Продукція > IGO

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IGO17
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R042D1AUMA2Infineon TechnologiesMOSFETs HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R042D1AUMA2Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
на замовлення 2153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+1270.25 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 31A GaN 20-Pin DSO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 31A GaN 20-Pin DSO EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2037.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA2INFINEONDescription: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+898.51 грн
5+869.83 грн
10+840.36 грн
50+698.23 грн
100+578.98 грн
250+541.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA2Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+978.56 грн
10+661.18 грн
100+502.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA2INFINEONDescription: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+840.36 грн
50+698.23 грн
100+578.98 грн
250+541.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA2Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+873.82 грн
10+784.39 грн
50+664.32 грн
100+598.10 грн
500+491.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA2Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1E8220AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGO7470SANYO
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R042D1AUMA2Infineon TechnologiesMOSFETs HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1Infineon TechnologiesInfineon GAN HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+1200.50 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1229.88 грн
5+993.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1Infineon Technologies600V enhancement-mode JFET Transistor
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2249.94 грн
10+2019.86 грн
25+1888.66 грн
50+1802.49 грн
100+1489.12 грн
250+1299.67 грн
500+1283.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGOT60R070D1AUMA3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+694.59 грн
50+642.76 грн
100+485.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1008.52 грн
10+681.37 грн
100+518.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+950.29 грн
5+822.84 грн
10+694.59 грн
50+642.76 грн
100+485.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGOT60R070D1AUMA3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+946.30 грн
10+681.53 грн
25+591.27 грн
50+590.59 грн
100+491.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1E8220AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1E8237AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1E8237AUMA1Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R025D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 61 A, 0.03 ohm, 11 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+863.46 грн
5+810.89 грн
10+757.52 грн
50+646.46 грн
100+561.23 грн
250+544.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+834.79 грн
10+669.75 грн
100+485.44 грн
500+440.38 грн
800+374.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGOT65R025D2AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+814.96 грн
10+546.46 грн
100+471.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R025D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 61 A, 0.03 ohm, 11 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+757.52 грн
50+646.46 грн
100+561.23 грн
250+544.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGOT65R025D2AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R035D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGOT65R035D2AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R035D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+691.41 грн
10+533.13 грн
100+386.44 грн
500+344.11 грн
800+306.56 грн
2400+305.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R035D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGOT65R035D2AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R045D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGOT65R045D2AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R045D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+813.28 грн
5+765.49 грн
10+716.90 грн
50+611.69 грн
100+531.19 грн
250+514.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R045D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs
на замовлення 800 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)
1+813.28 грн
10+647.77 грн
25+524.36 грн
50+501.14 грн
100+480.66 грн
250+456.77 грн
500+436.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R045D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGOT65R045D2AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R045D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+716.90 грн
50+611.69 грн
100+531.19 грн
250+514.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 28 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+540.86 грн
100+433.32 грн
500+361.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGOT65R055D2AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 28 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+670.70 грн
10+540.86 грн
100+433.32 грн
500+361.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGOT65R055D2AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+472.36 грн
10+340.76 грн
100+239.65 грн
500+213.02 грн
800+182.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.