Продукція > NVL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVL-201C
Код товару: 48032
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Опис: Одноканальний пасивний приймач-передавач відеосигналу по витій парі 400м кольор., 600м ч/б
товару немає в наявності
1+182.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJD4007NZTAGonsemiMOSFET NFET WDFN6 30V 1.4 Ohms
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJD4007NZTAGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.245A 6WDFN
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 125mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 245mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 755mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJD4007NZTBGON Semiconductor
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJD4007NZTBGON SemiconductorMOSFET NFET WDFN6 30V 7OHM
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJD4007NZTBGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.245A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 755mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 245mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 125mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJS053N12MCLTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJS053N12MCLTAGonsemiDescription: PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 620mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJS053N12MCLTAGonsemiDescription: PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 620mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.81 грн
10+44.27 грн
100+30.65 грн
500+24.03 грн
1000+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJS053N12MCLTAGonsemiMOSFETs PTNG 120V LL NCH IN UDFN 20X20
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.01 грн
10+55.73 грн
100+31.96 грн
500+25.34 грн
1000+23.20 грн
3000+19.67 грн
6000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD023N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A 6WDFNW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta), 24W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD023N04CLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel uCool Power MOSFET 40V 25A 23mohm
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.67 грн
10+33.11 грн
100+23.54 грн
500+22.51 грн
1000+21.68 грн
3000+20.23 грн
6000+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD023N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A 6WDFNW
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta), 24W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+34.85 грн
25+31.32 грн
100+25.75 грн
250+24.01 грн
500+22.97 грн
1000+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD040N06CLTAGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 6WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+35.30 грн
25+31.74 грн
100+26.09 грн
250+24.34 грн
500+23.28 грн
1000+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD040N06CLTAGONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 18A; Idm: 54A; 12W; WDFNW6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
Power dissipation: 12W
Case: WDFNW6
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD040N06CLTAGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 6WDFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.91 грн
6000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD040N06CLTAGonsemiMOSFETs T6 60V LL 2X2 WDFNW6
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.04 грн
10+34.14 грн
100+24.23 грн
500+23.20 грн
1000+22.30 грн
3000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N04CLTAGonsemiDescription: T6 40V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N04CLTAGonsemiMOSFETs T6 40V LL 2X2 WDFNW6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N04CLTAGonsemiDescription: T6 40V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N06CLTAGonsemiMOSFETs T6 60V LL 2X2 WDFNW6
на замовлення 3134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.22 грн
10+32.55 грн
100+23.13 грн
500+22.16 грн
1000+21.33 грн
3000+19.40 грн
6000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N06CLTAGonsemiDescription: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.93 грн
10+33.58 грн
25+30.21 грн
100+24.85 грн
250+23.17 грн
500+22.16 грн
1000+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N06CLTAGonsemiDescription: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 912 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS013N03CLTAGonsemiDescription: T6 30V LL 2X2 WDFNW6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.65 грн
6000+17.29 грн
15000+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS013N03CLTAGonsemiDescription: T6 30V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+43.90 грн
25+41.22 грн
100+29.34 грн
250+24.97 грн
500+23.72 грн
1000+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS013N03CLTAGonsemiMOSFET T6 30V LL 2X2 WDFNW6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS022N06CLTAGonsemiDescription: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 77µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.73 грн
6000+17.57 грн
9000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS022N06CLTAGonsemiMOSFETs T6 60V LL 2X2 WDFNW6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS022N06CLTAGonsemiDescription: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 77µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
11+28.34 грн
25+25.43 грн
100+20.84 грн
250+19.40 грн
500+18.53 грн
1000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS070N06CLTAGonsemiDescription: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.08 грн
6000+14.13 грн
9000+13.94 грн
15000+12.88 грн
21000+12.76 грн
30000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS070N06CLTAGonsemiMOSFETs T6 60V LL 2X2 WDFNW6
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.00 грн
15+22.39 грн
100+15.74 грн
500+15.05 грн
3000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS070N06CLTAGonsemiDescription: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
13+23.18 грн
25+20.70 грн
100+16.90 грн
250+15.69 грн
500+14.97 грн
1000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS5D0N03CLTAGonsemiDescription: T6 30V LL 2X2 WDFNW6
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.85 грн
10+62.07 грн
25+51.81 грн
100+37.73 грн
250+32.39 грн
500+29.10 грн
1000+25.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS5D0N03CLTAGonsemiDescription: T6 30V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.29 грн
6000+22.50 грн
9000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS6D0N04CLTAGonsemiDescription: T6 40V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.07 грн
10+61.85 грн
25+51.60 грн
100+37.58 грн
250+32.25 грн
500+28.98 грн
1000+25.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS6D0N04CLTAGonsemiDescription: T6 40V LL 2X2 WDFNW6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.19 грн
6000+22.41 грн
9000+21.47 грн
15000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLUS4C12NTAGonsemiMOSFET COMP UDFN6 30V 10.7A
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.62 грн
10+81.77 грн
100+56.54 грн
500+48.53 грн
1000+42.11 грн
3000+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLUS4C12NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.7A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLUS4C12NTAGON Semiconductor
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVLUS4C12NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.7A 6UDFN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.