Продукція > RSJ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RSJ-0352-2-NLRDI, Inc.Description: 3.5 MM MONO JACK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RSJ-0356A-U-N-NLRDI ElectronicsACCT#000458287 12/31/15
товар відсутній
RSJ-0356A-U-NLRDI Electronics.5MM STEREO JACK WITH REAR C
товар відсутній
RSJ-1500-100RiedonDescription: RES CHAS MNT 67 UOHM 0.25%
Tolerance: ±0.25%
Lead Style: 4-Terminal
Features: Current Sense, Flame Proof, Non-Inductive, Pulse Withstanding, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Rectangular Case - Open
Temperature Coefficient: ±15ppm/°C
Size / Dimension: 11.250" L x 3.000" W (285.75mm x 76.20mm)
Composition: Metal Element
Operating Temperature: 30°C ~ 70°C
Mounting Feature: Flanges
Resistance: 67 µOhms
товар відсутній
RSJ-3558S-1-NLRDI, Inc.Description: 3.5MM STEREO JACK
Packaging: Tray
Features: Board Guide, Board Lock
Connector Type: Phone Jack, Dual
Gender: Female
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Number of Positions/Contacts: 2 Sets of 3 Conductors, 10 Contacts
Internal Switch(s): 2 Sets of Two Switches
Signal Lines: Stereo (3 Conductor, TRS)
Termination: Solder
Insulation Color: Black
Actual Diameter: 0.142" (3.60mm)
Industry Recognized Mating Diameter: 3.50mm (0.141", 1/8", Mini Plug) - Headphone
Part Status: Active
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+208.18 грн
300+ 172.38 грн
500+ 150.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
RSJ-360-NLRDI, Inc.Description: 3.5MM PHONE JACK
Packaging: Bag
Connector Type: Phone Jack
Gender: Female
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Shielding: Unshielded
Number of Positions/Contacts: 2 Conductors, 3 Contacts
Internal Switch(s): Single Switch
Signal Lines: Mono
Termination: Solder Eyelet(s)
Actual Diameter: 0.142" (3.60mm)
Industry Recognized Mating Diameter: 3.50mm (0.141", 1/8", Mini Plug) - Headphone
товар відсутній
RSJ-362-NLRDI, Inc.Description: 3.5MM AUDIO JACK
Packaging: Bag
Features: Board Guide
Connector Type: Phone Jack
Gender: Female
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Shielding: Unshielded
Number of Positions/Contacts: 3 Conductors, 5 Contacts
Internal Switch(s): Two Switches
Signal Lines: Mono
Termination: Solder
Actual Diameter: 0.142" (3.60mm)
товар відсутній
RSJ-370-NLRDI, Inc.Description: 3.5MM MONO JACK
Packaging: Bag
Connector Type: Phone Jack
Gender: Female
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Shielding: Unshielded
Number of Positions/Contacts: 2 Conductors, 3 Contacts
Internal Switch(s): Single Switch
Signal Lines: Mono
Termination: Kinked Pin, Solder
Actual Diameter: 0.142" (3.60mm)
товар відсутній
RSJ-500-NLRDI ElectronicsJACKS - AUDIO JACKS - 3.5MM
товар відсутній
RSJ-500-NLRDI, Inc.Description: 3.5MM STEREO JACK
Packaging: Tray
Connector Type: Phone Jack
Gender: Female
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -25°C ~ 100°C
Number of Positions/Contacts: 3 Conductors, 5 Contacts
Internal Switch(s): Two Switches
Signal Lines: Stereo (3 Conductor, TRS)
Termination: Kinked Pin, Solder
Industry Recognized Mating Diameter: 3.20mm ID, 9.00mm OD (RCA)
Part Status: Active
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
RSJ-B57-NLRDI, Inc.Description: 3.5MM JACK
Packaging: Bag
Connector Type: Phone Jack
Gender: Female
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Number of Positions/Contacts: 3 Conductors, 5 Contacts
Internal Switch(s): Two Switches
Signal Lines: Stereo (3 Conductor, TRS)
Termination: Solder Tabs
Actual Diameter: 0.142" (3.60mm)
Industry Recognized Mating Diameter: 3.50mm (0.141", 1/8", Mini Plug) - Headphone
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+54.68 грн
1500+ 46.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
RSJ-BKAltech CorporationDescription: JUMPER FOR RSM BLK 20POSITION
товар відсутній
RSJ-BKAltechRelay Sockets & Fixings BLACK JUMPER For RSM
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+424.98 грн
10+ 396.7 грн
30+ 323.64 грн
100+ 297.01 грн
250+ 289.02 грн
500+ 284.35 грн
1000+ 279.03 грн
RSJ-E-ROMEGADescription: OMEGA - RSJ-E-R - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ E, Produktreihe RSJ
Thermoelement: E
Ausführung: Buchse
Produktpalette: RSJ Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
RSJ-J-ROMEGADescription: OMEGA - RSJ-J-R - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ J, Produktreihe RSJ
Thermoelement: J
Ausführung: Buchse
Produktpalette: RSJ
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+249.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
RSJ-J-R.OMEGADescription: OMEGA - RSJ-J-R. - THERMOCOUPLE CONNECTOR, J TYPE, RCPT
tariffCode: 85366990
Thermoelement: J
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Ausführung: Socket
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: RSJ Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+441.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
RSJ-K-ROMEGADescription: OMEGA - RSJ-K-R - Thermoelement-Steckverbinder, Produktreihe RSJ, Buchse, rund, Typ K, Buchse, Standard
tariffCode: 85366990
Thermoelement: K
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: RSJ
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+383.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
RSJ-K-R-ROHSOMEGADescription: OMEGA - RSJ-K-R-ROHS - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ K, Produktreihe RSJ
Thermoelement: K
Ausführung: Buchse
Produktpalette: RSJ Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
RSJ-K-R.OMEGADescription: OMEGA - RSJ-K-R. - THERMOCOUPLE CONNECTOR, K TYPE, RCPT
tariffCode: 85366990
Thermoelement: K
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Ausführung: Socket
