Продукція > STQ
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STQ-1016 | RFMD | Description: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ-1016 | SIRENZA | 04+; | на замовлення 1980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ-1016Z | на замовлення 3800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ-2016 | SIRENZA | 04+; | на замовлення 38380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ-2016 | SIRENZA | на замовлення 24 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STQ-2016 | RFMD | Description: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ-2016-3 | RFMD | Description: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ-2016-3 | Sirenza | TSSOP16 70-2500 MHz Direct Quadrature Modulator | на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ-2016-3Z | SIRENZA | 0647 | на замовлення 51 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ-2016Z | RFMD | Description: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ-2016Z | SIRENZA | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STQ-2016Z | RFMD | Description: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ-2016Z | RFMD | Description: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ-3016 | SIRENZA | 04+; | на замовлення 680 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ-3016 | RFMD | Description: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1016 | на замовлення 1435 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ1016Z | STQ1016Z | 07NOPB | на замовлення 103 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1016Z | new | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STQ124-1022 | на замовлення 13916 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ124-8222 | на замовлення 14968 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ124A-8222 | на замовлення 1394 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ125-100 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ125-1022A | на замовлення 3200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ125-8 222 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ125-8222 | на замовлення 12800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ125A-7322A | на замовлення 14400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ125R-1018PF | на замовлення 1094 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ127-7622 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ127R-2R2 | на замовлення 8700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ127R-2R210AP | на замовлення 8700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ1553-3 | iNRCORE, LLC | Description: TRANSFORMER DUAL STACKED PBC Packaging: Tray Size / Dimension: 0.630" L x 0.630" W (16.00mm x 16.00mm) Mounting Type: Through Hole Transformer Type: Interface, MIL-STD-1553 Turns Ratio - Primary:Secondary: 1.25CT:1CT, 1.66CT:1CT Height - Seated (Max): 0.340" (8.64mm) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1553-3 | iNRCORE | Pulse Transformers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1553-45 | iNRCORE, LLC | Description: TRANSFORMER DUAL STACKED M PBC Packaging: Tray Size / Dimension: 0.630" L x 0.630" W (16.00mm x 16.00mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Transformer Type: Interface, MIL-STD-1553 Turns Ratio - Primary:Secondary: 1CT:2.5CT, 1CT:1.79CT Height - Seated (Max): 0.340" (8.64mm) Part Status: Active | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ1553-45 | iNRCORE | Pulse Transformer 1CT:2.5CT/1CT:1.79CT 100Vrms 1Ohm Prim. DCR 3.5Ohm Sec. DCR 16 Terminal PC Pin Thru-Hole | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ1HN60K3-AP | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600V 6.4 Ohm 1.2A SuperMESH3 FET | на замовлення 1274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1HN60K3-AP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1HN60K3-AP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1HNK60R | на замовлення 7010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ1HNK60R-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1HNK60R-AP | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STQ1HNK60R-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 400 mA, 8 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ1HNK60R-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ1HNK60R-AP Код товару: 103680
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STQ1HNK60R-AP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V | на замовлення 3254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ1HNK60R-AP | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 7.3 Ohm typ 1 A SuperMESH PowerMOSFET in TO-92 package | на замовлення 4610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ1HNK60R-AP | STMicroelectronics | STQ1HNK60R-AP THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1HNK60R-AP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1HNK60R-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1NC40 | на замовлення 1900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ1NC45 | на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ1NC45R | на замовлення 647 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ1NC45R********* | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ1NC45R************ | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ1NC45R-AP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1NC45R-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 450V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1NC45R-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 450V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1NC45R-AP | STMicroelectronics | MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE | на замовлення 1022 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ1NC45R-AP | ST | 09+ | на замовлення 127998 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1NC45R-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 450V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1NC45R-AP | STMicroelectronics | STQ1NC45R-AP THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1NC45R-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 450V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ1NC45R-AP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1NC45R-AP Код товару: 61971
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STQ1NC45R-AP | STM | TO-92 05+ | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1NC45RA | на замовлення 14720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ1NC45RAP | на замовлення 24745 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ1NC60R-AP | на замовлення 3239 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ1NE10L | STMicroelectronics | MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.3 Ohm - 1A TO-92 STripFET, POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1NE10L-AP | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ1NE10LAPS | на замовлення 52000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ1NK60ZR | ST | 06+ TO-92 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1NK60ZR | STMicroelectronics | MOSFETs POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1NK60ZR(транзистор) Код товару: 47888
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STQ1NK60ZR- | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ1NK60ZR-AP | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 13 Ohm typ 0.3 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in TO-9 | на замовлення 3395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ1NK60ZR-AP Код товару: 85095
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності |
| |||||||||||||||
