Продукція > NVL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NVL-201C
Код товару: 48032
Додати до обраних Обраний товар

TaiwanРізні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Опис: Одноканальный пассивный приемник-передатчик видеосигнала по витой паре 400м цв., 600м ч/б
товару немає в наявності
1+182.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJD4007NZTAGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.245A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 755mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 245mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 125mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJD4007NZTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.245A Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJD4007NZTAGonsemiMOSFET NFET WDFN6 30V 1.4 Ohms
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJD4007NZTBGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.245A Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJD4007NZTBGON SemiconductorMOSFET NFET WDFN6 30V 7OHM
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJD4007NZTBGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.245A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 755mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 245mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 125mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJD4007NZTBGON Semiconductor
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJS053N12MCLTAGonsemiDescription: PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 620mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 30µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 60 V
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.51 грн
10+46.53 грн
100+32.21 грн
500+25.26 грн
1000+21.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJS053N12MCLTAGonsemiMOSFETs PTNG 120V LL NCH IN UDFN 20X20
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.89 грн
10+49.99 грн
100+30.18 грн
500+25.88 грн
1000+23.17 грн
3000+19.92 грн
6000+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJS053N12MCLTAGonsemiDescription: PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 620mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 30µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJS053N12MCLTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJS053N12MCLTAGONSEMINVLJS053N12MCLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJS053N12MCLTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD023N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A 6WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.67 грн
10+61.23 грн
25+51.12 грн
100+37.26 грн
250+32.00 грн
500+28.76 грн
1000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD023N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A 6WDFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD023N04CLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel uCool Power MOSFET 40V 25A 23mohm
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.64 грн
10+55.19 грн
100+32.07 грн
500+28.83 грн
1000+26.11 грн
3000+22.49 грн
6000+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD040N06CLTAGONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 18A; Idm: 54A; 12W; WDFNW6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
Power dissipation: 12W
Case: WDFNW6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 54A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD040N06CLTAGonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Dual N-Channel 60 V, 38 mohm, 18 A
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.64 грн
10+55.19 грн
100+32.07 грн
500+28.83 грн
1000+26.11 грн
3000+22.49 грн
6000+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD040N06CLTAGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 6WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.57 грн
10+64.22 грн
25+53.64 грн
100+39.09 грн
250+33.57 грн
500+30.17 грн
1000+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD040N06CLTAGON SemiconductorMOSFET Power Dual N-Channel Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD040N06CLTAGONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 18A; Idm: 54A; 12W; WDFNW6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
Power dissipation: 12W
Case: WDFNW6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 54A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD040N06CLTAGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 6WDFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.26 грн
6000+23.37 грн
9000+22.40 грн
15000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N04CLTAGonsemiDescription: T6 40V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N04CLTAGonsemiDescription: T6 40V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.77 грн
10+57.70 грн
25+48.07 грн
100+34.86 грн
250+29.82 грн
500+26.72 грн
1000+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N04CLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel uCool Power MOSFET 40V 37A 11mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N06CLTAGON SemiconductorSingle N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N06CLTAGonsemiDescription: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N06CLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel wDFNW6 Power MOSFET 60 V, 48 A, 9mohm WDFNW6 (Pb?Free, Wettable Flanks)
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.88 грн
10+58.49 грн
100+34.33 грн
500+30.79 грн
1000+28.22 грн
3000+23.69 грн
6000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N06CLTAGONSEMINVLJWS011N06CLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N06CLTAGonsemiDescription: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.01 грн
10+65.48 грн
25+54.68 грн
100+39.84 грн
250+34.20 грн
500+30.73 грн
1000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS013N03CLTAGonsemiDescription: T6 30V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.87 грн
10+46.14 грн
25+43.33 грн
100+30.83 грн
250+26.24 грн
500+24.93 грн
1000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS013N03CLTAGonsemiMOSFET T6 30V LL 2X2 WDFNW6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS013N03CLTAGONSEMINVLJWS013N03CLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS013N03CLTAGonsemiDescription: T6 30V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.60 грн
6000+18.17 грн
15000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS013N03CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 6-Pin WDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS022N06CLTAGonsemiDescription: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 77µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.61 грн
10+52.98 грн
25+44.14 грн
100+32.02 грн
250+27.39 грн
500+24.54 грн
1000+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS022N06CLTAGonsemiDescription: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 77µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.19 грн
6000+18.80 грн
9000+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS022N06CLTAGonsemiMOSFET Single N-Channel uCool Power MOSFET 60 V, 25 A, 21 mohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
6+62.24 грн
10+53.89 грн
100+32.00 грн
500+26.71 грн
1000+22.71 грн
3000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS022N06CLTAGONSEMINVLJWS022N06CLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS070N06CLTAGonsemiMOSFETs T6 60V LL 2X2 WDFNW6
на замовлення 3635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.20 грн
13+28.64 грн
25+22.26 грн
100+19.39 грн
250+18.04 грн
500+17.20 грн
1000+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS070N06CLTAGonsemiDescription: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 127673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.55 грн
10+45.20 грн
25+37.51 грн
100+27.07 грн
250+23.06 грн
500+20.60 грн
1000+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS070N06CLTAGonsemiDescription: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.62 грн
6000+15.58 грн
9000+14.87 грн
15000+13.22 грн
21000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS5D0N03CLTAGonsemiDescription: T6 30V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.58 грн
6000+23.65 грн
9000+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS5D0N03CLTAGonsemiDescription: T6 30V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.20 грн
10+65.24 грн
25+54.46 грн
100+39.66 грн
250+34.04 грн
500+30.58 грн
1000+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS6D0N04CLTAGonsemiDescription: T6 40V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.48 грн
6000+23.55 грн
9000+22.56 грн
15000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS6D0N04CLTAGONSEMINVLJWS6D0N04CLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS6D0N04CLTAGonsemiDescription: T6 40V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.38 грн
10+65.01 грн
25+54.24 грн
100+39.50 грн
250+33.90 грн
500+30.46 грн
1000+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVLUD4C26NTAGON SemiconductorPower MOSFET Dual N Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLUS4C12NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.7A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLUS4C12NTAGON Semiconductor
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVLUS4C12NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.7A 6UDFN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVLUS4C12NTAGonsemiMOSFET COMP UDFN6 30V 10.7A
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.24 грн
10+89.38 грн
100+61.80 грн
500+53.05 грн
1000+46.03 грн
3000+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.