Продукція > RQ1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
RQ147M2R2BATME
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A060ZPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 6 V
на замовлення 35921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.24 грн
10+59.08 грн
100+45.32 грн
500+33.62 грн
1000+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A060ZPTRROHM SemiconductorMOSFETs RECOMMENDED ALT 755-RF4C050APTR
на замовлення 3465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.66 грн
10+65.23 грн
100+38.70 грн
500+32.37 грн
1000+27.51 грн
3000+24.94 грн
6000+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A060ZPTRROHM SEMICONDUCTORRQ1A060ZPTR SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A060ZPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 6 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.97 грн
6000+24.18 грн
15000+23.29 грн
30000+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A060ZPTR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070APTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 6 V
на замовлення 3473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.07 грн
10+51.57 грн
100+35.71 грн
500+28.00 грн
1000+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070APTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070APTRROHM SemiconductorMOSFETs Trans MOSFET P-CH 12V 7A
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.72 грн
10+52.79 грн
100+31.78 грн
500+25.38 грн
1000+23.25 грн
3000+20.82 грн
6000+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070APTRROHM SEMICONDUCTORRQ1A070APTR SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPFRATRROHM SEMICONDUCTORRQ1A070ZPFRATR SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPHZGTRROHMDescription: ROHM - RQ1A070ZPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 7 A, 0.012 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.30 грн
13+66.27 грн
100+51.58 грн
500+46.13 грн
1000+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPHZGTRRohm SemiconductorDescription: AUTOMOTIVE PCH -12V -7A SMALL SI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPHZGTRROHM SemiconductorMOSFETs TSMT8 P CHAN 12V
на замовлення 5073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.17 грн
10+67.60 грн
100+45.76 грн
500+44.07 грн
3000+37.45 грн
6000+36.71 грн
9000+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPHZGTRRohm SemiconductorDescription: AUTOMOTIVE PCH -12V -7A SMALL SI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPHZGTRROHMDescription: ROHM - RQ1A070ZPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 7 A, 0.012 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.58 грн
500+46.13 грн
1000+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPTRROHM SemiconductorMOSFET SW MOSFET MID PWR P-CH 12V -7A
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.55 грн
10+75.30 грн
100+50.98 грн
500+43.18 грн
1000+35.17 грн
3000+33.03 грн
6000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPTR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V
на замовлення 5267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.33 грн
10+69.58 грн
100+54.12 грн
500+43.04 грн
1000+35.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C065UNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.34 грн
10+40.46 грн
100+30.22 грн
500+22.28 грн
1000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C065UNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+36.13 грн
352+34.68 грн
500+33.43 грн
1000+31.19 грн
2500+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 338
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C065UNTRROHM SemiconductorMOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.93 грн
10+43.82 грн
100+28.47 грн
500+22.36 грн
1000+17.29 грн
3000+14.71 грн
9000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C065UNTR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C065UNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C065UNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+36.13 грн
352+34.68 грн
500+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 338
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C075UNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+38.25 грн
333+36.72 грн
500+35.39 грн
1000+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 319
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C075UNTRROHM SemiconductorMOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.10 грн
10+48.14 грн
100+28.62 грн
500+23.91 грн
1000+20.30 грн
3000+18.39 грн
6000+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C075UNTR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C075UNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C075UNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 4471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+30.70 грн
435+28.10 грн
448+27.27 грн
500+25.30 грн
1000+22.59 грн
3000+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 398
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C075UNTRROHM SEMICONDUCTORRQ1C075UNTR SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C075UNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPFRATRRohm SemiconductorDescription: PCH -30V -5A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPFRATRRohm SemiconductorDescription: PCH -30V -5A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPHZGTRRohm SemiconductorDescription: PCH -30V -5A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.31 грн
10+46.98 грн
100+31.00 грн
500+24.74 грн
1000+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPHZGTRRohm SemiconductorDescription: PCH -30V -5A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPHZGTRROHM SemiconductorMOSFETs Pch -30V -5A Small Signal MOSFET: RQ1E050RPHZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.40 грн
10+50.00 грн
100+29.65 грн
500+26.63 грн
1000+24.28 грн
3000+21.41 грн
6000+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPTRROHMDescription: ROHM - RQ1E050RPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.86 грн
500+30.73 грн
1000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPTRROHM SemiconductorMOSFET RECOMMENDED ALT 755-RF4E075ATTCR
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.26 грн
10+55.84 грн
100+37.81 грн
500+31.71 грн
1000+25.45 грн
3000+24.72 грн
6000+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.29 грн
10+55.41 грн
100+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPTRROHMDescription: ROHM - RQ1E050RPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.13 грн
16+54.22 грн
100+39.78 грн
500+30.65 грн
1000+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E070RPHZGTRROHM SemiconductorMOSFETs TSMT8 P CHAN 30V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.99 грн
10+73.86 грн
100+45.54 грн
500+36.34 грн
1000+32.37 грн
3000+29.65 грн
6000+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E070RPHZGTRRohm SemiconductorDescription: PCH -30V -7A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E070RPHZGTRRohm SemiconductorDescription: PCH -30V -7A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E070RPTRROHM SEMICONDUCTORRQ1E070RPTR SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E070RPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E070RPTR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E070RPTRROHM SemiconductorMOSFET MID PWR MOSFET SER
на замовлення 6245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.99 грн
10+79.44 грн
100+52.53 грн
500+44.51 грн
1000+36.34 грн
3000+34.14 грн
6000+32.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E070RPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
на замовлення 7987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.52 грн
10+78.40 грн
100+61.12 грн
500+47.39 грн
1000+37.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E075VN TRROHMTSMT8
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E075XNTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.14 грн
6000+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E075XNTCRROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch MOSFET. MOSFETs are made as ultra-low ON-resistance by the micro-processing technologies suitable for mobilr equipment for low current consumption. In wide lineup including compact type, high-power type and complex type to meet in the
на замовлення 12048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.63 грн
10+55.25 грн
100+33.33 грн
500+27.88 грн
1000+23.69 грн
3000+20.60 грн
6000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E075XNTCRROHM SEMICONDUCTORRQ1E075XNTCR SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E075XNTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
на замовлення 26828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.09 грн
10+48.36 грн
100+33.47 грн
500+26.25 грн
1000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E100XNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E100XNTRROHM SemiconductorMOSFET RECOMMENDED ALT 755-RF4E110BNTR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.00 грн
10+66.75 грн
100+45.17 грн
500+38.33 грн
1000+31.19 грн
3000+29.28 грн
6000+27.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1R50SHARP0222+
на замовлення 18373 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1V-CH-A115IDECGeneral Purpose Relays Relay PCB SPDT 16A 120VAC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+904.64 грн
10+835.04 грн
25+645.93 грн
100+581.19 грн
250+516.45 грн
500+484.08 грн
1000+451.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1V-CM-D24IDECDescription: IDEC - RQ1V-CM-D24 - POWER RELAY, SPDT, 24VDC, 12A, PC BOARD
tariffCode: 85364190
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Solder
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Spulentyp: Non Latching
Kontaktmaterial: Silver Nickel
Kontaktstrom: 12A
usEccn: EAR99
Spulenwiderstand: 1.44kohm
euEccn: NLR
Kontaktspannung V DC: -
Relaismontage: Through Hole
Produktpalette: RQ Series
productTraceability: No
Spulenspannung: 24VDC
Kontaktkonfiguration: SPDT
Kontaktspannung V AC: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+527.36 грн
10+512.50 грн
25+501.77 грн
50+455.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.