Продукція > IGO

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IGO17
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R042D1AUMA2Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R042D1AUMA2Infineon TechnologiesMOSFETs HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 31A GaN 20-Pin DSO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
на замовлення 2153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+1300.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 31A GaN 20-Pin DSO EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2037.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA2Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA2INFINEONDescription: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+919.65 грн
5+890.30 грн
10+860.14 грн
50+714.66 грн
100+592.60 грн
250+554.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA2Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1001.59 грн
10+676.73 грн
100+514.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA2INFINEONDescription: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+860.14 грн
50+714.66 грн
100+592.60 грн
250+554.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA2Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+894.38 грн
10+802.84 грн
50+679.96 грн
100+612.17 грн
500+503.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1E8220AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGO7470SANYO
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R042D1AUMA2Infineon TechnologiesMOSFETs HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1Infineon TechnologiesInfineon GAN HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1258.81 грн
5+1016.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+1228.75 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1Infineon Technologies600V enhancement-mode JFET Transistor
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2249.94 грн
10+2019.86 грн
25+1888.66 грн
50+1802.49 грн
100+1489.12 грн
250+1299.67 грн
500+1283.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A
Type of transistor: N-JFET
Technology: CoolGaN™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 125W
Case: PG-DSO-20
Gate-source voltage: -10V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.8nC
Kind of transistor: HEMT
Gate current: 20mA
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+972.65 грн
5+842.20 грн
10+710.94 грн
50+657.88 грн
100+496.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1032.25 грн
10+697.40 грн
100+530.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGOT60R070D1AUMA3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+968.57 грн
10+697.57 грн
25+605.18 грн
50+604.48 грн
100+503.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGOT60R070D1AUMA3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+710.94 грн
50+657.88 грн
100+496.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1E8220AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1E8237AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1E8237AUMA1Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R025D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 61 A, 0.03 ohm, 11 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+775.34 грн
50+661.67 грн
100+574.43 грн
250+556.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGOT65R025D2AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R025D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 61 A, 0.03 ohm, 11 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+883.78 грн
5+829.97 грн
10+775.34 грн
50+661.67 грн
100+574.43 грн
250+556.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+854.43 грн
10+685.51 грн
100+496.86 грн
500+450.74 грн
800+382.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGOT65R025D2AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+834.13 грн
10+559.32 грн
100+482.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R035D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+707.68 грн
10+545.68 грн
100+395.53 грн
500+352.21 грн
800+313.77 грн
2400+313.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R035D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 44A 20BFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R035D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 44A 20BFSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+746.08 грн
10+495.27 грн
100+381.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R045D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+733.76 грн
50+626.09 грн
100+543.68 грн
250+526.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R045D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGOT65R045D2AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R045D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+832.42 грн
5+783.50 грн
10+733.76 грн
50+626.09 грн
100+543.68 грн
250+526.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R045D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs
на замовлення 800 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)
1+832.42 грн
10+663.01 грн
25+536.70 грн
50+512.94 грн
100+491.97 грн
250+467.51 грн
500+446.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R045D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGOT65R045D2AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 28A 20BFSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+498.44 грн
10+323.95 грн
100+235.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+483.47 грн
10+348.78 грн
100+245.29 грн
500+218.03 грн
800+186.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 28 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+553.58 грн
100+443.52 грн
500+370.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 28A 20BFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 28 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+686.48 грн
10+553.58 грн
100+443.52 грн
500+370.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.