Продукція > MJB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
MJB18004D2T4
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41C
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41ConsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41ConsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CG
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.23 грн
50+84.21 грн
100+75.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CG
Код товару: 179306
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CGonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.37 грн
10+92.97 грн
100+74.36 грн
500+61.55 грн
950+49.55 грн
5700+48.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4onsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
на замовлення 3822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.41 грн
10+97.57 грн
100+57.39 грн
500+41.70 грн
800+37.30 грн
2400+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, NPN, 100 V, 6 A, 65 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 65W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.83 грн
10+105.95 грн
50+88.89 грн
100+66.62 грн
250+60.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.60 грн
10+88.46 грн
100+59.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+46.28 грн
1600+41.04 грн
2400+39.24 грн
4000+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42ConsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42ConsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+40.60 грн
1600+35.91 грн
2400+34.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W PNP
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.00 грн
10+79.99 грн
100+47.87 грн
500+45.94 грн
800+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 1600
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
575+55.10 грн
Мінімальне замовлення: 575
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.01 грн
10+78.71 грн
100+52.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.10 грн
11+83.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GON Semiconductor
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11onsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+60.11 грн
100+57.61 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GON-SemiconductorNPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+60.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
на замовлення 7429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.55 грн
10+78.33 грн
100+60.99 грн
500+53.79 грн
1000+44.98 грн
3000+42.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
269+47.14 грн
Мінімальне замовлення: 269
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GON-SemiconductorNPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+60.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 14654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.66 грн
50+69.97 грн
100+62.67 грн
500+46.76 грн
1000+42.88 грн
2000+39.62 грн
5000+35.51 грн
10000+35.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+175.99 грн
12+79.47 грн
100+76.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G транзистор
Код товару: 58814
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - Pre-Biased 80V Low Voltage NPN 5V VEBO 10A IC 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+49.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsDigital Transistors Automotive-grade low voltage NPN power transistor
на замовлення 4273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.21 грн
10+87.08 грн
100+50.43 грн
500+39.78 грн
1000+36.26 грн
2000+31.94 грн
5000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJB44H11T4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+105.95 грн
11+82.88 грн
100+58.18 грн
500+43.77 грн
1000+39.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.66 грн
5000+40.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+38.88 грн
5000+37.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.41 грн
10+77.29 грн
100+51.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+173.30 грн
10+112.24 грн
50+94.28 грн
100+71.12 грн
250+64.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+49.01 грн
1600+43.50 грн
2400+41.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+56.48 грн
1600+55.11 грн
2400+53.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GON09+ SOP
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GInfineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G
Код товару: 216567
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
1+44.00 грн
10+40.90 грн
100+38.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.12 грн
250+64.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.52 грн
10+93.05 грн
100+62.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.42 грн
10+104.94 грн
100+61.31 грн
500+52.83 грн
800+43.22 грн
2400+43.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+52.04 грн
1600+50.78 грн
2400+49.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GON Semiconductor
на замовлення 11860 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11onsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11
на замовлення 4336 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11Welwyn Components / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11G
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.55 грн
10+59.46 грн
100+46.83 грн
500+37.86 грн
1000+37.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+50.91 грн
Мінімальне замовлення: 249
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11G
Код товару: 105006
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+173.30 грн
14+64.74 грн
100+58.54 грн
500+44.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK
Mounting: SMD
Collector current: 10A
Kind of package: tube
Current gain: 60
Type of transistor: PNP
Case: D2PAK
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.19 грн
50+68.32 грн
100+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 6021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.40 грн
10+85.80 грн
100+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK
Mounting: SMD
Collector current: 10A
Kind of package: reel; tape
Current gain: 60
Type of transistor: PNP
Case: D2PAK
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+147.26 грн
10+97.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+44.77 грн
1600+39.68 грн
2400+37.93 грн
4000+33.75 грн
5600+32.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.21 грн
10+96.65 грн
100+56.27 грн
500+48.35 грн
800+38.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11TG4
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB5742T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.31 грн
10+207.00 грн
25+203.29 грн
100+155.09 грн
250+138.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJB5742T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 400V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4A, 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 16919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.85 грн
10+183.68 грн
100+148.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJB5742T4GonsemiDarlington Transistors BIP D2PAK XSTR TR
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+316.57 грн
10+205.27 грн
100+122.47 грн
500+115.26 грн
800+95.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJB5742T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB5742T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB5742T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 400V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4A, 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+137.15 грн
1600+113.08 грн
2400+106.48 грн
5600+95.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB5742T4GON Semiconductor
на замовлення 514 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB_AccelerometerGOWIN SemiconductorAcceleration Sensor Development Tools
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB_Camera_V2.1GOWIN SemiconductorCamera Development Tools
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB_MicGOWIN SemiconductorAudio IC Development Tools
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB_V1.2GOWIN SemiconductorProgrammable Logic IC Development Tools
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.