Продукція > RSJ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
RSJ-0352-2-NLRDI, Inc.Description: 3.5 MM MONO JACK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-0356A-U-N-NLRDI ElectronicsACCT#000458287 12/31/15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-0356A-U-NLRDI Electronics.5MM STEREO JACK WITH REAR C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-1000-50Bourns Inc.Description: RES SHUNT CHAS MNT 1000A 50MV
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-1000-50BournsPlanar Resistors - Chassis Mount SWA-1000 50mV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-1500-100RiedonDescription: RES CHAS MNT 67 UOHM 0.25%
Tolerance: ±0.25%
Lead Style: 4-Terminal
Features: Current Sense, Flame Proof, Non-Inductive, Pulse Withstanding, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Rectangular Case - Open
Temperature Coefficient: ±15ppm/°C
Size / Dimension: 11.250" L x 3.000" W (285.75mm x 76.20mm)
Composition: Metal Element
Operating Temperature: 30°C ~ 70°C
Mounting Feature: Flanges
Resistance: 67 µOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-1500-50BournsPlanar Resistors - Chassis Mount RSJ-1500 50mV
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+18021.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-1500-50BOURNSDescription: BOURNS - RSJ-1500-50 - Messwiderstand / Shunt, 0.033 mOhm, 50mV-Ausgang, 1.5 kA, 0.25 %, -40 °C, 100 °C, Riedon RSJ Series
tariffCode: 85332100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Nennstrom: 1.5kA
euEccn: NLR
Genauigkeit: 0.25%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebstemperatur, max.: 100°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: Riedon RSJ Series
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17989.81 грн
5+17885.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-2500-100BournsPlanar Resistors - Chassis Mount SWA 2500A 100mV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-3558S-1-NLRDI, Inc.Description: 3.5MM STEREO JACK
Features: Board Guide, Board Lock
Packaging: Tray
Connector Type: Phone Jack, Dual
Gender: Female
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Number of Positions/Contacts: 2 Sets of 3 Conductors, 10 Contacts
Internal Switch(s): 2 Sets of Two Switches
Signal Lines: Stereo (3 Conductor, TRS)
Termination: Solder
Insulation Color: Black
Actual Diameter: 0.142" (3.60mm)
Industry Recognized Mating Diameter: 3.50mm (0.141", 1/8", Mini Plug) - Headphone
Part Status: Active
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+239.20 грн
300+198.06 грн
500+173.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-360-NLRDI, Inc.Description: 3.5MM PHONE JACK
Packaging: Bag
Connector Type: Phone Jack
Gender: Female
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Shielding: Unshielded
Number of Positions/Contacts: 2 Conductors, 3 Contacts
Internal Switch(s): Single Switch
Signal Lines: Mono
Termination: Solder Eyelet(s)
Actual Diameter: 0.142" (3.60mm)
Industry Recognized Mating Diameter: 3.50mm (0.141", 1/8", Mini Plug) - Headphone
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-362-NLRDI, Inc.Description: 3.5MM AUDIO JACK
Packaging: Bag
Features: Board Guide
Connector Type: Phone Jack
Gender: Female
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Shielding: Unshielded
Number of Positions/Contacts: 3 Conductors, 5 Contacts
Internal Switch(s): Two Switches
Signal Lines: Mono
Termination: Solder
Actual Diameter: 0.142" (3.60mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-370-NLRDI, Inc.Description: 3.5MM MONO JACK
Packaging: Bag
Connector Type: Phone Jack
Gender: Female
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Shielding: Unshielded
Number of Positions/Contacts: 2 Conductors, 3 Contacts
Internal Switch(s): Single Switch
Signal Lines: Mono
Termination: Kinked Pin, Solder
Actual Diameter: 0.142" (3.60mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-372-NLRDI ElectronicsAudio Jacks - 3.5mm
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-372-NLRDI ElectronicsAudio Jacks - 3.5mm
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-500-NLRDI ElectronicsJACKS - AUDIO JACKS - 3.5MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-500-NLRDI, Inc.Description: 3.5MM STEREO JACK
Packaging: Tray
Connector Type: Phone Jack
Gender: Female
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -25°C ~ 100°C
Number of Positions/Contacts: 3 Conductors, 5 Contacts
Internal Switch(s): Two Switches
Signal Lines: Stereo (3 Conductor, TRS)
Termination: Kinked Pin, Solder
Industry Recognized Mating Diameter: 3.20mm ID, 9.00mm OD (RCA)
Part Status: Active
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-B57-NLRDI, Inc.Description: 3.5MM JACK
Packaging: Bag
Connector Type: Phone Jack
Gender: Female
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Number of Positions/Contacts: 3 Conductors, 5 Contacts
Internal Switch(s): Two Switches
Signal Lines: Stereo (3 Conductor, TRS)
Termination: Solder Tabs
Actual Diameter: 0.142" (3.60mm)
Industry Recognized Mating Diameter: 3.50mm (0.141", 1/8", Mini Plug) - Headphone
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+62.82 грн
1500+53.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-BKAltech CorporationDescription: JUMPER FOR RSM BLK 20POSITION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-BKAltechRelay Sockets & Fixings BLACK JUMPER For RSM
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+507.03 грн
10+468.99 грн
20+362.68 грн
50+344.31 грн
100+326.72 грн
200+309.12 грн
500+298.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-E-ROMEGADescription: OMEGA - RSJ-E-R - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ E, Produktreihe RSJ
Thermoelement: E
Ausführung: Buchse
Produktpalette: RSJ Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-E-ROmegaDescription: STANDARD PANEL JACKS, E TYPE, RO
Packaging: Bulk
Type: Specialized
Accessory Type: Jack
Specifications: Purple
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-J-ROMEGADescription: OMEGA - RSJ-J-R - Thermoelement-Steckverbinder, Einbaubuchse, Typ J, Produktreihe RSJ, runde Bohrung, Standardgröße
tariffCode: 85369010
Thermoelement: J
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: RMJ Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+479.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-J-R.OMEGADescription: OMEGA - RSJ-J-R. - THERMOCOUPLE CONNECTOR, J TYPE, RCPT