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: RSJ Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+441.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
RSJ-KI-ROMEGADescription: OMEGA - RSJ-KI-R - Thermoelement-Steckverbinder, Produktreihe RSJ, Buchse, rund, Typ K, Buchse
tariffCode: 85366990
Thermoelement: K
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: RSJ
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+376.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
RSJ-N-ROMEGADescription: OMEGA - RSJ-N-R - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ N, rund, Produktreihe RSJ
Thermoelement: N
Ausführung: Buchse
Produktpalette: RSJ Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
RSJ-NI-ROMEGADescription: OMEGA - RSJ-NI-R - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ N, rund, Produktreihe RSJ
Thermoelement: N
Ausführung: Buchse
Produktpalette: RSJ Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
RSJ-R/S-ROMEGADescription: OMEGA - RSJ-R/S-R - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ R/S, rund, Produktreihe RSJ
Thermoelement: R, S
Ausführung: Buchse
Produktpalette: RSJ Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
RSJ-R/SI-ROMEGADescription: OMEGA - RSJ-R/SI-R - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ R/S, rund, Produktreihe RSJ
Thermoelement: R, S
Ausführung: Buchse
Produktpalette: RSJ Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
RSJ-T-ROMEGADescription: OMEGA - RSJ-T-R - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ T, rund, Produktreihe RSJ
Thermoelement: T
Ausführung: Buchse
Produktpalette: RSJ Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
RSJ-TI-ROMEGADescription: OMEGA - RSJ-TI-R - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ T, rund, Produktreihe RSJ
Thermoelement: T
Ausführung: Buchse
Produktpalette: RSJ Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
RSJ-U-ROMEGADescription: OMEGA - RSJ-U-R - Thermoelement-Steckverbinder, Buchse, Typ U, Produktreihe RSJ
tariffCode: 85369010
Thermoelement: U
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: RSJ Series
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+383.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
RSJ-U-R-ROHSOMEGADescription: OMEGA - RSJ-U-R-ROHS - Thermoelement-Steckverbinder, Produktreihe RSJ, Einbaubuchse, rund, Typ U, Buchse
Thermoelement: U
Ausführung: Buchse
Produktpalette: RSJ
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+249.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
RSJ10HN06ROHM SemiconductorMOSFET
товар відсутній
RSJ10HN06TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
товар відсутній
RSJ10HN06TLROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive N-Ch MOSFET
товар відсутній
RSJ10HN06TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
товар відсутній
RSJ151P10TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; Idm: -30A; 50W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RSJ151P10TLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+99.9 грн
123+ 95.42 грн
250+ 91.6 грн
500+ 85.14 грн
Мінімальне замовлення: 117
RSJ151P10TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; Idm: -30A; 50W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RSJ151P10TLROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.99 грн
10+ 87.3 грн
100+ 58.87 грн
500+ 49.95 грн
1000+ 40.62 грн
2000+ 38.22 грн
5000+ 36.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
RSJ151P10TLROHMDescription: ROHM - RSJ151P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.8 грн
500+ 49.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
RSJ151P10TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+43.64 грн
2000+ 39.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
RSJ151P10TLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+72.75 грн
171+ 68.58 грн
196+ 59.63 грн
206+ 54.77 грн
500+ 50.63 грн
Мінімальне замовлення: 161
RSJ151P10TLROHMDescription: ROHM - RSJ151P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.08 грн
10+ 85.16 грн
100+ 63.8 грн
500+ 49.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
RSJ151P10TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
на замовлення 3072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.41 грн
10+ 78.25 грн
100+ 60.86 грн
500+ 48.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
RSJ17505+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RSJ175
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RSJ17505+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RSJ250P10FRATLROHM - JapanTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 25A; 45mOhm; 50W; -55°C~150°C; RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor TRSJ250p10fratl
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+62.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
RSJ250P10FRATLROHMDescription: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.67 грн
10+ 109.82 грн
100+ 81.43 грн
500+ 66.45 грн
1000+ 50.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
RSJ250P10FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.3 грн
10+ 96.21 грн
100+ 76.58 грн
500+ 60.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
RSJ250P10FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 100V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+126.44 грн
111+ 106.02 грн
117+ 100.18 грн
200+ 95.67 грн
500+ 81.38 грн
Мінімальне замовлення: 93
RSJ250P10FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 100V 25A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
товар відсутній
RSJ250P10FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 50W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 352 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+112.06 грн
5+ 96.82 грн
12+ 81.58 грн
33+ 77.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
