Продукція > NVL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NVL-201C
Код товару: 48032
Додати до обраних Обраний товар

TaiwanРізні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Опис: Одноканальный пассивный приемник-передатчик видеосигнала по витой паре 400м цв., 600м ч/б
товару немає в наявності
1+182.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJD4007NZTAGonsemiMOSFET NFET WDFN6 30V 1.4 Ohms
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJD4007NZTAGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.245A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 755mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 245mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 125mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJD4007NZTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.245A Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJD4007NZTBGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.245A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 755mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 245mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 125mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJD4007NZTBGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.245A Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJD4007NZTBGON Semiconductor
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJD4007NZTBGON SemiconductorMOSFET NFET WDFN6 30V 7OHM
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJS053N12MCLTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJS053N12MCLTAGonsemiDescription: PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 620mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 30µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 60 V
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.88 грн
10+49.36 грн
100+34.17 грн
500+26.79 грн
1000+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJS053N12MCLTAGonsemiMOSFETs PTNG 120V LL NCH IN UDFN 20X20
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.52 грн
10+64.62 грн
100+37.06 грн
500+29.38 грн
1000+26.89 грн
3000+22.81 грн
6000+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJS053N12MCLTAGonsemiDescription: PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 620mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 30µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJS053N12MCLTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD023N04CLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel uCool Power MOSFET 40V 25A 23mohm
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+61.07 грн
10+38.38 грн
100+27.29 грн
500+26.09 грн
1000+25.13 грн
3000+23.45 грн
6000+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD023N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A 6WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+57.15 грн
10+38.85 грн
25+34.92 грн
100+28.71 грн
250+26.77 грн
500+25.61 грн
1000+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD023N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A 6WDFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD040N06CLTAGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 6WDFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.96 грн
6000+24.38 грн
9000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD040N06CLTAGonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Dual N-Channel 60 V, 38 mohm, 18 A
на замовлення 2511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.06 грн
10+58.54 грн
100+34.02 грн
500+30.58 грн
1000+27.69 грн
3000+23.85 грн
6000+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD040N06CLTAGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 6WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.37 грн
10+63.78 грн
25+53.26 грн
100+38.83 грн
250+33.34 грн
500+29.97 грн
1000+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD040N06CLTAGON SemiconductorMOSFET Power Dual N-Channel Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N04CLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel uCool Power MOSFET 40V 37A 11mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N04CLTAGonsemiDescription: T6 40V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N04CLTAGonsemiDescription: T6 40V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N06CLTAGonsemiDescription: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.55 грн
10+37.44 грн
25+33.68 грн
100+27.70 грн
250+25.83 грн
500+24.70 грн
1000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N06CLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; Idm: 233A; 23W; WDFNW6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Case: WDFNW6
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 233A
Gate charge: 13.6nC
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 23W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N06CLTAGON SemiconductorSingle N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N06CLTAGonsemiDescription: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N06CLTAGonsemiMOSFETs T6 60V LL 2X2 WDFNW6
на замовлення 3134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.39 грн
10+37.74 грн
100+26.81 грн
500+25.69 грн
1000+24.73 грн
3000+22.49 грн
6000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS013N03CLTAGonsemiDescription: T6 30V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+57.15 грн
10+48.94 грн
25+45.96 грн
100+32.71 грн
250+27.83 грн
500+26.44 грн
1000+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS013N03CLTAGonsemiMOSFET T6 30V LL 2X2 WDFNW6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS013N03CLTAGonsemiDescription: T6 30V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.79 грн
6000+19.28 грн
15000+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS013N03CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 6-Pin WDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS022N06CLTAGonsemiDescription: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 77µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.11 грн
10+56.20 грн
25+46.83 грн
100+33.96 грн
250+29.05 грн
500+26.03 грн
1000+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS022N06CLTAGonsemiDescription: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 77µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.47 грн
6000+19.94 грн
9000+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS022N06CLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel uCool Power MOSFET 60 V, 25 A, 21 mohm
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.32 грн
10+50.63 грн
100+29.14 грн
500+26.09 грн
1000+23.29 грн
3000+19.61 грн
6000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS070N06CLTAGonsemiDescription: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.89 грн
6000+15.83 грн
9000+15.62 грн
15000+14.43 грн
21000+14.30 грн
30000+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS070N06CLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel uCool Power MOSFET 60 V, 62 mohm, 11 A
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.74 грн
15+25.96 грн
100+18.25 грн
500+17.45 грн
1000+17.05 грн
3000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS070N06CLTAGonsemiDescription: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+38.10 грн
13+25.93 грн
25+23.18 грн
100+18.94 грн
250+17.58 грн
500+16.77 грн
1000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS5D0N03CLTAGonsemiDescription: T6 30V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.20 грн
6000+25.08 грн
9000+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS5D0N03CLTAGonsemiDescription: T6 30V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.89 грн
10+69.20 грн
25+57.76 грн
100+42.07 грн
250+36.11 грн
500+32.44 грн
1000+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS6D0N04CLTAGonsemiDescription: T6 40V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.02 грн
10+68.95 грн
25+57.53 грн
100+41.89 грн
250+35.96 грн
500+32.31 грн
1000+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS6D0N04CLTAGonsemiDescription: T6 40V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.08 грн
6000+24.98 грн
9000+23.93 грн
15000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVLUD4C26NTAGON SemiconductorPower MOSFET Dual N Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLUS4C12NTAGonsemiMOSFET COMP UDFN6 30V 10.7A
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.39 грн
10+94.81 грн
100+65.56 грн
500+56.27 грн
1000+48.83 грн
3000+41.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVLUS4C12NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.7A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLUS4C12NTAGON Semiconductor
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVLUS4C12NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.7A 6UDFN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.