Продукція > DN2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DN2000 | SI | CAN | на замовлення 695 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2027A | Noritake Company Inc. | Description: MODULE DISPLAY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2029DB | NORITAKE Itron | Category: VFD displays Description: Display: VFD; alphanumeric; 20x2; Char: 9mm; 700cd/m2; serial Type of display: VFD Kind of display: alphanumeric Luminosity: 700cd/m2 Operating temperature: -40...85°C Storage temperature: -40...85°C Colour: green (blue-green) Interface: serial Number of pins: 25 Connector pinout layout: 1x3; 1x19 Contacts pitch: 2.54mm Dimensions: 188x39x9mm Window dimensions (H x W): 158.6x22.5mm Supply voltage: 4.5...5.5V DC Digit height: 9mm Number of characters (columns x lines): 20x2 Character width: 5.25mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN20B-20S(50) | Hirose Connector | D-Sub High Density Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN20B-20S(70) | Hirose Connector | D-Sub High Density Connectors CONN D-TYPE RCPT POS T/H | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN20B-20S(70) | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN D-TYPE RCPT 20POS VERT SLDR Packaging: Tray Connector Type: Receptacle, Female Sockets Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 3A Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 20 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (M3); Latchblocks Termination: Solder Connector Style: D-Type Contact Finish Thickness: 11.8µin (0.30µm) Material Flammability Rating: UL94 V-0 Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated Shell Size, Connector Layout: 0.100 Pitch x 0.100 Row to Row Part Status: Active Primary Material: Metal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN20B-36S(50) | Hirose Connector | D-Sub High Density Connectors | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN20B-36S(57) | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN D-TYPE RCPT POS T/H Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN20B-36S(57) | Hirose Connector | D-Sub High Density Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN20B-36S(70) | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN D-TYPE RCPT POS T/H Packaging: Tray Connector Type: Receptacle, Female Sockets Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 3A Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 36 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (M3); Latchblocks Termination: Solder Connector Style: D-Type Contact Finish Thickness: 11.8µin (0.30µm) Material Flammability Rating: UL94 V-0 Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated Shell Size, Connector Layout: 0.100 Pitch x 0.100 Row to Row Part Status: Active Primary Material: Metal | на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN20B-36S(70) | Hirose Connector | D-Sub High Density Connectors CONN D-TYPE RCPT POS T/H | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN20B-50S(50) | Hirose Connector | D-Sub High Density Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN20B-50S(51) | Hirose Connector | D-Sub High Density Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN20B-50S(57) | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN D-TYPE RCPT POS T/H Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN20B-50S(57) | Hirose Connector | D-Sub High Density Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN20B-50S(70) | Hirose Connector | D-Sub High Density Connectors CONN D-TYPE RCPT POS T/H | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN20B-50S(70) | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN D-TYPE RCPT POS T/H Packaging: Tray Connector Type: Receptacle, Female Sockets Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 3A Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 50 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (M3); Latchblocks Termination: Solder Connector Style: D-Type Contact Finish Thickness: 11.8µin (0.30µm) Material Flammability Rating: UL94 V-0 Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated Shell Size, Connector Layout: 0.100 Pitch x 0.100 Row to Row Part Status: Active Primary Material: Metal | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2130 | Vishay | 2003 | на замовлення 33 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2181 | SILICONIX | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| DN2206LR5 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: PLAIN DOOR 2200X600 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2206R5 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: PLAIN DOOR 2200X600 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2206RR5 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: PLAIN DOOR 2200X600 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2237TR-ND | на замовлення 55990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DN2272 | Vishay | 2003 | на замовлення 63 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN230-20GP | Hirose Electric Co Ltd | Description: TOOLING | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN230-20GP | Hirose Connector | Crimpers TOOLING | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN230-28GP | Hirose Connector | Crimpers TOOLING | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN230-28GP | Hirose Electric Co Ltd | Description: TOOLING | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN230-36GP | Hirose Electric Co Ltd | Description: TOOLING Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN230-36GP | Hirose Connector | Crimpers / Crimping Tools TOOLING | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN230-50GP | Hirose Electric Co Ltd | Description: TOOLING | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN230-50GP | Hirose Connector | Crimpers TOOLING | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN231-GP | Hirose Connector | Crimpers TOOLING | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN231-GP | Hirose Electric Co Ltd | Description: TOOLING | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN231-PB | Hirose Electric Co Ltd | Description: TOOLING | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN231-PB | Hirose Connector | Crimpers TOOLING | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2450K4-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2450K4-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2450K4-G | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET DEPLETION MODE 500V 10 Ohms | на замовлення 1946 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2450K4-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 350MA TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 300mA, 0V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | на замовлення 2391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2450K4-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 350mA; Idm: 1A; 2.5W; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET Case: TO252 Polarisation: unipolar Drain current: 0.35A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 2.5W On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V | на замовлення 1589 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2450K4-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2450K4-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2450K4-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 350MA TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 300mA, 0V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2450K4-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2450N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 230mA; Idm: 0.9A; 1.