Продукція > DMH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DMH-02-GWAdam TechHeaders & Wire Housings CONNECTOR, WIRE HOUSING, 4.20MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-02-SAdam TechDescription: CONN RCPT HSG 2POS 4.20MM
Packaging: Bag
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 2
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1
на замовлення 3092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.36 грн
25+12.28 грн
27+11.33 грн
50+10.00 грн
100+9.40 грн
250+8.66 грн
500+8.01 грн
1000+7.54 грн
3000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-02-SAdam TechHeaders & Wire Housings CONN RCPT HSG 2POS 4.20MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-02-S1-GWAdam TechHeaders & Wire Housings CONNECTOR, WIRE HOUSING, 4.20MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-02-S3-GWAdam TechHeaders & Wire Housings
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-04ADAM TECHDMH-04 Raster signal connectors 4,20mm
на замовлення 4008 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
26+12.33 грн
209+5.60 грн
573+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-04-SADAM TECHDMH-04-S Raster signal connectors 4,20mm
на замовлення 386 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
21+15.72 грн
118+9.96 грн
323+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-06Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 6POS 4.20MM
Packaging: Bag
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 6
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.36 грн
24+12.35 грн
26+11.42 грн
50+10.06 грн
100+9.47 грн
250+8.73 грн
500+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-06Adam TechHeaders & Wire Housings CONN RCPT HSG 6POS 4.20MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-06-GWAdam TechHeaders & Wire Housings CONNECTOR, WIRE HOUSING, 4.20MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-06-SGAdam TechHeaders & Wire Housings 4.2MM LATCHING HSG 2*3P WIRE M V-2 NAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-06-V0Adam TechHeaders & Wire Housings CONN RCPT HSG 6POS 4.20MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-06-V0Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 6POS 4.20MM
Packaging: Bag
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 6
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.36 грн
24+12.35 грн
26+11.42 грн
50+10.06 грн
100+9.47 грн
250+8.73 грн
500+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-08Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 8POS 4.20MM
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-08-V0Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 8POS 4.20MM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-12Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 12POS 4.20MM
Packaging: Bag
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 12
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+9.99 грн
38+7.99 грн
100+6.79 грн
500+5.68 грн
1000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-18Adam TechHeaders & Wire Housings CONN RCPT HSG 18POS 4.20MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-18Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 18POS 4.20MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 18
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-22Adam TechnologiesWire to Board, Pin Header Housing Latching 22P Dual Row 4.20mm Pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-22Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 22POS 4.20MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 22
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.30 грн
10+46.52 грн
100+38.37 грн
500+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-24Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 24POS 4.20MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 24
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.33 грн
10+29.88 грн
100+24.66 грн
500+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-A-001Cinch Connectivity SolutionsDescription: CONN BACKSHELL 15POS 180DEG SHLD
Packaging: Bulk
Features: Mating Screws 4-40
Color: Silver
Material: Metal, Zinc
Shielding: Shielded
Number of Positions: 15
Accessory Type: Two Piece Backshell
Hardware: Assembly Hardware, Grommets
Cable Exit: 180°
Cable Type: Round
Part Status: Obsolete
Primary Material: Metal
Compatible Shell Size: A
Compatible D-Sub Size: 15pos and HD26pos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-A-003CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONSDescription: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - DMH-A-003 - D-Sub-Endgehäuse, DMH Series, DA, 180°, Gehäuse aus Zink
tariffCode: 85369095
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DA
Kabelausgangswinkel: 180
Steckverbindermaterial: Gehäuse aus Zink
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: DMH Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+520.15 грн
10+479.52 грн
25+436.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-A-003CinchD-Sub Backshells 15P METAL 2 PC HOOD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-A-003Cinch Connectivity SolutionsDescription: CONN BACKSHELL 15POS 180DEG SHLD
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-A-C-F-BAdam TechHeaders & Wire Housings WIRE TO BOARD, PIN HEADER CRIMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-A-C-F-BAdam TechDescription: WIRE TO BOARD, PIN HEADER CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Contact Termination: Crimp
Wire Gauge: 22-26 AWG
Type: Stamped
Pin or Socket: Socket
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-A-C-F-BAdam TechnologiesDMH-A-C-F-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-A-C-F-BAdam TechDescription: WIRE TO BOARD, PIN HEADER CRIMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Contact Finish: Tin
Contact Termination: Crimp
Wire Gauge: 22-26 AWG
Type: Stamped
Pin or Socket: Socket
на замовлення 8066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.68 грн
58+5.18 грн
61+4.85 грн
65+4.33 грн
100+4.12 грн
250+3.87 грн
500+3.62 грн
1000+3.45 грн
2500+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-B-003Cinch Connectivity SolutionsDescription: CONN BACKSHELL DB25 DIECAST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-B-C-F-RAdam TechDescription: 4.2MM TERM M 18-22AWG BRASS TIN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-B-C-F-RADAM TECHDMH-B-C-F-R Raster signal connectors 4,20mm
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
60+5.32 грн
705+1.66 грн
1938+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-B-C-F-RAdam TechDescription: 4.2MM TERM M 18-22AWG BRASS TIN
на замовлення 5755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-B2-C-F-G-RAdam TechHeaders & Wire Housings Socket Contact 16-20 AWG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-C-001CinchD-Sub Backshells 37P METAL 2 PC HOOD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-E-001Cinch Connectivity SolutionsDescription: CONN BACKSHELL DB9 DIECAST STR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-E-003CinchD-Sub Backshells 9C 2PC METAL BCKSHLL
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-E-003CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONSDescription: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - DMH-E-003 - TWO PIECE D SUB BACKSHELL, SIZE DE, ZINC
tariffCode: 85366910
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-E-003Cinch Connectivity SolutionsDescription: CONN BACKSHELL 9POS 180DEG SHLD
Packaging: Bulk
Features: Mating Screws 4-40
Color: Silver
Material: Metal, Zinc
Shielding: Shielded
Number of Positions: 9
Accessory Type: Two Piece Backshell
Hardware: Assembly Hardware, Grommets
Cable Exit: 180°
Cable Type: Round
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHA003Cinch Connectivity SolutionsBackshell 180° A Shell Size Zinc Steel
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+881.81 грн
25+639.02 грн
50+603.92 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMHA003Cinch Connectivity SolutionsBackshell 180° A Shell Size Zinc Steel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHA14R5V353M4ATA0CAP-XX Ltd SupercapacitorsDescription: CAP 35MF 2.25V -40-+85C
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD
Size / Dimension: 0.787" L x 0.787" W (20.00mm x 20.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
ESR (Equivalent Series Resistance): 300mOhm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Part Status: Active
Capacitance: 35 mF
Voltage - Rated: 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHA14R5V353M4ATA0Murata ElectronicsSupercapacitors / Ultracapacitors 4.5V 35mF 20% ESR 300mOhms SuperCap
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHB003Cinch Connectivity SolutionsBackshell 180° B Shell Size Zinc Steel
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+593.25 грн
25+548.00 грн
50+511.64 грн
100+460.53 грн
250+402.26 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMHB003Cinch Connectivity SolutionsBackshell 180° B Shell Size Zinc Steel
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+593.25 грн
25+548.00 грн
50+511.64 грн
100+460.53 грн
250+402.26 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMHB003Cinch Connectivity SolutionsBackshell 180° B Shell Size Zinc Steel
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1002.13 грн
27+648.95 грн
51+631.51 грн
102+535.25 грн
252+433.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC1000-1-1/2AEssentraConduit Fittings & Accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC1000-1/2AEssentraConduit Fittings & Accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC1000-1AEssentraConduit Fittings & Accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC10H170SFJ
Код товару: 190608
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC10H170SFJDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC10H170SFJ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2.9A/2.3A 12-Pin VDFN EP T/R
на замовлення 279000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC10H170SFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC10H170SFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC10H170SFJ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.9 A, 2.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.111ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VDFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.111ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.13 грн
11+74.56 грн
100+52.41 грн
500+47.41 грн
1000+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC10H170SFJ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2.9A/2.3A 12-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC10H170SFJ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V Comp Enh FET 20Vgs w/ H-Bridge
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.06 грн
10+79.30 грн
100+46.02 грн
500+36.39 грн
1000+33.46 грн
3000+28.54 грн
6000+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC10H170SFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active
на замовлення 3423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.29 грн
10+72.86 грн
100+48.98 грн
500+36.36 грн
1000+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC10H170SFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC10H170SFJ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.9 A, 2.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.111ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VDFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.111ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.41 грн
500+47.41 грн
1000+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC1250-1-1/2AEssentraConduit Fittings & Accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC1250-1/2AEssentraConduit Fittings & Accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC1250-1AEssentraConduit Fittings & Accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC1500-1-1/2AEssentraConduit Fittings & Accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC1500-1/2AEssentraConduit Fittings & Accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC1500-1AEssentraConduit Fittings & Accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD
Код товару: 114074
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSDDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13
Код товару: 181374
Додати до обраних Обраний товар

Мікросхеми > Транзисторні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 32233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.03 грн
10+52.22 грн
100+34.47 грн
500+25.20 грн
1000+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13DIODES INCORPORATEDDMHC3025LSD-13 SMD N channel transistors
на замовлення 474 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+102.81 грн
34+35.21 грн
92+33.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V Comp ENH Mode H-Bridge 20V VGSS
на замовлення 55260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.62 грн
10+54.49 грн
100+31.34 грн
500+24.65 грн
1000+22.26 грн
2500+18.43 грн
5000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.01 грн
50+56.32 грн
100+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 455
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.91 грн
5000+19.51 грн
7500+18.70 грн
12500+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V Comp Enh FET H-Bridge 2xN 2xP
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.18 грн
10+60.62 грн
100+35.03 грн
500+27.45 грн
1000+24.99 грн
2500+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.48 грн
10+57.40 грн
100+38.07 грн
500+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V Comp H-Bridge ENH FET 20VGS
на замовлення 10263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.06 грн
10+51.59 грн
100+34.07 грн
500+27.45 грн
1000+24.99 грн
2500+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574pF @ 20V, 587pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V, 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.48 грн
10+57.40 грн
100+38.07 грн
500+27.95 грн
1000+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/3.7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC4035LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.026ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.81 грн
100+34.17 грн
500+27.66 грн
1000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
334+38.75 грн
338+38.37 грн
372+34.80 грн
381+32.76 грн
500+28.98 грн
1000+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 334
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574pF @ 20V, 587pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V, 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.40 грн
5000+21.77 грн
7500+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.16 грн
18+41.52 грн
25+41.11 грн
100+35.95 грн
250+32.50 грн
500+29.81 грн
1000+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC4035LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.026ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.17 грн
500+27.66 грн
1000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSD-13-52Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/3.7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC4035LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.026ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.24 грн
