Продукція > DIF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DIF065SIC020DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 550W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 236nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 300A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1770.23 грн
2+1554.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF065SIC020Diotec SemiconductorSiC MOSFETs 650V TO-247-4L, N, 150A, 650V, 20m?, 175°C
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7526.39 грн
10+5800.41 грн
120+3025.12 грн
510+2994.96 грн
1020+2900.79 грн
2520+2564.59 грн
5010+2411.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF065SIC020DIOTECDescription: DIOTEC - DIF065SIC020 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 150 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2239.00 грн
5+2102.00 грн
10+1935.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF065SIC020DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 550W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 236nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2124.28 грн
2+1936.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF065SIC030DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 105A
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF065SIC030DIOTECDescription: DIOTEC - DIF065SIC030 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1743.00 грн
5+1565.56 грн
10+1381.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF065SIC030DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 105A
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF075F065DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 385W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 385W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 172ns
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF075F065Diotec SemiconductorDescription: IGBT, TO-247-4L, N-FAST, 650 V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 162 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/152ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 7.5Ohm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.67 грн
10+279.33 грн
30+234.75 грн
120+181.80 грн
270+164.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF119H00-00B0AmphenolTH349G39GDSN DIOD-LINE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 269nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2042.08 грн
2+1862.19 грн
120+1773.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022Diotec SemiconductorDIF120SIC022
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2760.35 грн
10+2603.21 грн
30+2277.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022Diotec SemiconductorSiC MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175°C
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7356.45 грн
10+5669.27 грн
120+2956.71 грн
510+2927.28 грн
1020+2835.32 грн
2520+2506.47 грн
5010+2357.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 269nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: THT
Case: TO247-4
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1701.74 грн
2+1494.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQDiotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4773.27 грн
30+3449.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC022-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4922.82 грн
5+4645.52 грн
10+4326.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQDiotec SemiconductorDIF120SIC022-AQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 269nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4377.31 грн
120+4164.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQDiotec SemiconductorDIF120SIC022-AQ
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+6781.32 грн
3+6244.96 грн
10+5888.53 грн
30+5162.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQDiotec SemiconductorSiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16808.00 грн
10+12952.78 грн
100+6755.77 грн
500+6688.08 грн
1000+6478.41 грн
2500+5726.55 грн
5000+5385.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 269nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: THT
Case: TO247-4
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3647.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028DIOTEC SEMICONDUCTORDIF120SIC028-DIO THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028Diotec SemiconductorSiC MOSFETs
на замовлення 450 шт:
термін постачання 84-93 дні (днів)
1+7526.39 грн
10+5800.41 грн
120+3025.12 грн
510+2994.96 грн
1020+2900.79 грн
2520+2564.59 грн
5010+2411.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 118A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 80A, 20V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 373 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5691 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053Diotec SemiconductorSiC MOSFETs
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3089.86 грн
10+2380.74 грн
120+1241.83 грн
510+1229.32 грн
1020+1191.07 грн
2520+1052.76 грн
5010+989.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 65A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+791.83 грн
30+452.24 грн
120+384.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053Diotec SemiconductorDIF120SIC053
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1144.45 грн
12+1080.68 грн
30+985.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053DIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC053 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1143.02 грн
5+1048.94 грн
10+949.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053DIOTEC SEMICONDUCTORDIF120SIC053-DIO THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQDiotec SemiconductorDIF120SIC053-AQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQDiotec SemiconductorDIF120SIC053-AQ
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2623.70 грн
10+2424.42 грн
30+2236.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC053-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1922.91 грн
5+1813.97 грн
10+1689.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQDiotec SemiconductorSiC MOSFETs
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6251.82 грн
10+4817.32 грн
100+2512.35 грн
500+2487.34 грн
1000+2410.09 грн
2500+2130.53 грн
5000+2003.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-247-4L N 65A 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2234.63 грн
30+1398.64 грн
120+1347.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF156H00-00D0Amphenol Advanced SensorsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH410J42GBSN-T5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF170SIC049Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 67A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3046 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF175H00-00D0Amphenol Advanced SensorsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH420J34GBNI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF184H00-00D0Amphenol Advanced SensorsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH420J34GBNI (25/85)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF198H00-00D0Amphenol Advanced SensorsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH450J44GBSN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF20SHINDENGEN1808
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIFBA2002S00SPanduit CorpDescription: INLET DUCT FOR CISCO 9396 SWITCH
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Cisco Cabinets
Accessory Type: Air Inlet
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+53682.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIFBA3003S00SPanduit CorpDescription: INLET DUCT FOR CISCO 93128 SWITC
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Cisco Cabinets
Accessory Type: Air Inlet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIFF PRESS 2 CLICKMIKROEMIKROE-4894 Add-on boards
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIFF PRESS 3 CLICKMIKROEMIKROE-5771 Add-on boards
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIFF PRESS 4 CLICKMIKROEMIKROE-5868 Add-on boards
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+6834.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIFF PRESS CLICKMIKROEMIKROE-3332 Add-on boards
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4752.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIFF PRESSURE CLICKMIKROEMIKROE-2387 Add-on boards
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIFFAMP-EVMTexas InstrumentsDescription: DEVELOPMENT AMPLIFIER
Packaging: Box
Amplifier Type: Difference
Board Type: Partially Populated
Utilized IC / Part: 8-DIP Package
Supplied Contents: Board(s)
Channels per IC: 1 - Single
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIFFAMP-EVMTexas InstrumentsINA105/INA106/INA132/INA133/INA134/INA137/INA134/INA592 Special Purpose Amplifier Evaluation Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIFFAMP-EVMTexas InstrumentsINA105/INA106/INA132/INA133/INA134/INA137/INA134/INA592 Special Purpose Amplifier Evaluation Board
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1738.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIFFAMP-EVMTexas InstrumentsAmplifier IC Development Tools DIFFAMP-EVM
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2853.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIFFERENTIAL AMPLIFIERSEEED STUDIOCategory: Add-on boards
Description: Module: amplifier; module,wire jumpers; Grove; screw; IC: INA132
Type of module: amplifier
Kit contents: module; wire jumpers
Interface: Grove Interface (4-wire)
Manufacturer series: Grove
Mounting: screw
Information: product is not a working device, but only component
Integrated circuit: INA132
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIFFERENTIAL AMPLIFIERSEEED STUDIOCategory: Add-on boards
Description: Module: amplifier; module,wire jumpers; Grove; screw; IC: INA132
Type of module: amplifier
Kit contents: module; wire jumpers
Interface: Grove Interface (4-wire)
Manufacturer series: Grove
Mounting: screw
Information: product is not a working device, but only component
Integrated circuit: INA132
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIFS4
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.