Продукція > DMH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DMH-02-GWAdam TechHeaders & Wire Housings CONNECTOR, WIRE HOUSING, 4.20MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-02-SAdam TechDescription: CONN RCPT HSG 2POS 4.20MM
Packaging: Bag
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 2
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1
на замовлення 3092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.92 грн
25+12.72 грн
27+11.74 грн
50+10.36 грн
100+9.74 грн
250+8.98 грн
500+8.30 грн
1000+7.81 грн
3000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-02-SAdam TechHeaders & Wire Housings CONN RCPT HSG 2POS 4.20MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-02-S1-GWAdam TechHeaders & Wire Housings CONNECTOR, WIRE HOUSING, 4.20MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-02-S3-GWAdam TechHeaders & Wire Housings
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-04ADAM TECHDMH-04 Raster signal connectors 4,20mm
на замовлення 2699 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
21+14.76 грн
184+5.89 грн
506+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-04-SADAM TECHDMH-04-S Raster signal connectors 4,20mm
на замовлення 797 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
19+16.44 грн
104+10.39 грн
285+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-05-SAdam TechnologiesHousing F 5 POS 4.2mm Pitch Crimp Straight Cable Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-06Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 6POS 4.20MM
Packaging: Bag
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 6
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.92 грн
24+12.80 грн
26+11.83 грн
50+10.43 грн
100+9.81 грн
250+9.04 грн
500+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-06Adam TechHeaders & Wire Housings CONN RCPT HSG 6POS 4.20MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-06-GWAdam TechHeaders & Wire Housings CONNECTOR, WIRE HOUSING, 4.20MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-06-SGAdam TechHeaders & Wire Housings 4.2MM LATCHING HSG 2*3P WIRE M V-2 NAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-06-V0Adam TechHeaders & Wire Housings CONN RCPT HSG 6POS 4.20MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-06-V0Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 6POS 4.20MM
Packaging: Bag
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 6
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.92 грн
24+12.80 грн
26+11.83 грн
50+10.43 грн
100+9.81 грн
250+9.04 грн
500+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-08Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 8POS 4.20MM
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-08-V0Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 8POS 4.20MM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-12Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 12POS 4.20MM
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-18Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 18POS 4.20MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 18
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.69 грн
10+43.68 грн
100+33.44 грн
500+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-18Adam TechnologiesConn Housing F 18 POS 4.2mm Crimp ST Cable Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-18Adam TechHeaders & Wire Housings CONN RCPT HSG 18POS 4.20MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-22Adam TechnologiesWire to Board, Pin Header Housing Latching 22P Dual Row 4.20mm Pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-22Adam TechnologiesWire to Board, Pin Header Housing Latching 22P Dual Row 4.20mm Pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-22Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 22POS 4.20MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 22
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.30 грн
10+48.20 грн
100+39.75 грн
500+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-24Adam TechnologiesWire to Board, Pin Header Housing Latching 24P Dual Row 4.20mm Pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-24Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 24POS 4.20MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 24
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.61 грн
10+30.96 грн
100+25.55 грн
500+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-A-001Cinch Connectivity SolutionsDescription: CONN BACKSHELL 15POS 180DEG SHLD
Packaging: Bulk
Features: Mating Screws 4-40
Color: Silver
Material: Metal, Zinc
Shielding: Shielded
Number of Positions: 15
Accessory Type: Two Piece Backshell
Hardware: Assembly Hardware, Grommets
Cable Exit: 180°
Cable Type: Round
Part Status: Obsolete
Primary Material: Metal
Compatible Shell Size: A
Compatible D-Sub Size: 15pos and HD26pos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-A-003CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONSDescription: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - DMH-A-003 - D-Sub-Endgehäuse, DMH Series, DA, 180°, Gehäuse aus Zink
tariffCode: 85369095
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DA
Kabelausgangswinkel: 180
Steckverbindermaterial: Gehäuse aus Zink
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: DMH Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+538.91 грн
10+496.82 грн
25+452.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-A-003CinchD-Sub Backshells 15P METAL 2 PC HOOD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-A-003Cinch Connectivity SolutionsDescription: CONN BACKSHELL 15POS 180DEG SHLD
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-A-003BELDMHA003-BEL D-Sub housings
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-A-C-F-BAdam TechHeaders & Wire Housings WIRE TO BOARD, PIN HEADER CRIMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-A-C-F-BAdam TechnologiesDMH-A-C-F-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-A-C-F-BAdam TechDescription: WIRE TO BOARD, PIN HEADER CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Contact Termination: Crimp
Wire Gauge: 22-26 AWG
Type: Stamped
Pin or Socket: Socket
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-A-C-F-BAdam TechnologiesWire to Board, Pin Header Crimp Terminal Female 22-24 Awg 4.2mm Reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-A-C-F-BAdam TechDescription: WIRE TO BOARD, PIN HEADER CRIMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Contact Finish: Tin
Contact Termination: Crimp
Wire Gauge: 22-26 AWG
Type: Stamped
Pin or Socket: Socket
на замовлення 8066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.96 грн
58+5.36 грн
61+5.03 грн
65+4.49 грн
100+4.27 грн
250+4.01 грн
500+3.75 грн
1000+3.57 грн
2500+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-B-003Cinch Connectivity SolutionsDescription: CONN BACKSHELL DB25 DIECAST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-B-C-F-BAdam TechnologiesWire to Board, Pin Header Crimp Terminal Female 18-22 Awg 4.2mm Loose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-B-C-F-RADAM TECHDMH-B-C-F-R Raster signal connectors 4,20mm
