Продукція > MJB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
MJB18004D2T4
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41ConsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41ConsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41C
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.00 грн
50+74.71 грн
100+67.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CG
Код товару: 179306
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CGonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.09 грн
10+79.30 грн
100+63.43 грн
500+52.50 грн
950+42.26 грн
5700+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CG
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4onsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
на замовлення 3822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.45 грн
10+83.23 грн
100+48.95 грн
500+35.57 грн
800+31.82 грн
2400+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+49.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, NPN, 100 V, 6 A, 65 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 65W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.79 грн
10+93.99 грн
50+78.86 грн
100+59.10 грн
250+53.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.27 грн
10+78.48 грн
100+52.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+41.06 грн
1600+36.40 грн
2400+34.81 грн
4000+30.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42ConsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42ConsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+36.02 грн
1600+31.86 грн
2400+30.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W PNP
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.33 грн
10+68.23 грн
100+40.83 грн
500+39.19 грн
800+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GON Semiconductor
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
575+56.25 грн
Мінімальне замовлення: 575
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.45 грн
10+69.82 грн
100+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.30 грн
11+73.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11onsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.12 грн
12+70.49 грн
100+67.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GON-SemiconductorNPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+61.39 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+61.36 грн
100+58.81 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
на замовлення 7429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.80 грн
10+66.82 грн
100+52.03 грн
500+45.88 грн
1000+38.37 грн
3000+36.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
269+48.12 грн
Мінімальне замовлення: 269
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GON-SemiconductorNPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+61.39 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 14654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.65 грн
50+62.07 грн
100+55.59 грн
500+41.48 грн
1000+38.04 грн
2000+35.15 грн
5000+31.50 грн
10000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G транзистор
Код товару: 58814
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - Pre-Biased 80V Low Voltage NPN 5V VEBO 10A IC 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.70 грн
5000+38.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.14 грн
10+68.57 грн
100+45.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsDigital Transistors Automotive-grade low voltage NPN power transistor
на замовлення 4273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.89 грн
10+74.28 грн
100+43.01 грн
500+33.93 грн
1000+30.93 грн
2000+27.24 грн
5000+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+46.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJB44H11T4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.99 грн
11+73.52 грн
100+51.62 грн
500+38.83 грн
1000+35.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.53 грн
5000+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GON09+ SOP
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.40 грн
10+89.51 грн
100+52.30 грн
500+45.06 грн
800+36.87 грн
2400+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+53.12 грн
1600+51.84 грн
2400+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.73 грн
10+99.57 грн
50+83.64 грн
100+63.09 грн
250+57.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+43.47 грн
1600+38.59 грн
2400+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+57.66 грн
1600+56.26 грн
2400+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GON Semiconductor
на замовлення 11860 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GInfineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G
Код товару: 216567
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: D2PAK (TO-263)
fT: 50 MHz
Uceo,V: 80 V
Ic,A: 10 A
Монтаж: SMD
у наявності 690 шт:
690 шт - склад
1+44.00 грн
10+40.90 грн
100+38.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.09 грн
250+57.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.42 грн
10+82.55 грн
100+55.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11
на замовлення 4336 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11onsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11Welwyn Components / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.58 грн
50+60.61 грн
100+54.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.80 грн
10+50.72 грн
100+39.94 грн
500+32.29 грн
1000+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+51.97 грн
Мінімальне замовлення: 249
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11G
Код товару: 105006
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.73 грн
14+57.43 грн
100+51.94 грн
500+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11G
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.84 грн
10+82.44 грн
100+48.00 грн
500+41.24 грн
800+32.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GONN
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GONN
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GONN
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GONN
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 6021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.66 грн
10+76.11 грн
100+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GONN
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GONN
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GONN
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GONN
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GONN
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GONN
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.63 грн
10+86.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+39.72 грн
1600+35.20 грн
2400+33.65 грн
4000+29.94 грн
5600+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GONN
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GONN
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GONN
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GONN
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GONN
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4GONN
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11TG4
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB5742T4GON Semiconductor
на замовлення 514 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB5742T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.31 грн
10+211.32 грн
25+207.53 грн
100+158.33 грн
250+141.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJB5742T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 400V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4A, 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 16919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.24 грн
10+162.95 грн
100+131.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJB5742T4GonsemiDarlington Transistors BIP D2PAK XSTR TR
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.68 грн
10+171.17 грн
100+102.41 грн
500+99.68 грн
800+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJB5742T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB5742T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 400V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4A, 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+121.66 грн
1600+100.32 грн
2400+94.46 грн
5600+85.05 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB_AccelerometerGOWIN SemiconductorAcceleration Sensor Development Tools
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB_Camera_V2.1GOWIN SemiconductorCamera Development Tools
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB_MicGOWIN SemiconductorAudio IC Development Tools
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB_V1.2GOWIN SemiconductorProgrammable Logic IC Development Tools
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.