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.23A Pulsed drain current: 0.9A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depletion | на замовлення 1260 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2450N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2450N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2450N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 230MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 300mA, 0V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | на замовлення 1212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2450N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2450N8-G | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET DEPLETION MODE 500V 10 Ohms | на замовлення 4651 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2450N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 230MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 300mA, 0V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2470K4-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN2470K4-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 700 V, 170 mA, 42 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 42ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 7978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2470K4-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 700V 0.17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2470K4-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 700V 170MA TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42Ohm @ 100mA, 0V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V | на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2470K4-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 700V 0.17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2470K4-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 700V 0.17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2470K4-G | Microchip Technology | MOSFETs 700V 42Ohm | на замовлення 6777 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2470K4-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN2470K4-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 700 V, 170 mA, 42 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 42ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 7978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2470K4-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 700V 0.17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2470K4-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 700V 170MA TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42Ohm @ 100mA, 0V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V | на замовлення 64154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2470K4-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 700V 0.17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2530N3 | Microchip Technology | MOSFET 300V 12Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2530N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2530N3-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN2530N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 175 mA, 12 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2530N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2530N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2530N3-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 300V 175MA TO92 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V | на замовлення 11453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2530N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2530N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2530N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2530N3-G | Microchip Technology | MOSFETs 300V 12Ohm | на замовлення 1147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2530N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 4825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2530N3-G Код товару: 209689
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| DN2530N3-G P002 | Microchip Technology | MOSFET N-Channel MOSFET 300V 0.175A 3P TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2530N3-G P003 | Microchip Technology | MOSFET N-Channel MOSFET 300V 0.175A 3P TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2530N3-G P013 | Microchip Technology | MOSFET N-Channel MOSFET 300V 0.175A 3P TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2530N3-G P014 | Microchip Technology | MOSFET N-Channel MOSFET 300V 0.175A 3P TO-92 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2530N8 | Microchip Technology | MOSFET 300V 12Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2530N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2530N8-G | Microchip Technology | MOSFETs 300V 12Ohm | на замовлення 5273 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2530N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2530N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 300V 200MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V | на замовлення 1597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2530N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2530N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2530N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 300V 200MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2535 | SI | на замовлення 580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| DN2535N3-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 350V 120MA TO92 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V | на замовлення 1023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2535N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2535N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2535N3-G Код товару: 189197
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| DN2535N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2535N3-G | Microchip Technology | MOSFETs 350V 25Ohm | на замовлення 535 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2535N3-G-P003 | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2535N3-G-P003 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 350V 120MA TO92 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V | на замовлення 1981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2535N3-G-P003 | Microchip Technology | MOSFETs N-Channel MOSFET 350V 0.12A 3P TO-92 | на замовлення 1808 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2535N3-G-P003 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 350V 120MA TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2535N3-G-P013 | Microchip Technology | MOSFETs N-Channel MOSFET 350V 0.12A 3P TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2535N3-G-P013 | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2535N3-G-P013 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 350V 120MA TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2535N5 | Microchip Technology | MOSFETs 350V 25Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2535N5-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2535N5-G | Microchip Technology | MOSFETs 350V 25Ohm | на замовлення 584 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2535N5-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2535N5-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 350V 500MA TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V | на замовлення 319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2535N5-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2535N5-G | Supertech Electronics | N-Channel MOSFET, 350V 25Ohm Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2535N5-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2540N3 | Microchip Technology | MOSFET 400V 25Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2540N3-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 400V 120MA TO92 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V | на замовлення 836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2540N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2540N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2540N3-G | Microchip Technology | MOSFETs 400V 25Ohm | на замовлення 247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2540N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2540N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2540N3-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN2540N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 120 mA, 25 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2540N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2540N3-G P002 | Microchip Technology | MOSFET N-Channel MOSFET 400V 0.12A 3P TO-92 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2540N3-G P013 | Microchip Technology | MOSFET N-Channel MOSFET 400V 0.12A 3P TO-92 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2540N3-G-P003 | Microchip Technology | MOSFETs N-Channel MOSFET 400V 0.12A 3P TO-92 | на замовлення 1718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2540N3-G-P003 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 400V 120MA TO92 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V | на замовлення 331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2540N3-G-P003 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 400V 120MA TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2540N5 | Supertex | MOSFET, DEPLETION-MODE, 400V, 25 Ohms Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2540N5 Код товару: 51832
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| DN2540N5 | SUPERTEX | 96+ QFN | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2540N5 | Microchip Technology | MOSFETs 400V 25Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2540N5-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2540N5-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2540N5-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN2540N5-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 25 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2540N5-G | Microchip Technology | MOSFETs 400V 25Ohm | на замовлення 1193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2540N5-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2540N5-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2540N5-G | Microchip | MOSFET, DEPLETION-MODE, 400V, 25 Ohms Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2540N5-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2540N5-G Код товару: 153991
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| DN2540N5-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 400V 500MA TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V | на замовлення 781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2540N5-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2540N8 | Microchip Technology | MOSFET 400V 25Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2540N8 (транзисторы полевые N-канал) Код товару: 44864
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| DN2540N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 400V 170MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V | на замовлення 7006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2540N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2540N8-G | Microchip | MOSFET N-CH 400V 170MA SOT89-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2540N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2540N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 400V 170MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2540N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN2540N8-G - Leistungs-MOSFET, Verarmungstyp, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 17 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 17ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2540N8-G | Microchip Technology | MOSFETs 400V 25Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2540N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2540N8-G Код товару: 153995
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| DN2540N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN2540N8-G - Leistungs-MOSFET, Verarmungstyp, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 17 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 17ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN26-T41N1B електродвигун Код товару: 39986
Додати до обраних
Обраний товар
| Canon | Модульні елементи > Конструктори, модулі для збирання електронних пристроїв Опис: Електродвигун 12VDC, 0,25A, Speed-2200RPM, 34,33 g-cm., D = 25,7мм, L = 25,4мм | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||
