Продукція > MJB

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJB18004D2T4
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41ConsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41ConsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41C
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CG
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CGOn SemiconductorTRANS NPN 100V 6A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.76 грн
50+75.53 грн
100+67.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CG
Код товару: 179306
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CGonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.91 грн
10+80.18 грн
100+64.13 грн
500+53.09 грн
950+42.73 грн
5700+41.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4onsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GOn SemiconductorTRANS NPN 100V 6A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
на замовлення 3822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.86 грн
10+84.15 грн
100+49.50 грн
500+35.97 грн
800+32.17 грн
2400+31.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+50.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 5188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.70 грн
10+79.35 грн
100+53.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+50.93 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GON SemiconductorТранзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 6 А, ft, МГц = 3, hFE = 15 @ 3 A, 4 В, Icutoff-max = 700 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,5 @ 600 мA, 6 A, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, NPN, 100 V, 6 A, 65 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 65W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.36 грн
10+95.04 грн
50+79.73 грн
100+59.75 грн
250+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+41.51 грн
1600+36.81 грн
2400+35.19 грн
4000+31.32 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42ConsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Supplier Device Package: D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42ConsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Supplier Device Package: D2PAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GON Semiconductor
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.40 грн
250+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
575+61.64 грн
Мінімальне замовлення: 575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Supplier Device Package: D2PAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+36.42 грн
1600+32.21 грн
2400+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.28 грн
10+83.76 грн
50+70.63 грн
100+53.40 грн
250+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W PNP
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.45 грн
10+79.23 грн
100+46.11 грн
500+32.24 грн
800+29.55 грн
9600+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GOn SemiconductorTRANS PNP 100V 6A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Supplier Device Package: D2PAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.72 грн
10+70.60 грн
100+47.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11onsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.69 грн
50+63.69 грн
100+57.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
269+52.73 грн
Мінімальне замовлення: 269 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GON-SemiconductorNPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.86 грн
12+71.28 грн
100+68.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
на замовлення 6401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.75 грн
10+58.91 грн
100+43.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+62.76 грн
100+60.15 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GON-SemiconductorNPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G транзистор
Код товару: 58814
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - Pre-Biased 80V Low Voltage NPN 5V VEBO 10A IC 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+51.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJB44H11T4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.04 грн
11+74.34 грн
100+52.19 грн
500+39.26 грн
1000+35.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.50 грн
5000+41.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsDigital Transistors Automotive-grade low voltage NPN power transistor
на замовлення 6903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.45 грн
10+79.23 грн
100+46.11 грн
500+36.38 грн
1000+32.24 грн
2000+29.20 грн
5000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.50 грн
5000+41.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+51.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.01 грн
10+89.82 грн
100+60.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.80 грн
10+95.27 грн
100+54.12 грн
500+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.79 грн
250+57.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+44.60 грн
1600+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.21 грн
1600+56.80 грн
2400+55.21 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.44 грн
10+100.67 грн
50+84.57 грн
100+63.79 грн
250+57.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G
Код товару: 216567
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: D2PAK (TO-263)
fT: 50 MHz
Uceo,V: 80 V
Ic,A: 10 A
Монтаж: SMD
у наявності: 690 шт
  • 640 шт - склад
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+44.00 грн
10+40.90 грн
100+38.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.97 грн
1600+57.54 грн
2400+55.93 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GON Semiconductor
на замовлення 11860 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11Welwyn Components / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11
на замовлення 4336 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11onsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.75 грн
12+68.46 грн
100+65.72 грн
500+60.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11G
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.03 грн
50+61.28 грн
100+54.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11G
Код товару: 105006
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK
Mounting: SMD
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Current gain: 60
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Case: D2PAK
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11GOn SemiconductorTRANS PNP 80V 10A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+56.95 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.33 грн
10+66.05 грн
100+51.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.09 грн
10+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 6021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.04 грн
10+76.96 грн
100+51.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.59 грн
10+77.80 грн
100+50.33 грн
500+36.24 грн
800+33.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+40.16 грн
1600+35.59 грн
2400+34.02 грн
4000+30.28 грн
5600+29.30 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GONN
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11TG4
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]