tariffCode: 85366990
Thermoelement: J
productTraceability: No
Kalibrierstandard: ANSI
rohsCompliant: YES
Ausführung: Socket
euEccn: NLR
hazardous: false
Anschlussform: Standard
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Sensortyp: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: RSJ Series
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+581.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-K-ROMEGADescription: OMEGA - RSJ-K-R - Thermoelement-Steckverbinder, Panel, Buchse, 1-reihig, Typ K, ANSI, Baureihe RSJ
tariffCode: 85366990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausführung: Buchse
Kalibrierstandard: ANSI
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: RMJ Series
productTraceability: No
Anschlussform: Standard
Thermoelement: K
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+566.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-K-R-ROHSOMEGADescription: OMEGA - RSJ-K-R-ROHS - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ K, Produktreihe RSJ
Thermoelement: K
Ausführung: Buchse
Produktpalette: RSJ Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-K-R.OMEGADescription: OMEGA - RSJ-K-R. - THERMOCOUPLE CONNECTOR, K TYPE, RCPT
tariffCode: 85366990
Thermoelement: K
productTraceability: No
Kalibrierstandard: ANSI
rohsCompliant: YES
Ausführung: Socket
euEccn: NLR
hazardous: false
Anschlussform: Standard
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Sensortyp: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: RSJ Series
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+616.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-KI-ROMEGADescription: OMEGA - RSJ-KI-R - Thermoelement-Steckverbinder, Panel, Buchse, 1-reihig, Typ K, IEC, Baureihe RSJ
tariffCode: 85366990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausführung: Buchse
Kalibrierstandard: IEC
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: RMJ Series
productTraceability: No
Anschlussform: Standard
Thermoelement: K
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+623.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-N-ROmegaDescription: STANDARD PANEL JACKS, N TYPE, RO
Packaging: Bulk
Type: Specialized
Accessory Type: Jack
Specifications: Orange
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-N-ROMEGADescription: OMEGA - RSJ-N-R - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ N, rund, Produktreihe RSJ
Thermoelement: N
Ausführung: Buchse
Produktpalette: RSJ Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-NI-ROMEGADescription: OMEGA - RSJ-NI-R - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ N, rund, Produktreihe RSJ
Thermoelement: N
Ausführung: Buchse
Produktpalette: RSJ Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-R/S-ROmegaDescription: STANDARD PANEL JACKS, R/S TYPE,
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Single Circuit Applications
Type: Specialized
Accessory Type: Jack
Specifications: Green
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-R/S-ROMEGADescription: OMEGA - RSJ-R/S-R - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ R/S, rund, Produktreihe RSJ
Thermoelement: R, S
Ausführung: Buchse
Produktpalette: RSJ Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-R/SI-ROmegaDescription: STANDARD PANEL JACKS, R/S TYPE,
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-R/SI-ROMEGADescription: OMEGA - RSJ-R/SI-R - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ R/S, rund, Produktreihe RSJ
Thermoelement: R, S
Ausführung: Buchse
Produktpalette: RSJ Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-T-ROMEGADescription: OMEGA - RSJ-T-R - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ T, rund, Produktreihe RSJ
Thermoelement: T
Ausführung: Buchse
Produktpalette: RSJ Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-T-ROmegaDescription: STANDARD PANEL JACKS, T TYPE, RO
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Single Circuit Applications
Type: Specialized
Accessory Type: Jack
Specifications: Blue
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-TI-ROMEGADescription: OMEGA - RSJ-TI-R - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ T, rund, Produktreihe RSJ
Thermoelement: T
Ausführung: Buchse
Produktpalette: RSJ Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-U-ROMEGADescription: OMEGA - RSJ-U-R - Thermoelement-Steckverbinder, Einbaubuchse, Typ U, Produktreihe RSJ, runde Bohrung, Standardgröße
tariffCode: 85369010
Thermoelement: U
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: RSJ Series
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+455.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ-U-R-ROHSOMEGADescription: OMEGA - RSJ-U-R-ROHS - Thermoelement-Steckverbinder, Produktreihe RSJ, Einbaubuchse, rund, Typ U, Buchse
Thermoelement: U
Ausführung: Buchse
Produktpalette: RSJ
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ10HN06ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ10HN06TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ10HN06TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ10HN06TLROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive N-Ch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ151P10TLROHMDescription: ROHM - RSJ151P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ151P10TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; Idm: -30A; 50W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -15A
Gate charge: 64nC
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.22Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ151P10TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; Idm: -30A; 50W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -15A
Gate charge: 64nC
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.22Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ151P10TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+44.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ151P10TLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+103.67 грн
123+99.03 грн
250+95.06 грн
500+88.36 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ151P10TLROHMDescription: ROHM - RSJ151P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+139.05 грн
10+106.43 грн
100+73.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ151P10TLROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.83 грн
10+105.59 грн
100+65.04 грн