| DN2625DK6-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray | на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2625DK6-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN2625DK6-G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 250 V, 1.1 A, 1.1 A, 3.5 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 250V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 250V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DN2625 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 1517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2625DK6-G | Microchip Technology | MOSFETs N-CHANNEL DEPLETION MODE | на замовлення 20623 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2625DK6-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray | на замовлення 5068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2625DK6-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2625DK6-G | Microchip Technology | Description: MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8DFN Packaging: Tray Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04nC @ 1.5V FET Feature: Depletion Mode Supplier Device Package: 8-DFN (5x5) Part Status: Active | на замовлення 443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2625DK6-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray | на замовлення 1468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2625DK6-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2625DK6-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray | на замовлення 1468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2625DK6-G M932 | Microchip Technology | MOSFET N-Channel MOSFET 250V 8-Pin | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2625K4-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 21905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2625K4-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2625K4-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 250V 1.1A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04 nC @ 1.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2625K4-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN2625K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.1 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DN2625 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2625K4-G | Microchip Technology | MOSFETs 250V 3.3A | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2625K4-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 21905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2625K4-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2625K4-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2625K4-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN2625K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.1 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DN2625 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2625K4-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2625K4-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 250V 1.1A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04 nC @ 1.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V | на замовлення 18633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN278 | 03+ | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| DN2982L | LINEAR | SOP14 | на замовлення 46 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2E 0.15mm 250g | BQ CABLE | Coil wire double coated enamelled DN2E 200, 0.15mm, 0.25kg, -65?200°C 1600mb DN2E0.15/0.25 DN2E 0.15mm 250g coil wire K DN2E0.15/0.25 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E 0.20mm 250g | BQ CABLE | Coil wire double coated enamelled DN2E 200, 0.20mm, 0.25kg, -65?200°C 854mb DN2E0.20/0.25 DN2E 0.20mm 250g coil wire K DN2E0.20/0.25 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E 0.30mm 250g | BQ CABLE | Coil wire double coated enamelled DN2E 200, 0.30mm, 0.25kg, -65?200°C 403mb DN2E0.30/0.25 DN2E 0.30mm 250g coil wire K DN2E0.30/0.25 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E 0.40mm 250g | BQ CABLE | Coil wire double coated enamelled DN2E 200, 0.40mm, 0.25kg, -65?200°C 220mb DN2E0.40/0.25 DN2E 0.40mm 250g coil wire K DN2E0.40/0.25 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E 0.50mm 250g | BQ CABLE | Coil wire double coated enamelled DN2E 200, 0.50mm, 0.25kg, -65?200°C 140mb DN2E0.50/0.25 DN2E 0.50mm 250g coil wire K DN2E0.50/0.25 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E 0.80mm 250g | BQ CABLE | Coil wire double coated enamelled DN2E 200, 0.80mm, 0.25kg, -65?200°C 55mb DN2E0.80/0.25 DN2E 0.80mm 250g coil wire K DN2E0.80/0.25 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E 1.00mm 250g | BQ CABLE | Coil wire double coated enamelled DN2E 200, 1.00mm, 0.25kg, -65?200°C 35mb DN2E1.00/0.25 DN2E 1.00mm 250g coil wire K DN2E1.00/0.25 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E 1.20mm 250g | BQ CABLE | Coil wire double coated enamelled DN2E 200, 1.20mm, 0.25kg, -65?200°C 24mb DN2E1.20/0.25 DN2E 1.20mm 250g coil wire K DN2E1.20/0.25 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E 2.00mm 250g | BQ CABLE | Coil wire double coated enamelled DN2E 200, 2.00mm, 0.25kg, -65?200°C 8mb DN2E2.00/0.25 DN2E 2.00mm 250g coil wire K DN2E2.00/0.25 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E0,30-200G | INDEL | Category: Coil Wires Description: Coil wire; double coated enamelled; 0.3mm; 0.2kg; -65÷200°C Type of wire: coil wire Cable features: double coated enamelled Outside diameter: 0.3mm Net weight: 0.2kg Operating temperature: -65...200°C Kind of core: Cu Package contents: 302m Insulator material: enamel polyamidoimide | на замовлення 16 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E0,40-200G | INDEL | Category: Coil Wires Description: Coil wire; double coated enamelled; 0.4mm; 0.2kg; -65÷200°C Type of wire: coil wire Cable features: double coated enamelled Outside diameter: 0.4mm Net weight: 0.2kg Operating temperature: -65...200°C Kind of core: Cu Package contents: 171m Insulator material: enamel polyamidoimide | на замовлення 11 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E0,50-1KG | INDEL | Category: Coil Wires Description: Coil wire; double coated enamelled; 0.5mm; 1kg; -65÷200°C Type of wire: coil wire Kind of core: Cu Cable features: double coated enamelled Insulator material: enamel polyamidoimide Operating temperature: -65...200°C Outside diameter: 0.5mm Package contents: 551m Net weight: 1kg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2E0,50-500G | INDEL | Category: Coil Wires Description: Coil wire; double coated enamelled; 0.5mm; 0.5kg; -65÷200°C Operating temperature: -65...200°C Outside diameter: 0.5mm Package contents: 275m Net weight: 0.5kg Kind of core: Cu Type of wire: coil wire Cable features: double coated enamelled Insulator material: enamel polyamidoimide | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E0,65-200G | INDEL | Category: Coil Wires Description: Coil wire; double coated enamelled; 0.65mm; 0.2kg; -65÷200°C Type of wire: coil wire Kind of core: Cu Cable