Продукція > STQ

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STQ-1016SIRENZA04+;
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ-1016RFMDDescription: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ-1016Z
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ-2016RFMDDescription: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ-2016SIRENZA04+;
на замовлення 38380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ-2016-3RFMDDescription: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ-2016-3ZSIRENZA0647
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ-2016ZRFMDDescription: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ-2016ZSIRENZA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ-2016ZRFMDDescription: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STQ-2016ZRFMDDescription: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STQ-3016SIRENZA04+;
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ-3016RFMDDescription: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1016
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1016Znew
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ124-1022
на замовлення 13916 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ124-8222
на замовлення 14968 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ124A-8222
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ125-100
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ125-1022A
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ125-8 222
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ125-8222
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ125A-7322A
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ125R-1018PF
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ127-7622
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ127R-2R2
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ127R-2R210AP
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1553-3iNRCOREPulse Transformers
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1553-3iNRCORE, LLCDescription: TRANSFORMER DUAL STACKED PBC
Packaging: Tray
Size / Dimension: 0.630" L x 0.630" W (16.00mm x 16.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Transformer Type: Interface, MIL-STD-1553
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1.25CT:1CT, 1.66CT:1CT
Height - Seated (Max): 0.340" (8.64mm)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1553-45iNRCORE, LLCDescription: TRANSFORMER DUAL STACKED M PBC
Packaging: Tray
Size / Dimension: 0.630" L x 0.630" W (16.00mm x 16.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Transformer Type: Interface, MIL-STD-1553
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1CT:2.5CT, 1CT:1.79CT
Height - Seated (Max): 0.340" (8.64mm)
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9084.28 грн
10+7857.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HN60K3-APSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 6.4 Ohm 1.2A SuperMESH3 FET
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HN60K3-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R
на замовлення 7010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+43.90 грн
100+28.69 грн
500+20.78 грн
1000+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.73 грн
4000+21.99 грн
6000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-APSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STQ1HNK60R-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 400 mA, 8 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.54 грн
16+50.58 грн
100+32.94 грн
500+23.48 грн
1000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-AP
Код товару: 103680
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.80 грн
4000+22.06 грн
6000+21.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-APSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 7.3 Ohm typ., 1 A SuperMESH PowerMOSFET in TO-92 package
на замовлення 7435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.36 грн
10+44.14 грн
100+25.06 грн
500+19.33 грн
1000+17.53 грн
2000+15.88 грн
4000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NC40
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NC45
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NC45STMСНЯТ С ПРОИЗВОДСТВА Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NC45R
на замовлення 647 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NC45R*********
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NC45R************
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NC45R-APST09+
на замовлення 127998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NC45R-AP
Код товару: 61971
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NC45R-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NC45R-APSTMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.54 грн
10+42.24 грн
100+23.95 грн
500+18.43 грн
1000+16.36 грн
2000+13.81 грн
4000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NC45R-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NC45R-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NC45R-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.64 грн
19+40.57 грн
25+40.18 грн
100+27.72 грн
250+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NC45RA
на замовлення 14720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NC45RAP
на замовлення 24745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NC60R-AP
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NE10LSTMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL 100V - 0.3 Ohm - 1A TO-92 STripFET™, POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NE10L-AP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NE10LAPS
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK60ZRSTMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK60ZRST06+ TO-92
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK60ZR(транзистор)
Код товару: 47888
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK60ZR-
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+21.47 грн
4000+20.23 грн
6000+20.02 грн
10000+19.12 грн
14000+17.52 грн
20000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.46 грн
4000+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET i
на замовлення 5951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.54 грн
10+41.92 грн
100+23.68 грн
500+18.22 грн
1000+16.43 грн
2000+14.91 грн
4000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+21.46 грн
4000+20.23 грн
6000+20.02 грн
10000+19.12 грн
14000+17.52 грн
20000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
359+39.56 грн
360+39.47 грн
500+39.39 грн
1000+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 359 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK60ZR-AP
Код товару: 85095
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
1+25.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 17986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
415+34.19 грн
527+26.90 грн
624+22.74 грн
1000+20.45 грн
2000+16.97 грн
4000+15.20 грн
6000+15.05 грн
10000+14.90 грн
14000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 415 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+39.34 грн
100+25.55 грн
500+18.42 грн
1000+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 17986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.91 грн
23+34.19 грн
100+26.90 грн
500+21.92 грн
1000+18.93 грн
2000+16.29 грн
4000+15.20 грн
6000+15.05 грн
10000+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.83 грн
20+39.74 грн
25+39.65 грн
100+38.14 грн
250+35.24 грн
500+33.76 грн
1000+33.68 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.46 грн
4000+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.73 грн
4000+14.76 грн
6000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK60ZR-APSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 15Ohm; 300mA; 3W; -55°C~150°C; STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics TSTQ1NK60ZR-AP
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 867 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 300mA; Idm: 0.189A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 3W
Case: TO92 Formed
On-state resistance: 15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.189A
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+47.43 грн
14+31.33 грн
100+23.02 грн
500+17.70 грн
1000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK60ZR-APSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STQ1NK60ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 400 mA, 13 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.03 грн
21+39.87 грн
100+25.93 грн
500+17.05 грн
1000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK60ZR-AP$F1STTO-92 08+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK60ZR-AP$V3
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK80ZR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK80ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK80ZR-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK80ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK80ZR-APSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STQ1NK80ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 300 mA, 16 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.57 грн
14+60.97 грн
100+40.43 грн
500+29.69 грн
1000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK80ZR-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
10+53.32 грн
100+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK80ZR-APSTMicroelectronicsMOSFETs N Ch 800V 13 Ohm 1A
на замовлення 4966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.43 грн
10+58.11 грн
100+33.34 грн
500+25.96 грн
1000+23.54 грн
2000+21.40 грн
4000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK80ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NR60ZR-AP
на замовлення 20697 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2016ST
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2016-3Z
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2016Z
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2HNK60ZR-AP
Код товару: 182267
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2HNK60ZR-APSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STQ2HNK60ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 4.8 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.09 грн
13+65.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2HNK60ZR-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2HNK60ZR-APSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ., 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.48 грн
10+62.64 грн
100+36.04 грн
500+28.23 грн
1000+25.68 грн
2000+23.06 грн
4000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2HNK60ZR-APSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 3W
Case: TO92 Formed
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
Gate charge: 11nC
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.12 грн
10+58.92 грн
50+43.21 грн
100+36.98 грн
500+27.50 грн
1000+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2HNK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2HNK60ZR-AP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]