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
81+3.68 грн
622+1.73 грн
1710+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-B-C-F-RAdam TechDescription: 4.2MM TERM M 18-22AWG BRASS TIN
на замовлення 5755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-B-C-F-RAdam TechDescription: 4.2MM TERM M 18-22AWG BRASS TIN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-C-001CinchD-Sub Backshells 37P METAL 2 PC HOOD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-E-001Cinch Connectivity SolutionsDescription: CONN BACKSHELL DB9 DIECAST STR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-E-003CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONSDescription: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - DMH-E-003 - TWO PIECE D SUB BACKSHELL, SIZE DE, ZINC
tariffCode: 85366910
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DE
Kabelausgangswinkel: 180
Steckverbindermaterial: Zinc Body
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: DMH Series
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-E-003CinchD-Sub Backshells 9C 2PC METAL BCKSHLL
на замовлення 2686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+561.33 грн
10+529.62 грн
25+431.11 грн
100+396.53 грн
250+367.84 грн
1000+312.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMH-E-003Cinch Connectivity SolutionsDescription: CONN BACKSHELL 9POS 180DEG SHLD
Packaging: Bulk
Features: Mating Screws 4-40
Color: Silver
Material: Metal, Zinc
Shielding: Shielded
Number of Positions: 9
Accessory Type: Two Piece Backshell
Hardware: Assembly Hardware, Grommets
Cable Exit: 180°
Cable Type: Round
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHA003Cinch Connectivity SolutionsBackshell 180° A Shell Size Zinc Steel
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+831.71 грн
25+602.71 грн
50+569.61 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMHA003Cinch Connectivity SolutionsBackshell 180° A Shell Size Zinc Steel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHA14R5V353M4ATA0CAP-XX Ltd SupercapacitorsDescription: CAP 35MF 2.25V -40-+85C
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: 4-SMD
Size / Dimension: 0.787" L x 0.787" W (20.00mm x 20.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
ESR (Equivalent Series Resistance): 300mOhm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Part Status: Active
Capacitance: 35 mF
Voltage - Rated: 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHA14R5V353M4ATA0Murata ElectronicsCap Supercap 35000uF 4.5V 20% (20 X 20 X 0.4mm) SMD Gull Wing Flat 60uA 0.3 Ohm 85C Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHA14R5V353M4ATA0Murata ElectronicsSupercapacitors / Ultracapacitors 4.5V 35mF 20% ESR 300mOhms SuperCap
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHB003Cinch Connectivity SolutionsBackshell 180° B Shell Size Zinc Steel
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+945.20 грн
27+612.08 грн
51+595.63 грн
102+504.84 грн
252+408.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMHB003Cinch Connectivity SolutionsBackshell 180° B Shell Size Zinc Steel
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+559.55 грн
25+516.87 грн
50+482.57 грн
100+434.37 грн
250+379.41 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMHB003Cinch Connectivity SolutionsBackshell 180° B Shell Size Zinc Steel
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+559.55 грн
25+516.87 грн
50+482.57 грн
100+434.37 грн
250+379.41 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC1000-1-1/2AEssentraConduit Fittings & Accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC1000-1/2AEssentraConduit Fittings & Accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC1000-1AEssentraConduit Fittings & Accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC10H170SFJDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC10H170SFJ
Код товару: 190608
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC10H170SFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC10H170SFJ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.9 A, 2.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.111ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VDFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.111ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.30 грн
500+49.12 грн
1000+44.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC10H170SFJ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2.9A/2.3A 12-Pin VDFN EP T/R
на замовлення 279000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC10H170SFJ-13Diodes IncTrans MOSFET N/P-CH 100V 2.9A/2.3A 12-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC10H170SFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active
на замовлення 42007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.29 грн
10+83.07 грн
100+54.85 грн
500+41.45 грн
1000+37.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC10H170SFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC10H170SFJ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.9 A, 2.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.111ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VDFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.111ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.06 грн
11+77.25 грн
100+54.30 грн
500+49.12 грн
1000+44.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC10H170SFJ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2.9A/2.3A 12-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC10H170SFJ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V Comp Enh FET 20Vgs w/ H-Bridge
на замовлення 3257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.71 грн
10+75.80 грн
100+46.20 грн
500+37.45 грн
1000+34.58 грн
3000+33.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC10H170SFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.02 грн
6000+34.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC10H170SFJ-13DIODES INCORPORATEDDMHC10H170SFJ-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC1250-1-1/2AEssentraConduit Fittings & Accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC1250-1/2AEssentraConduit Fittings & Accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC1250-1AEssentraConduit Fittings & Accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC1500-1-1/2AEssentraConduit Fittings & Accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC1500-1/2AEssentraConduit Fittings & Accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC1500-1AEssentraConduit Fittings & Accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSDDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD
Код товару: 114074
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V; 1.5W
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.7/11.4nC
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-4.2A
On-state resistance: 25/50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+60.25 грн
10+44.29 грн
33+27.43 грн
90+25.90 грн
500+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13
Код товару: 181374
Додати до обраних Обраний товар

Мікросхеми > Транзисторні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13Diodes IncTrans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 455