10+82.04 грн
100+54.72 грн
500+40.02 грн
1000+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13Diodes Zetex40V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 21325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.45 грн
10+64.86 грн
100+39.46 грн
500+31.82 грн
1000+29.36 грн
2500+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574pF @ 20V, 587pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V, 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 56669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.59 грн
10+73.74 грн
100+49.36 грн
500+36.53 грн
1000+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13Diodes Zetex40V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Automotive AEC-Q101
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC4035LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.026ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.72 грн
500+40.02 грн
1000+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574pF @ 20V, 587pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V, 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13-52Diodes Zetex40V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC6070LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC6070LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.72 грн
11+73.52 грн
100+50.42 грн
500+37.43 грн
1000+34.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC6070LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2.4A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC6070LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V, 618pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 6573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.36 грн
10+74.41 грн
100+49.86 грн
500+36.91 грн
1000+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC6070LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC6070LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.42 грн
500+37.43 грн
1000+34.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC6070LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 11437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.09 грн
10+73.57 грн
100+42.81 грн
500+33.80 грн
1000+30.86 грн
2500+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC6070LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2.4A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC6070LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V, 618pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMHE001Cinch Connectivity SolutionsDescription: DSUB 9 METAL DIE CAST B/S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHE003Cinch Connectivity SolutionsHood 180° E Shell Size Die Cast
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHOND01BASSERD.MDF.HONDA01 MDF Mounting Accessories
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+711.59 грн
3+573.97 грн
9+527.62 грн
10+495.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMHOND02BASSERD.MDF.HONDA02 MDF Mounting Accessories
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+822.04 грн
2+662.73 грн
8+609.48 грн
10+572.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMHOND03BASSERD.MDF.HONDA03 MDF Mounting Accessories
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+822.04 грн
2+662.73 грн
8+609.48 грн
10+572.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMHOND04BASSERD.MDF.HONDA04 MDF Mounting Accessories
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+716.90 грн
2+616.38 грн
9+567.07 грн
10+512.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMHOND05BASSERD.MDF.HONDA05 MDF Mounting Accessories
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+931.43 грн
2+750.50 грн
7+690.34 грн
10+648.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMHS-1Greenlee CommunicationsDescription: STRAP DMM HANGING
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT10H032LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: DFN5045
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
Verlustleistung: 900mW
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
Dauer-Drainstrom Id: 6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
usEccn: EAR99
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 900mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+202.32 грн
10+150.55 грн
100+135.41 грн
500+101.33 грн
1000+88.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT10H032LFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 100V 6A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT10H032LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+135.41 грн
500+101.33 грн
1000+88.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT10H032LFJ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN5045-12 T and R 3K
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.73 грн
10+146.83 грн
100+115.39 грн
500+101.05 грн
1000+94.90 грн
3000+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT3006LFJ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 9578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.98 грн
10+69.57 грн
100+43.22 грн
500+36.05 грн
1000+33.05 грн
3000+28.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT3006LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT3006LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 30 V, 30 V, 13 A, 13 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.59 грн
500+45.34 грн
1000+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT3006LFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 30V 13A 12VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C)
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.29 грн
10+72.19 грн
100+48.49 грн
500+35.99 грн
1000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT3006LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT3006LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 30 V, 30 V, 13 A, 13 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.81 грн
11+74.08 грн
100+57.59 грн
500+45.34 грн
1000+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT3006LFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 30V 13A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT3006LFJ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 80A; 2.1W
Case: V-DFN5045-12
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
Drain current: 10A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT6016LFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT6016LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT6016LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.09 грн
10+108.33 грн
100+77.50 грн
500+67.16 грн
1000+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT6016LFJ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+163.29 грн
10+103.64 грн
100+61.65 грн
500+49.09 грн
1000+47.32 грн
3000+44.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT6016LFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active
на замовлення 18959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.39 грн
10+95.56 грн
100+65.19 грн
500+48.97 грн
1000+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT6016LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT6016LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.50 грн
500+67.16 грн
1000+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMHYUN01BASSERD.MDF.HYUNDAI01 MDF Mounting Accessories
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+492.80 грн
3+397.44 грн
10+343.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMHYUN02BASSERD.MDF.HYUNDAI02 MDF Mounting Accessories
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+931.43 грн
2+750.50 грн
7+690.34 грн
10+648.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.