Продукція > RQ1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
RQ147M2R2BATME
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A060ZPTR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A060ZPTRROHM SemiconductorMOSFETs RECOMMENDED ALT 755-RF4C050APTR
на замовлення 3465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.50 грн
10+60.54 грн
100+35.91 грн
500+30.04 грн
1000+25.54 грн
3000+23.15 грн
6000+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A060ZPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 6 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.03 грн
6000+23.34 грн
15000+22.48 грн
30000+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A060ZPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 6 V
на замовлення 35921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.82 грн
10+57.03 грн
100+43.74 грн
500+32.45 грн
1000+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070APTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 6 V
на замовлення 3473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.91 грн
10+49.78 грн
100+34.47 грн
500+27.03 грн
1000+23.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070APTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070APTRROHM SemiconductorMOSFETs Trans MOSFET P-CH 12V 7A
на замовлення 3107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.37 грн
10+48.99 грн
100+29.50 грн
500+23.69 грн
1000+21.51 грн
3000+18.64 грн
6000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPHZGTRROHMDescription: ROHM - RQ1A070ZPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 7 A, 0.012 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.67 грн
11+77.74 грн
100+51.70 грн
500+39.35 грн
1000+32.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPHZGTRRohm SemiconductorDescription: AUTOMOTIVE PCH -12V -7A SMALL SI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPHZGTRROHM SemiconductorMOSFETs TSMT8 P CHAN 12V
на замовлення 6063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.50 грн
10+72.08 грн
100+41.65 грн
500+34.14 грн
1000+30.93 грн
3000+26.22 грн
6000+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPHZGTRRohm SemiconductorDescription: AUTOMOTIVE PCH -12V -7A SMALL SI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPHZGTRROHMDescription: ROHM - RQ1A070ZPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 7 A, 0.012 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.70 грн
500+39.35 грн
1000+32.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V
на замовлення 5267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.26 грн
10+67.16 грн
100+52.23 грн
500+41.55 грн
1000+33.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPTR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPTRROHM SemiconductorMOSFET SW MOSFET MID PWR P-CH 12V -7A
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.82 грн
10+69.88 грн
100+47.32 грн
500+40.08 грн
1000+32.64 грн
3000+30.66 грн
6000+29.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C065UNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.62 грн
10+39.05 грн
100+29.16 грн
500+21.51 грн
1000+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C065UNTR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C065UNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+38.31 грн
352+36.77 грн
500+35.44 грн
1000+33.06 грн
2500+29.71 грн
Мінімальне замовлення: 338
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C065UNTRROHM SemiconductorMOSFETs 1.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.16 грн
10+39.49 грн
100+22.39 грн
500+17.21 грн
1000+15.57 грн
3000+11.68 грн
6000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C065UNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C065UNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+38.31 грн
352+36.77 грн
500+35.44 грн
Мінімальне замовлення: 338
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C075UNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+40.56 грн
333+38.93 грн
500+37.52 грн
1000+35.00 грн
Мінімальне замовлення: 319
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C075UNTRROHM SemiconductorMOSFETs 1.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.37 грн
10+44.36 грн
100+26.01 грн
500+20.62 грн
1000+18.64 грн
3000+16.11 грн
6000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C075UNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C075UNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 4471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+32.55 грн
435+29.80 грн
448+28.92 грн
500+26.83 грн
1000+23.95 грн
3000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 398
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C075UNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C075UNTR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPFRATRRohm SemiconductorDescription: PCH -30V -5A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPFRATRRohm SemiconductorDescription: PCH -30V -5A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPHZGTRRohm SemiconductorDescription: PCH -30V -5A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.10 грн
10+45.34 грн
100+29.92 грн
500+23.87 грн
1000+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPHZGTRRohm SemiconductorDescription: PCH -30V -5A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPHZGTRROHM SemiconductorMOSFETs Pch -30V -5A Small Signal MOSFET: RQ1E050RPHZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.26 грн
10+46.40 грн
100+27.52 грн
500+24.72 грн
1000+22.53 грн
3000+19.87 грн
6000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPTRROHMDescription: ROHM - RQ1E050RPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.47 грн
500+29.66 грн
1000+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPTRROHM SemiconductorMOSFET RECOMMENDED ALT 755-RF4E075ATTCR
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.49 грн
10+51.82 грн
100+35.09 грн
500+29.43 грн
1000+23.62 грн
3000+22.94 грн
6000+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.94 грн
10+53.48 грн
100+38.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPTRROHMDescription: ROHM - RQ1E050RPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.30 грн
16+52.33 грн
100+38.39 грн
500+29.59 грн
1000+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E070RPHZGTRRohm SemiconductorDescription: PCH -30V -7A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E070RPHZGTRRohm SemiconductorDescription: PCH -30V -7A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E070RPHZGTRROHM SemiconductorMOSFETs TSMT8 P CHAN 30V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.01 грн
10+68.55 грн
100+42.26 грн
500+33.73 грн
1000+30.04 грн
3000+27.52 грн
6000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E070RPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E070RPTRROHM SemiconductorMOSFET MID PWR MOSFET SER
на замовлення 6245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.01 грн
10+73.73 грн
100+48.75 грн
500+41.31 грн
1000+33.73 грн
3000+31.68 грн
6000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E070RPTR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E070RPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
на замовлення 7987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.33 грн
10+75.67 грн
100+58.99 грн
500+45.74 грн
1000+36.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E075VN TRROHMTSMT8
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E075XNTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.48 грн
6000+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E075XNTCRROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch MOSFET. MOSFETs are made as ultra-low ON-resistance by the micro-processing technologies suitable for mobilr equipment for low current consumption. In wide lineup including compact type, high-power type and complex type to meet in the
на замовлення 12048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.98 грн
10+51.27 грн
100+30.93 грн
500+25.88 грн
1000+21.98 грн
3000+19.12 грн
6000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E075XNTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
на замовлення 26828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.07 грн
10+46.67 грн
100+32.31 грн
500+25.33 грн
1000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E100XNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E100XNTRROHM SemiconductorMOSFET RECOMMENDED ALT 755-RF4E110BNTR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.03 грн
10+61.95 грн
100+41.92 грн
500+35.57 грн
1000+28.95 грн
3000+27.17 грн
6000+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1R50SHARP0222+
на замовлення 18373 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1V-CH-A115IDECGeneral Purpose Relays Relay PCB SPDT 16A 120VAC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+839.57 грн
10+774.97 грн
25+599.46 грн
100+539.38 грн
250+479.30 грн
500+449.26 грн
1000+419.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1V-CM-D24IDECDescription: IDEC - RQ1V-CM-D24 - POWER RELAY, SPDT, 24VDC, 12A, PC BOARD
tariffCode: 85364190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+518.56 грн
10+502.62 грн
25+493.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.