RSJ250P10FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 50W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.38 грн
5+ 77.69 грн
12+ 67.98 грн
33+ 64.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
RSJ250P10FRATLROHMDescription: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.43 грн
500+ 66.45 грн
1000+ 50.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
RSJ250P10FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.09 грн
2000+ 52.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
RSJ250P10FRATLROHM SemiconductorMOSFET Pch -100V Vds -25A 0.05Rds(on) 60Qg
на замовлення 4486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.52 грн
10+ 107.22 грн
100+ 74.58 грн
250+ 73.25 грн
500+ 62.53 грн
1000+ 53.14 грн
2000+ 50.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
RSJ250P10TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RSJ250P10TLROHMDescription: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -999°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.64 грн
10+ 152.4 грн
100+ 123.26 грн
500+ 107.52 грн
1000+ 86.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
RSJ250P10TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
товар відсутній
RSJ250P10TLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 4030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+129.24 грн
94+ 124.31 грн
100+ 120.1 грн
250+ 112.29 грн
500+ 101.15 грн
1000+ 94.72 грн
2500+ 92.63 грн
Мінімальне замовлення: 91
RSJ250P10TLROHM SemiconductorMOSFET PWR MOSFET LOW RESIST DEVICE
на замовлення 6989 шт:
термін постачання 168-177 дні (днів)
2+199.67 грн
10+ 165.42 грн
25+ 139.18 грн
100+ 116.54 грн
250+ 112.54 грн
500+ 103.22 грн
1000+ 87.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
RSJ250P10TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RSJ250P10TLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 6987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+129.36 грн
100+ 117.69 грн
122+ 96.39 грн
200+ 86.95 грн
500+ 80.24 грн
1000+ 68.44 грн
2000+ 64.7 грн
4000+ 63.03 грн
Мінімальне замовлення: 91
RSJ250P10TLROHMDescription: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -999°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+123.26 грн
500+ 107.52 грн
1000+ 86.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
RSJ250P10TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.69 грн
10+ 148.45 грн
100+ 120.06 грн
500+ 100.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
RSJ250P10TL LPTSROHM - JapanP-Channel 100V 25A (Ta) 50W (Tc) Surface Mount LPTS TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB RSJ250P10TL Rohm Semiconductor TRSJ250p10tl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+95.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
RSJ300N10TLROHM SemiconductorMOSFET PWR MOSFET LOW RESIST DEVICE
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
RSJ300N10TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 30A LPTS
товар відсутній
RSJ301N10FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 30A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+79.76 грн
2000+ 72.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000
RSJ301N10FRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 100V Vds 30A 0.036Rds(on) 60Qg
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.8 грн
10+ 148.57 грн
100+ 102.55 грн
250+ 95.23 грн
500+ 86.57 грн
1000+ 73.25 грн
2000+ 72.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
RSJ301N10FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 30A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.56 грн
10+ 134.37 грн
100+ 106.98 грн
500+ 84.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
RSJ301N10TLROHM SemiconductorMOSFET MOSFET
на замовлення 3812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.78 грн
10+ 167.72 грн
25+ 137.85 грн
100+ 118.54 грн
250+ 111.21 грн
500+ 105.22 грн
1000+ 89.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
RSJ301N10TLRohm SemiconductorDescription: NCH 100V 30A POWER MOSFET : RSJ3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+96.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
RSJ301N10TLRohm SemiconductorDescription: NCH 100V 30A POWER MOSFET : RSJ3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.57 грн
10+ 150.74 грн
100+ 121.92 грн
500+ 101.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
RSJ400N06FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 40A LPTS
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
RSJ400N06FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 40A LPTS
товар відсутній
RSJ400N06FRATLROHM SEMICONDUCTORRSJ400N06FRATL SMD N channel transistors
товар відсутній
RSJ400N06FRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 60V Vds 40A 0.011Rds(on) 52Qg
на замовлення 3443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.53 грн
10+ 95.73 грн
100+ 70.59 грн
250+ 65.06 грн
500+ 58.8 грн
1000+ 48.68 грн
2000+ 47.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
RSJ400N06TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 40A LPTS
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RSJ400N06TLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній
RSJ400N06TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 40A LPTS
товар відсутній
RSJ400N10FRATLROHMDescription: ROHM - RSJ400N10FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RSJ400N10FRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 100V Vdss 40A ID TO-263(D2PAK); LPTS
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.1 грн
10+ 187.63 грн
100+ 133.85 грн
500+ 113.87 грн
1000+ 95.89 грн
2000+ 90.57 грн
5000+ 87.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
RSJ400N10FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 40A LPTS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.7 грн
10+ 174.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
RSJ400N10FRATLROHMDescription: ROHM - RSJ400N10FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RSJ400N10FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 40A LPTS
товар відсутній
RSJ400N10TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 40A LPTS
товар відсутній
RSJ400N10TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 80A; 50W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RSJ400N10TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 40A LPTS
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.53 грн
10+ 230.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
RSJ400N10TLROHMDescription: ROHM - RSJ400N10TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товар відсутній
RSJ400N10TLROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch MOSFET
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+312.32 грн
10+ 277.23 грн
25+ 227.75 грн
100+ 197.12 грн
RSJ400N10TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 80A; 50W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
товар відсутній
RSJ4500-1BG
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RSJ4500-1BG05+
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RSJ450N04TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 45A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+66.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
RSJ450N04TLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній
RSJ450N04TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 45A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товар відсутній
RSJ450N04TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 45A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.19 грн
10+ 112.52 грн
100+ 89.57 грн
500+ 71.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
RSJ451N04FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 45A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товар відсутній
RSJ451N04FRATLROHMDescription: ROHM - RSJ451N04FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 45 A, 0.0095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+154.64 грн
10+ 114.3 грн
100+ 86.66 грн
500+ 70.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
RSJ451N04FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 45A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товар відсутній
RSJ451N04FRATLROHMDescription: ROHM - RSJ451N04FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 45 A, 0.0095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.66 грн
500+ 70.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
RSJ451N04FRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 40V Vdss 45A ID TO-263(D2PAK); LPTS
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.92 грн
10+ 146.27 грн
100+ 101.22 грн
250+ 98.56 грн
500+ 85.24 грн
1000+ 71.92 грн
2000+ 67.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
RSJ550N10TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V
товар відсутній
RSJ550N10TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 110A; 100W; D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
On-state resistance: 18.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 143nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 100W
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
RSJ550N10TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 110A; 100W; D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
On-state resistance: 18.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 143nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 100W
Mounting: SMD
Case: D2PAK
товар відсутній
RSJ550N10TLROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch MOSFET
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.67 грн
10+ 248.89 грн
25+ 204.44 грн
100+ 175.14 грн
250+ 165.15 грн
500+ 155.16 грн
1000+ 124.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
RSJ550N10TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.62 грн
10+ 223.57 грн
100+ 180.85 грн
500+ 150.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
RSJ650N10TLROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch MOSFET
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.96 грн
10+ 371.43 грн
100+ 269.7 грн
250+ 269.04 грн
500+ 237.07 грн
1000+ 203.78 грн
RSJ650N10TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10780 pF @ 25 V
товар відсутній
RSJ650N10TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 130A; 100W; D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
On-state resistance: 9.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 100W
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
RSJ650N10TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 130A; 100W; D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
On-state resistance: 9.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 100W
Mounting: SMD
Case: D2PAK
товар відсутній
RSJ650N10TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10780 pF @ 25 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+404.12 грн
10+ 333.94 грн
100+ 278.25 грн
500+ 230.41 грн
RSJ800N06TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A LPTS
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RSJ800N06TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A LPTS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RSJ800N06TLROHM SemiconductorMOSFET Low Power MCU; LCD 8x64, 48Kbyte ROM, TQFP128
товар відсутній
RSJMPR10Red Lion ControlsDescription: RELAY SYSTEM 2 POS JUMPER - RED
товар відсутній
RSJMPR20Red Lion ControlsDescription: RELAY SYSTEM 2 POS JUMPER - BLUE
товар відсутній
RSJMPR30Red Lion ControlsDescription: RELAY SYSTEM 2 POS JUMPER - GREY
товар відсутній