500+51.72 грн
1000+46.67 грн
2000+42.08 грн
5000+41.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ151P10TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.98 грн
10+81.46 грн
100+57.47 грн
500+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ151P10TLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+75.50 грн
171+71.17 грн
196+61.88 грн
206+56.84 грн
500+52.55 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ17505+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ17505+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ175
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -100V Vds -25A 0.05Rds(on) 60Qg
на замовлення 13626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.32 грн
10+124.07 грн
100+76.36 грн
500+61.13 грн
1000+56.31 грн
2000+53.64 грн
5000+51.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATLROHMDescription: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.01 грн
200+86.88 грн
500+64.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATLROHM - JapanTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 25A; 45mOhm; 50W; -55°C~150°C; RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor TRSJ250p10fratl
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
8+70.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 100V 25A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 100V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+121.13 грн
116+104.98 грн
126+96.50 грн
200+92.76 грн
500+72.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATLROHMDescription: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+165.66 грн
10+127.89 грн
50+111.58 грн
200+87.67 грн
500+64.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Power dissipation: 50W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.83 грн
10+126.14 грн
12+95.64 грн
33+90.86 грн
200+87.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Power dissipation: 50W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+138.19 грн
10+101.22 грн
12+79.70 грн
33+75.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATLROHMDescription: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.40 грн
10+115.41 грн
100+79.13 грн
500+59.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TLROHMDescription: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+178.53 грн
200+122.74 грн
500+94.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+94.37 грн
2000+86.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 6743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+130.21 грн
103+118.10 грн
126+96.50 грн
200+87.02 грн
500+80.30 грн
1000+68.52 грн
2000+63.94 грн
4000+62.29 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+230.02 грн
55+221.26 грн
100+213.75 грн
250+199.86 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TLROHMDescription: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.063 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.50 грн
10+181.97 грн
50+172.52 грн
200+121.94 грн
500+94.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TLROHM SemiconductorMOSFETs PWR MOSFET LOW RESIST DEVICE
на замовлення 5924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.41 грн
10+164.54 грн
100+111.71 грн
500+104.06 грн
1000+87.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 8491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.65 грн
10+166.02 грн
100+119.60 грн
500+99.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 3576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+134.12 грн
94+129.01 грн
100+124.63 грн
250+116.54 грн
500+104.97 грн
1000+98.30 грн
2500+96.13 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL LPTSROHM - JapanP-Channel 100V 25A (Ta) 50W (Tc) Surface Mount LPTS TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB RSJ250P10TL Rohm Semiconductor TRSJ250p10tl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+89.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ300N10TLROHM SemiconductorMOSFETs PWR MOSFET LOW RESIST DEVICE
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+170.50 грн
10+139.91 грн
100+96.41 грн
250+88.76 грн
500+81.11 грн
1000+63.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ300N10TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 30A LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ301N10FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 30A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.82 грн
10+148.96 грн
100+103.61 грн
500+83.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ301N10FRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V Vds 30A 0.036Rds(on) 60Qg
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.23 грн
10+164.54 грн
100+100.23 грн
500+85.70 грн
1000+74.37 грн
2000+72.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ301N10FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 30A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+80.99 грн
2000+72.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ301N10TLRohm SemiconductorDescription: NCH 100V 30A POWER MOSFET : RSJ3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ301N10TLROHM SemiconductorMOSFETs TO263 100V 30A N-CH MOSFET
на замовлення 3786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.13 грн
10+166.30 грн
100+110.18 грн
500+106.35 грн
1000+97.17 грн
2000+90.29 грн
5000+87.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ301N10TLRohm SemiconductorDescription: NCH 100V 30A POWER MOSFET : RSJ3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.55 грн
10+195.59 грн
100+137.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N06FRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 60V Vds 40A 0.011Rds(on) 52Qg
на замовлення 3443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.93 грн
10+109.99 грн
100+81.11 грн
250+74.75 грн
500+67.56 грн
1000+55.93 грн
2000+54.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N06FRATLROHM SEMICONDUCTORRSJ400N06FRATL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N06FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 40A LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N06FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 40A LPTS
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N06TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 40A LPTS
