Продукція > DIF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DIF065SIC020DIOTEC SEMICONDUCTORDIF065SIC020-DIO THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2090.12 грн
2+1976.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF065SIC020DIOTECDescription: DIOTEC - DIF065SIC020 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 150 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7977.99 грн
5+7107.91 грн
10+6236.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF065SIC020Diotec SemiconductorSiC MOSFETs 650V TO-247-4L, N, 150A, 650V, 20m?, 175°C
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8188.78 грн
10+6310.90 грн
120+3291.36 грн
510+3258.54 грн
1020+3156.09 грн
2520+2790.29 грн
5010+2623.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF065SIC030DIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIF065SIC030 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4914.30 грн
5+4378.24 грн
10+3842.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF065SIC030DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 145nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 105A
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1565.97 грн
5+1334.05 грн
10+1218.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF065SIC030DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 145nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 105A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1879.16 грн
5+1662.43 грн
10+1461.78 грн
30+1249.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF075F065DIOTEC SEMICONDUCTORDIF075F065-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+512.89 грн
6+217.12 грн
16+205.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF075F065DIOTECDescription: DIOTEC - DIF075F065 - IGBT, 100 A, 1.65 V, 385 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+472.30 грн
10+370.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIF075F065Diotec SemiconductorDescription: IGBT, TO-247-4L, N-FAST, 650 V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 162 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/152ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 7.5Ohm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+480.55 грн
10+303.91 грн
30+255.41 грн
120+197.80 грн
270+179.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF119H00-00B0AmphenolTH349G39GDSN DIOD-LINE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022DIOTEC SEMICONDUCTORDIF120SIC022-DIO THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2065.11 грн
2+1952.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022DIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC022 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6832.25 грн
5+6086.98 грн
10+5341.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022Diotec ElectronicsDIF120SIC022
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3442.70 грн
5+3111.34 грн
10+2947.27 грн
30+2491.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022Diotec SemiconductorSiC MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175°C
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6388.35 грн
10+4922.80 грн
120+2567.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2173.28 грн
30+1358.78 грн
120+1306.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQDiotec ElectronicsDIF120SIC022-AQ
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+6023.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQDiotec SemiconductorSiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+18131.31 грн
10+13973.08 грн
120+7287.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQDiotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5050.49 грн
30+3708.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQDiotec SemiconductorDIF120SIC022-AQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDIF120SIC022-AQ THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4424.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC022-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19390.51 грн
5+17275.02 грн
10+15159.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028DIOTEC SEMICONDUCTORDIF120SIC028-DIO THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2087.12 грн
2+1973.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028DIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC028 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0274 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0274ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8063.29 грн
5+7183.33 грн
10+6303.38 грн
50+5736.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028Diotec ElectronicsDIF120SIC028
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2733.84 грн
10+2610.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028Diotec SemiconductorSiC MOSFETs
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7539.77 грн
10+5810.15 грн
120+3030.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 118A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 80A, 20V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 373 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5691 pF @ 1000 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2478.92 грн
30+1568.51 грн
120+1542.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053DIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC053 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1995.17 грн
5+1777.88 грн
10+1559.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053Diotec ElectronicsDIF120SIC053
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1141.06 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053Diotec SemiconductorSiC MOSFETs
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1865.80 грн
10+1437.81 грн
120+750.00 грн
510+557.10 грн
1020+543.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 65A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+832.08 грн
30+478.70 грн
120+407.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053DIOTEC SEMICONDUCTORDIF120SIC053-DIO THT N channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1013.93 грн
2+860.46 грн
4+813.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQDiotec SemiconductorDIF120SIC053-AQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDIF120SIC053-AQ THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1846.99 грн
2+1746.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC053-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7573.03 грн
5+6746.95 грн
10+5920.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQDiotec ElectronicsDIF120SIC053-AQ
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2364.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQDiotec SemiconductorSiC MOSFETs
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7081.26 грн
10+5457.60 грн
120+2845.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-247-4L N 65A 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2005.30 грн
30+1448.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF156H00-00D0Amphenol Advanced SensorsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH410J42GBSN-T5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF170SIC049DIOTECDescription: DIOTEC - DIF170SIC049 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.7 kV, 0.049 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1776.98 грн
5+1561.48 грн
10+1345.98 грн
50+1049.73 грн
100+932.04 грн
250+894.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF170SIC049Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 67A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3046 pF @ 1000 V
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1722.17 грн
30+1055.15 грн
120+973.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF175H00-00D0Amphenol Advanced SensorsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH420J34GBNI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF184H00-00D0Amphenol Advanced SensorsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH420J34GBNI (25/85)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF198H00-00D0Amphenol Advanced SensorsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH450J44GBSN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF20SHINDENGEN1808
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIFBA2002S00SPanduit CorpDescription: INLET DUCT FOR CISCO 9396 SWITCH
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Cisco Cabinets
Accessory Type: Air Inlet
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+58407.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIFBA3003S00SPanduit CorpDescription: INLET DUCT FOR CISCO 93128 SWITC
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Cisco Cabinets
Accessory Type: Air Inlet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIFF PRESS 4 CLICKMIKROEMIKROE-5868 Add-on boards
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+7562.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIFF PRESS CLICKMIKROEMIKROE-3332 Add-on boards
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4492.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIFFAMP-EVMTexas InstrumentsDescription: DEVELOPMENT AMPLIFIER
Packaging: Box
Amplifier Type: Difference
Board Type: Partially Populated
Utilized IC / Part: 8-DIP Package
Supplied Contents: Board(s)
Channels per IC: 1 - Single
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIFFAMP-EVMTexas InstrumentsINA105/INA106/INA132/INA133/INA134/INA137/INA134/INA592 Special Purpose Amplifier Evaluation Board
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2083.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIFFAMP-EVMTexas InstrumentsAmplifier IC Development Tools DIFFAMP-EVM
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3105.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIFFAMP-EVMTexas InstrumentsINA105/INA106/INA132/INA133/INA134/INA137/INA134/INA592 Special Purpose Amplifier Evaluation Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIFFERENTIAL AMPLIFIERSEEED STUDIOCategory: Add-on boards
Description: Amplifier; module,wire jumpers; Grove; screw; IC: INA132
Mounting: screw
Manufacturer series: Grove
Type of accessories for development kits: amplifier
Interface: Grove Interface (4-wire)
Integrated circuit: INA132
Kit contents: module; wire jumpers
Information: product is not a working device, but only component
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Diffuse Reflective Through-beam type laser датчик
Код товару: 213618
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
очікується 2 шт:
2 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
DIFS4
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.