Продукція > DIF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DIF065SIC020DIOTECDescription: DIOTEC - DIF065SIC020 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 150 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7227.42 грн
5+6439.20 грн
10+5650.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF065SIC020Diotec SemiconductorSiC MOSFETs 650V TO-247-4L, N, 150A, 650V, 20m?, 175DegC
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2299.60 грн
10+1505.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF065SIC020DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 550W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 236nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2164.66 грн
5+1741.47 грн
30+1576.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF065SIC030DIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIF065SIC030 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4451.96 грн
5+3966.34 грн
10+3480.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF065SIC030DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 105A
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1454.25 грн
5+1159.86 грн
10+1043.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF075F065DIOTECDescription: DIOTEC - DIF075F065 - IGBT, 100 A, 1.65 V, 385 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+427.87 грн
10+335.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIF075F065Diotec SemiconductorDescription: IGBT, TO-247-4L, N-FAST, 650 V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 162 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/152ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 7.5Ohm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.34 грн
10+275.32 грн
30+231.39 грн
120+179.19 грн
270+162.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF075F065DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 385W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 385W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 172ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+386.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022DIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC022 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6189.47 грн
5+5514.32 грн
10+4839.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022Diotec ElectronicsDIF120SIC022
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3506.60 грн
5+3169.09 грн
10+3001.98 грн
30+2537.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022Diotec SemiconductorSiC MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175 Deg C
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2032.79 грн
10+1305.36 грн
510+1121.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1968.82 грн
30+1230.95 грн
120+1183.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 269nC
On-state resistance: 28mΩ
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2461.11 грн
5+1937.86 грн
30+1757.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQDiotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4575.35 грн
30+3359.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 269nC
On-state resistance: 28mΩ
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+4014.78 грн
5+3486.31 грн
30+3260.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC022-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17566.26 грн
5+15649.79 грн
10+13733.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQDiotec ElectronicsDIF120SIC022-AQ
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+6135.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQDiotec SemiconductorSiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+15793.77 грн
10+12171.64 грн
120+6347.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028DIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC028 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0274 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0274ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7304.70 грн
5+6507.53 грн
10+5710.36 грн
50+5196.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028Diotec ElectronicsDIF120SIC028
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2784.58 грн
10+2658.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028Diotec SemiconductorSiC MOSFETs
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6567.72 грн
10+5061.09 грн
120+2639.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 118A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 80A, 20V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 373 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5691 pF @ 1000 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2245.71 грн
30+1420.94 грн
120+1396.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053DIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC053 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1807.47 грн
5+1610.61 грн
10+1412.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053Diotec ElectronicsDIF120SIC053
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1162.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053Diotec SemiconductorSiC MOSFETs
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1625.26 грн
10+1252.44 грн
120+653.31 грн
510+485.28 грн
1020+473.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 65A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+753.80 грн
30+433.66 грн
120+369.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+729.39 грн
5+655.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC053-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6860.56 грн
5+6112.20 грн
10+5363.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQDiotec ElectronicsDIF120SIC053-AQ
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2407.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQDiotec SemiconductorSiC MOSFETs
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6168.32 грн
10+4753.99 грн
120+2478.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-247-4L N 65A 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1816.65 грн
30+1312.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF156H00-00D0Amphenol Advanced SensorsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH410J42GBSN-T5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF170SIC049DIOTECDescription: DIOTEC - DIF170SIC049 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.7 kV, 0.049 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1609.80 грн
5+1414.57 грн
10+1219.35 грн
50+950.97 грн
100+844.35 грн
250+810.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF170SIC049Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 67A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3046 pF @ 1000 V
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1560.15 грн
30+955.88 грн
120+882.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF175H00-00D0Amphenol Advanced SensorsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH420J34GBNI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF184H00-00D0Amphenol Advanced SensorsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH420J34GBNI (25/85)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF198H00-00D0Amphenol Advanced SensorsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH450J44GBSN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF20SHINDENGEN1808
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIFBA2002S00SPanduit CorpDescription: INLET DUCT FOR CISCO 9396 SWITCH
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Cisco Cabinets
Accessory Type: Air Inlet
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+52912.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIFBA3003S00SPanduit CorpDescription: INLET DUCT FOR CISCO 93128 SWITC
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Cisco Cabinets
Accessory Type: Air Inlet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIFFAMP-EVMTexas InstrumentsDescription: DEVELOPMENT AMPLIFIER
Packaging: Box
Amplifier Type: Difference
Board Type: Partially Populated
Utilized IC / Part: 8-DIP Package
Supplied Contents: Board(s)
Channels per IC: 1 - Single
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIFFAMP-EVMTexas InstrumentsINA105/INA106/INA132/INA133/INA134/INA137/INA134/INA592 Special Purpose Amplifier Evaluation Board
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2122.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIFFAMP-EVMTexas InstrumentsAmplifier IC Development Tools DIFFAMP-EVM
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2704.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIFFAMP-EVMTexas InstrumentsINA105/INA106/INA132/INA133/INA134/INA137/INA134/INA592 Special Purpose Amplifier Evaluation Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIFFERENTIAL AMPLIFIERSEEED STUDIOCategory: Add-on boards
Description: Amplifier; module,wire jumpers; Grove; screw; IC: INA132
Type of accessories for development kits: amplifier
Kit contents: module; wire jumpers
Interface: Grove Interface (4-wire)
Application - series/manufacturer: Grove
Mounting: screw
Information: product is not a working device, but only component
Integrated circuit: INA132
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Diffuse Reflective Through-beam type laser датчик
Код товару: 213618
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIFS4
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.