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N06TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 40A LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N06TLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N10FRATLROHMDescription: ROHM - RSJ400N10FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N10FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 40A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.41 грн
10+164.19 грн
100+122.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N10FRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V Vdss 40A ID TO-263(D2PAK); LPTS
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.34 грн
10+190.06 грн
100+123.95 грн
500+116.30 грн
1000+94.88 грн
2000+93.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N10FRATLROHMDescription: ROHM - RSJ400N10FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N10FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 40A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N10TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 40A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.56 грн
10+228.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N10TLROHM SEMICONDUCTORRSJ400N10TL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N10TLROHMDescription: ROHM - RSJ400N10TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N10TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 40A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N10TLROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch MOSFET
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+361.53 грн
10+241.98 грн
25+198.17 грн
100+165.27 грн
500+136.20 грн
1000+127.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ4500-1BG
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ4500-1BG05+
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ450N04TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 45A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ450N04TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 45A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ450N04TLROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ450N04TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 45A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.37 грн
10+124.97 грн
100+89.63 грн
500+69.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ451N04FRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 40V Vdss 45A ID TO-263(D2PAK); LPTS
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.42 грн
10+168.06 грн
100+116.30 грн
250+113.24 грн
500+97.94 грн
1000+82.64 грн
2000+78.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ451N04FRATLROHMDescription: ROHM - RSJ451N04FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 45 A, 0.0095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ451N04FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 45A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.37 грн
10+152.55 грн
100+121.40 грн
500+96.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ451N04FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 45A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ451N04FRATLROHMDescription: ROHM - RSJ451N04FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 45 A, 0.0095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ550N10TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ550N10TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 110A; 100W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 143nC
On-state resistance: 18.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 55A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 100W
Pulsed drain current: 110A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ550N10TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.63 грн
10+255.37 грн
100+182.49 грн
500+142.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ550N10TLROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch MOSFET
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+408.84 грн
10+268.37 грн
100+185.93 грн
500+165.27 грн
1000+133.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ550N10TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 110A; 100W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 143nC
On-state resistance: 18.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 55A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 100W
Pulsed drain current: 110A
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ650N10TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 130A; 100W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 130A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ650N10TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10780 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ650N10TLROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch MOSFET
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.25 грн
10+386.28 грн
100+274.69 грн
500+255.56 грн
1000+217.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ650N10TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 130A; 100W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 130A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ650N10TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10780 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+473.43 грн
10+341.92 грн
100+257.96 грн
500+218.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ800N06TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: LPTS
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+121.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ800N06TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: LPTS
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ800N06TLROHM SemiconductorMOSFET Low Power MCU; LCD 8x64, 48Kbyte ROM, TQFP128
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ800N06TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: LPTS
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.34 грн
10+194.16 грн
100+142.14 грн
500+111.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJMPR10Red Lion ControlsDescription: RELAY SYSTEM 2 POS JUMPER - RED
Packaging: Box
For Use With/Related Products: RS Series
Accessory Type: Jumper
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJMPR20Red Lion ControlsDescription: RELAY SYSTEM 2 POS JUMPER - BLUE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJMPR30Red Lion ControlsDescription: RELAY SYSTEM 2 POS JUMPER - GREY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.