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 62615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.31 грн
10+56.02 грн
100+35.54 грн
500+26.09 грн
1000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V; 1.5W
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.7/11.4nC
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-4.2A
On-state resistance: 25/50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.29 грн
10+55.20 грн
33+32.92 грн
90+31.08 грн
500+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V Comp ENH Mode H-Bridge 20V VGSS
на замовлення 65946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.35 грн
10+53.38 грн
100+32.15 грн
500+25.75 грн
1000+23.54 грн
2500+21.26 грн
5000+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.13 грн
5000+21.54 грн
7500+20.69 грн
12500+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.61 грн
50+58.35 грн
100+40.36 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSDQ-13DIODES INCORPORATEDDMHC3025LSDQ-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V Comp Enh FET H-Bridge 2xN 2xP
на замовлення 7329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.28 грн
10+57.19 грн
100+35.61 грн
500+28.62 грн
1000+26.19 грн
2500+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSDQ-13Diodes IncTrans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A Automotive 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+36.91 грн
18+33.94 грн
25+33.60 грн
100+29.39 грн
250+26.56 грн
500+24.37 грн
1000+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574pF @ 20V, 587pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V, 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 29581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.97 грн
10+41.54 грн
100+32.45 грн
500+27.77 грн
1000+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC4035LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.026ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.40 грн
500+28.66 грн
1000+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSD-13Diodes IncTrans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/3.7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V Comp H-Bridge ENH FET 20VGS
на замовлення 39963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.78 грн
10+48.39 грн
100+31.05 грн
500+27.37 грн
1000+26.12 грн
2500+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574pF @ 20V, 587pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V, 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 29500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.46 грн
5000+23.65 грн
7500+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/3.7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSD-13DIODES INCORPORATEDDMHC4035LSD-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC4035LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.026ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+45.39 грн
100+35.40 грн
500+28.66 грн
1000+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
334+36.55 грн
338+36.19 грн
372+32.82 грн
381+30.90 грн
500+27.34 грн
1000+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 334
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSD-13-52Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/3.7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574pF @ 20V, 587pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V, 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 56669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.94 грн
10+76.40 грн
100+51.15 грн
500+37.85 грн
1000+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13DIODES INCORPORATEDDMHC4035LSDQ-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC4035LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.026ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.83 грн
12+70.07 грн
100+49.02 грн
500+36.71 грн
1000+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13Diodes Zetex40V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 21325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.69 грн
10+69.88 грн
100+42.52 грн
500+34.28 грн
1000+31.63 грн
2500+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574pF @ 20V, 587pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V, 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13Diodes Inc40V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13Diodes Zetex40V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Automotive AEC-Q101
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC4035LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.026ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.02 грн
500+36.71 грн
1000+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13-52Diodes Zetex40V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC6070LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC6070LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.24 грн
500+38.78 грн
1000+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC6070LSD-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 3786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.12 грн
10+72.84 грн
100+49.36 грн
500+41.79 грн
1000+34.06 грн
2500+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC6070LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2.4A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC6070LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V, 618pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 6573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.74 грн
10+77.09 грн
100+51.66 грн
500+38.24 грн
1000+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC6070LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC6070LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.71 грн
11+76.17 грн
100+52.24 грн
500+38.78 грн
1000+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC6070LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2.4A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC6070LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V, 618pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC6070LSD-13DIODES INCORPORATEDDMHC6070LSD-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHE001Cinch Connectivity SolutionsDescription: DSUB 9 METAL DIE CAST B/S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHE003Cinch Connectivity SolutionsHood 180° E Shell Size Die Cast
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHOND01BASSERD.MDF.HONDA01 MDF Mounting Accessories
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+596.19 грн
3+480.95 грн
10+442.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMHOND02BASSERD.MDF.HONDA02 MDF Mounting Accessories
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+688.29 грн
2+554.52 грн
9+510.38 грн
10+478.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMHOND03BASSERD.MDF.HONDA03 MDF Mounting Accessories
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+688.29 грн
2+554.52 грн
9+510.38 грн
10+478.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMHOND04BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Honda; impregnated; 2pcs.
Quantity in set/package: 2pcs.
Material: MDF
Internal diameter: 144mm
Thickness: 32mm
Application - loudspeaker localisation: Honda Odysey front doors
Application - car brand: Honda
Application - car model: Honda Odyssey 2003->2010
Type of car audio accessories: spacer ring
Car Audio features: impregnated
Loudspeaker size: 165mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1064.62 грн
2+938.74 грн
3+878.22 грн
5+767.87 грн
10+722.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMHOND04BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Honda; impregnated; 2pcs.
Quantity in set/package: 2pcs.
Material: MDF
Internal diameter: 144mm
Thickness: 32mm
Application - loudspeaker localisation: Honda Odysey front doors
Application - car brand: Honda
Application - car model: Honda Odyssey 2003->2010
Type of car audio accessories: spacer ring
Car Audio features: impregnated
Loudspeaker size: 165mm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+887.18 грн
2+753.31 грн
3+731.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMHOND05BASSERD.MDF.HONDA05 MDF Mounting Accessories
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+781.38 грн
2+629.01 грн
8+578.43 грн
10+543.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMHS-1Greenlee CommunicationsDescription: STRAP DMM HANGING
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT10H032LFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 100V 6A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT10H032LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.68 грн
10+106.46 грн
100+104.81 грн
500+86.60 грн
1000+76.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT10H032LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.81 грн
500+86.60 грн
1000+76.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT10H032LFJ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN5045-12 T&R 3K
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.23 грн
10+121.83 грн
100+104.47 грн
500+102.26 грн
1000+95.64 грн
3000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT3006LFJ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 10048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.58 грн
10+82.83 грн
100+49.36 грн
500+39.58 грн
1000+36.42 грн
3000+33.55 грн
6000+33.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT3006LFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 30V 13A 12VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C)
на замовлення 8760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.70 грн
10+82.23 грн
100+55.27 грн
500+41.02 грн
1000+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT3006LFJ-13Diodes IncHigh Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT3006LFJ-13DIODES INCORPORATEDDMHT3006LFJ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT3006LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT3006LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 30 V, 30 V, 13 A, 13 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.62 грн
500+41.38 грн
1000+35.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT3006LFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 30V 13A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.62 грн
6000+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT3006LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT3006LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 30 V, 30 V, 13 A, 13 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.11 грн
11+81.13 грн
100+55.62 грн
500+41.38 грн
1000+35.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT6016LFJ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 7007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.05 грн
10+103.22 грн
100+63.42 грн
250+63.34 грн
500+51.87 грн
1000+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT6016LFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT6016LFJ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 60A; 2.7W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.9A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: V-DFN5045-12
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT6016LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT6016LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.30 грн
500+69.58 грн
1000+59.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT6016LFJ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 60A; 2.7W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.9A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: V-DFN5045-12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT6016LFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active
на замовлення 25928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.08 грн
10+108.51 грн
100+74.00 грн
500+55.59 грн
1000+51.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT6016LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT6016LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.01 грн
10+112.24 грн
100+80.30 грн
500+69.58 грн
1000+59.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMHYUN01BASSERD.MDF.HYUNDAI01 MDF Mounting Accessories
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+412.97 грн
4+332.90 грн
10+288.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMHYUN02BASSERD.MDF.HYUNDAI02 MDF Mounting Accessories
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+781.38 грн
2+629.01 грн
8+578.43 грн
10+543.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.