STQ1NK60ZR-AP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ1NK60ZR-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1NK60ZR-AP | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 300mA; Idm: 0.189A; 3W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.189A Power dissipation: 3W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15Ω Mounting: THT Gate charge: 4.9nC Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1NK60ZR-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 2538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ1NK60ZR-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1NK60ZR-AP | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STQ1NK60ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 400 mA, 13 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ1NK60ZR-AP | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 300mA; Idm: 0.189A; 3W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.189A Power dissipation: 3W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15Ω Mounting: THT Gate charge: 4.9nC Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1NK60ZR-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1NK60ZR-AP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V | на замовлення 3234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ1NK60ZR-AP | ST | Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 15Ohm; 300mA; 3W; -55°C~150°C; STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics TSTQ1NK60ZR-AP кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 867 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ1NK60ZR-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 2538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ1NK60ZR-AP$F1 | ST | TO-92 08+ | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1NK60ZR-AP$V3 | на замовлення 1710 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ1NK80ZR | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ1NK80ZR-AP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V | на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ1NK80ZR-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ1NK80ZR-AP | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 250mA; Idm: 5A; 2.5W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 2.5W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 16Ω Mounting: THT Gate charge: 7.7nC Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1NK80ZR-AP | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STQ1NK80ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 300 mA, 13 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 35749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ1NK80ZR-AP | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 250mA; Idm: 5A; 2.5W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 2.5W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 16Ω Mounting: THT Gate charge: 7.7nC Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1NK80ZR-AP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ1NK80ZR-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1NK80ZR-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1NK80ZR-AP | STMicroelectronics | MOSFETs N Ch 800V 13 Ohm 1A | на замовлення 5795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ1NK80ZR-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ1NK80ZR-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ1NR60ZR-AP | на замовлення 20697 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ2016 | ST | на замовлення 37 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STQ2016-3Z | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ2016Z | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ2HNK60ZR-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ2HNK60ZR-AP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V | на замовлення 6703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ2HNK60ZR-AP | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ2HNK60ZR-AP | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package | на замовлення 4562 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ2HNK60ZR-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ2HNK60ZR-AP | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STQ2HNK60ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 4.4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ2HNK60ZR-AP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ2HNK60ZR-AP Код товару: 182267
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STQ2HNK60ZR-AP | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A; 3W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.5A Power dissipation: 3W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhancement Gate charge: 11nC Pulsed drain current: 2A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1972 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ2HNK60ZR-AP | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STQ2HNK60ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 4.4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ2HNK60ZR-AP | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A; 3W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.5A Power dissipation: 3W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhancement Gate charge: 11nC Pulsed drain current: 2A | на замовлення 1972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ2LN60K3-AP | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STQ2LN60K3-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 600 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ2LN60K3-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 0.6A 3-Pin TO-92AP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ2LN60K3-AP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V | на замовлення 2598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ2LN60K3-AP | STMicroelectronics | STQ2LN60K3-AP THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ2LN60K3-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 0.6A 3-Pin TO-92AP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ2LN60K3-AP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ2LN60K3-AP | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92 | на замовлення 5302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ2N62K3-AP | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 620V 2.95 Ohm 2.2A SuperMESH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ2N62K3-AP | STMicroelectronics | TRANS MOSFET N-CH 60V 2A 3-PIN TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ2N62K3-AP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 620V 2.2A TO92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ2NK60ZR- | на замовлення 3200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ2NK60ZR-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ2NK60ZR-AP | STMicroelectronics | MOSFET PTD HIGH VOLTAGE | на замовлення 6117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ2NK60ZR-AP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 700mA, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ2NK60ZR-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ2NK60ZR-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ2NK60ZR-AP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 700mA, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ2NK60ZR-AP | на замовлення 16030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ2NK60ZR-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STQ2NK60ZR-AP***** | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ3016Z | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQ3N45K3-AP | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 450V 3.2 Ohm 1.8A SuperMESH3 | на замовлення 1339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ3N45K3-AP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 450V 600MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ3NK50ZR-AP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 500MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ4N52K3-AP | STMicroelectronics | STMicroelectronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQ4N52K3-AP | STMicroelectronics | MOSFET 525V 2.6 OHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQB125-4R4 | на замовлення 23200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQB125HF-2R2 | на замовлення 14700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQB125R-1018 | на замовлення 2250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQB125R-1018PF | на замовлення 217000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STQC1553-1 | iNRCORE | Pulse Transformers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQC1553-2 | iNRCORE | Pulse Transformers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQC1553-45 | iNRCORE | Pulse Transformers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQC1553-45 | iNRCORE, LLC | Description: TRANSFORMER DUAL STACKED PBC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQC30 | STMicroelectronics | HVDCP secondary-side Qualcomm Quick Charge 3.0 controller | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQC30TR | STMicroelectronics | HVDCP secondary-side Qualcomm Quick Charge 3.0 controller | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQFN-20 | Silego Technology | STQFN-20 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQINE10LAPS | ST | на замовлення 52000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STQN1553-1 | iNRCORE | Pulse Transformers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STQN1553-45 | iNRCORE | Audio Transformers / Signal Transformers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |