH MOSFET
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.11 грн
10+139.63 грн
100+97.17 грн
500+74.16 грн
1000+68.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620SPBFVishay / SiliconixMOSFETs TO263 200V 3.5A P-CH MOSFET
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 40W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.11 грн
10+139.63 грн
100+97.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+77.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 200V 3.5A P-CH MOSFET
на замовлення 8375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9621Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9622Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9622
Код товару: 30496
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Id, А: 3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,4 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 350/16
Монтаж: THT
у наявності: 5 шт
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+33.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9622156Harris CorporationDescription: 3A, 200V, 2.4OHM, P-CHANNEL, POW
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9622156HARRISIRF9622156
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+54.53 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630HARRISIRF9630
на замовлення 7730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.65 грн
500+136.42 грн
1000+129.36 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630(TO-220) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630HARRISIRF9630
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.65 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630HARRISIRF9630
на замовлення 7473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.65 грн
500+136.42 грн
1000+129.36 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630
Код товару: 67392
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Id, А: 4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 10 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 700/29
Монтаж: THT
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630International Rectifier/InfineonP-канальный ПТ... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630HARRISIRF9630
на замовлення 5927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.65 грн
500+136.42 грн
1000+129.36 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630HARRISIRF9630
на замовлення 6479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.65 грн
500+136.42 грн
1000+129.36 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630JSMSEMITransistor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 420mOhm; 10A; 78W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9630; IRF9630-BE3; IRF9630 JSMICRO TIRF9630 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 28039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+107.82 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630LVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF
Код товару: 98685
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
у наявності: 4 шт
  • 4 шт - склад
1+89.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.12 грн
50+125.99 грн
100+87.98 грн
500+68.11 грн
1000+56.86 грн
2000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9630PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBFVishay SiliconixP-Channel 200V 6.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]