features: double coated enamelled Insulator material: enamel polyamidoimide Operating temperature: -65...200°C Outside diameter: 0.65mm Package contents: 67m Net weight: 0.2kg | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E0,65-500G | INDEL | Category: Coil Wires Description: Coil wire; double coated enamelled; 0.65mm; 0.5kg; -65÷200°C Type of wire: coil wire Kind of core: Cu Cable features: double coated enamelled Insulator material: enamel polyamidoimide Operating temperature: -65...200°C Outside diameter: 0.65mm Package contents: 169m Net weight: 0.5kg | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E0,75-1KG | INDEL | Category: Coil Wires Description: Coil wire; double coated enamelled; 0.75mm; 1kg; -65÷200°C Kind of core: Cu Cable features: double coated enamelled Insulator material: enamel polyamidoimide Operating temperature: -65...200°C Outside diameter: 0.75mm Package contents: 250m Net weight: 1kg Type of wire: coil wire | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E0,75-200G | INDEL | Category: Coil Wires Description: Coil wire; double coated enamelled; 0.75mm; 0.2kg; -65÷200°C Kind of core: Cu Cable features: double coated enamelled Insulator material: enamel polyamidoimide Operating temperature: -65...200°C Outside diameter: 0.75mm Package contents: 50m Net weight: 0.2kg Type of wire: coil wire | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E0,75-500G | INDEL | Category: Coil Wires Description: Coil wire; double coated enamelled; 0.75mm; 0.5kg; -65÷200°C Kind of core: Cu Cable features: double coated enamelled Insulator material: enamel polyamidoimide Operating temperature: -65...200°C Outside diameter: 0.75mm Package contents: 127m Net weight: 0.5kg Type of wire: coil wire | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E0,80-500G | INDEL | Category: Coil Wires Description: Coil wire; double coated enamelled; 0.8mm; 0.5kg; -65÷200°C Type of wire: coil wire Cable features: double coated enamelled Outside diameter: 0.8mm Net weight: 0.5kg Operating temperature: -65...200°C Kind of core: Cu Package contents: 110m Insulator material: enamel polyamidoimide | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E0.15/0.25 Код товару: 181842
Додати до обраних
Обраний товар
| Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Кабель | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| DN2E0.20/0.25 Код товару: 181843
Додати до обраних
Обраний товар
| Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Кабель | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| DN2E0.30/0.25 кабель обмоточный; эмалированный в 2 слоя; 0,3мм; 0,25кг; -65÷200°C Код товару: 72970
Додати до обраних
Обраний товар
| Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Провода монтажні Група: Обмоточний | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| DN2E1,00-1KG | INDEL | Category: Coil Wires Description: Coil wire; double coated enamelled; 1mm; 1kg; -65÷200°C; Core: Cu Operating temperature: -65...200°C Outside diameter: 1mm Package contents: 170m Net weight: 1kg Type of wire: coil wire Kind of core: Cu Cable features: double coated enamelled Insulator material: enamel polyamidoimide | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E1,00-500G | INDEL | Category: Coil Wires Description: Coil wire; double coated enamelled; 1mm; 0.5kg; -65÷200°C Operating temperature: -65...200°C Outside diameter: 1mm Package contents: 70m Net weight: 0.5kg Type of wire: coil wire Kind of core: Cu Cable features: double coated enamelled Insulator material: enamel polyamidoimide | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E1,30-500G | INDEL | Category: Coil Wires Description: Coil wire; double coated enamelled; 1.3mm; 0.5kg; -65÷200°C Type of wire: coil wire Cable features: double coated enamelled Outside diameter: 1.3mm Net weight: 0.5kg Operating temperature: -65...200°C Kind of core: Cu Package contents: 42m Insulator material: enamel polyamidoimide | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E1.00/0.25 | BQ CABLE | Category: Coil Wires Description: Coil wire; double coated enamelled; 1mm; 0.25kg; -65÷200°C Cable features: double coated enamelled Kind of core: Cu Type of wire: coil wire Operating temperature: -65...200°C Outside diameter: 1mm Insulator material: enamel polyamidoimide Package contents: 35m Net weight: 0.25kg | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E2,00-1KG | INDEL | Category: Coil Wires Description: Coil wire; double coated enamelled; 2mm; 1kg; -65÷200°C; Core: Cu Operating temperature: -65...200°C Outside diameter: 2mm Package contents: 34m Net weight: 1kg Type of wire: coil wire Kind of core: Cu Cable features: double coated enamelled Insulator material: enamel polyamidoimide | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E2,1-1KG | INDEL | Category: Coil Wires Description: Coil wire; double coated enamelled; 2.1mm; 1kg; -65÷200°C Type of wire: coil wire Kind of core: Cu Cable features: double coated enamelled Insulator material: enamel polyamidoimide Operating temperature: -65...200°C Outside diameter: 2.1mm Package contents: 32m Net weight: 1kg | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E2,1-200G | INDEL | Category: Coil Wires Description: Coil wire; double coated enamelled; 2.1mm; 0.2kg; -65÷200°C Type of wire: coil wire Kind of core: Cu Cable features: double coated enamelled Insulator material: enamel polyamidoimide Operating temperature: -65...200°C Outside diameter: 2.1mm Package contents: 6.5m Net weight: 0.2kg | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E2,1-500G | INDEL | Category: Coil Wires Description: Coil wire; double coated enamelled; 2.1mm; 0.5kg; -65÷200°C Type of wire: coil wire Kind of core: Cu Cable features: double coated enamelled Insulator material: enamel polyamidoimide Operating temperature: -65...200°C Outside diameter: 2.1mm Package contents: 16m Net weight: 0.5kg | на замовлення 13 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E2,2-1KG | INDEL | Category: Coil Wires Description: Coil wire; double coated enamelled; 2.2mm; 1kg; -65÷200°C Type of wire: coil wire Cable features: double coated enamelled Outside diameter: 2.2mm Net weight: 1kg Operating temperature: -65...200°C Kind of core: Cu Package contents: 28m Insulator material: enamel polyamidoimide | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DN2E2,6-200G | INDEL | Category: Coil Wires Description: Coil wire; double coated enamelled; 2.6mm; 0.2kg; -65÷200°C Type of wire: coil wire Cable features: double coated enamelled Outside diameter: 2.6mm Net weight: 0.2kg Operating temperature: -65...200°C Kind of core: Cu Package contents: 4m Insulator material: enamel polyamidoimide | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DN2SJ527STR | RENESAS | 2003 | на замовлення 2677 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |