Продукція > NVL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NVL-201C
Код товару: 48032
Додати до обраних Обраний товар
TaiwanРізні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Опис: Одноканальный пассивный приемник-передатчик видеосигнала по витой паре 400м цв., 600м ч/б
товару немає в наявності
1+182.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJD4007NZTAGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.245A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 755mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 245mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 125mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJD4007NZTAGonsemiMOSFET NFET WDFN6 30V 1.4 Ohms
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJD4007NZTBGON Semiconductor
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJD4007NZTBGON SemiconductorMOSFET NFET WDFN6 30V 7OHM
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJD4007NZTBGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.245A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 755mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 245mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 125mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJS053N12MCLTAGonsemiDescription: PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 620mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 30µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJS053N12MCLTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJS053N12MCLTAGonsemiDescription: PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 620mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 30µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 60 V
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.46 грн
10+44.82 грн
100+31.02 грн
500+24.33 грн
1000+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJS053N12MCLTAGonsemiMOSFETs PTNG 120V LL NCH IN UDFN 20X20
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.13 грн
10+56.42 грн
100+32.36 грн
500+25.65 грн
1000+23.48 грн
3000+19.92 грн
6000+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD023N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A 6WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.89 грн
10+35.28 грн
25+31.71 грн
100+26.07 грн
250+24.31 грн
500+23.25 грн
1000+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD023N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A 6WDFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD023N04CLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel uCool Power MOSFET 40V 25A 23mohm
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.32 грн
10+33.51 грн
100+23.83 грн
500+22.78 грн
1000+21.94 грн
3000+20.48 грн
6000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD040N06CLTAGonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Dual N-Channel 60 V, 38 mohm, 18 A
на замовлення 2511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.84 грн
10+51.11 грн
100+29.70 грн
500+26.70 грн
1000+24.18 грн
3000+20.82 грн
6000+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD040N06CLTAGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 6WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.49 грн
10+57.92 грн
25+48.36 грн
100+35.25 грн
250+30.27 грн
500+27.21 грн
1000+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD040N06CLTAGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 6WDFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.57 грн
6000+22.14 грн
9000+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N04CLTAGonsemiDescription: T6 40V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.67 грн
11+28.69 грн
25+25.74 грн
100+21.10 грн
250+19.64 грн
500+18.75 грн
1000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N04CLTAGonsemiMOSFETs T6 40V LL 2X2 WDFNW6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N04CLTAGonsemiDescription: T6 40V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N06CLTAGonsemiDescription: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N06CLTAGonsemiMOSFETs T6 60V LL 2X2 WDFNW6
на замовлення 3134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.85 грн
10+32.95 грн
100+23.41 грн
500+22.43 грн
1000+21.59 грн
3000+19.64 грн
6000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N06CLTAGonsemiDescription: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.53 грн
10+33.99 грн
25+30.59 грн
100+25.15 грн
250+23.45 грн
500+22.43 грн
1000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS013N03CLTAGonsemiDescription: T6 30V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.88 грн
6000+17.50 грн
15000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS013N03CLTAGonsemiDescription: T6 30V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.89 грн
10+44.44 грн
25+41.73 грн
100+29.70 грн
250+25.27 грн
500+24.01 грн
1000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS013N03CLTAGonsemiMOSFET T6 30V LL 2X2 WDFNW6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS022N06CLTAGonsemiDescription: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 77µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.67 грн
11+28.69 грн
25+25.74 грн
100+21.10 грн
250+19.64 грн
500+18.75 грн
1000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS022N06CLTAGonsemiDescription: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 77µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.96 грн
6000+17.79 грн
9000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS022N06CLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 90A; 14W; WDFNW6
Case: WDFNW6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.6nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 14W
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS022N06CLTAGonsemiMOSFETs T6 60V LL 2X2 WDFNW6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS070N06CLTAGonsemiMOSFETs T6 60V LL 2X2 WDFNW6
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.44 грн
15+22.66 грн
100+15.93 грн
500+15.23 грн
3000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS070N06CLTAGonsemiDescription: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.59 грн
13+23.47 грн
25+20.96 грн
100+17.11 грн
250+15.89 грн
500+15.15 грн
1000+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS070N06CLTAGonsemiDescription: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.26 грн
6000+14.31 грн
9000+14.11 грн
15000+13.04 грн
21000+12.92 грн
30000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS5D0N03CLTAGonsemiDescription: T6 30V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.13 грн
10+62.84 грн
25+52.45 грн
100+38.19 грн
250+32.78 грн
500+29.45 грн
1000+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS5D0N03CLTAGonsemiDescription: T6 30V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.60 грн
6000+22.77 грн
9000+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS6D0N04CLTAGonsemiDescription: T6 40V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.50 грн
6000+22.68 грн
9000+21.73 грн
15000+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS6D0N04CLTAGonsemiDescription: T6 40V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.35 грн
10+62.61 грн
25+52.24 грн
100+38.04 грн
250+32.65 грн
500+29.33 грн
1000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVLUS4C12NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.7A 6UDFN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVLUS4C12NTAGonsemiMOSFET COMP UDFN6 30V 10.7A
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.76 грн
10+82.78 грн
100+57.23 грн
500+49.13 грн
1000+42.63 грн
3000+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVLUS4C12NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.7A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLUS4C12NTAGON Semiconductor
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.