Продукція > XP4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
XP4024EMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4024EM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+74.44 грн
17+54.82 грн
100+36.46 грн
500+26.37 грн
1000+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024EMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 15 V
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+68.24 грн
10+47.83 грн
100+31.78 грн
500+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024EMX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024EMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024EMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4024EM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.46 грн
500+26.37 грн
1000+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024EMYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 18.5 A SO-8
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+72.11 грн
10+51.61 грн
100+29.87 грн
500+23.48 грн
1000+21.72 грн
3000+17.17 грн
6000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024EYTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N CH 30V 20.7A PMPAK3X3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024GEMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4024GEMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024GEMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 26.1A 60A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.1A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024GEMTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 26.1 A PMPAK-5x6
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.25 грн
10+41.23 грн
100+23.96 грн
500+19.01 грн
1000+17.17 грн
3000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024GEMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4024GEMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+51.96 грн
28+32.16 грн
100+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024GEMTX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024GEMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 26.1A 60A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.1A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+57.01 грн
10+37.43 грн
100+24.99 грн
500+19.01 грн
1000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP4052CMTYAGEOArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4060CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4060CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2250 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4060C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2250µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+92.27 грн
100+90.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP4060CMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 26A PMPAK-5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.24 грн
10+186.75 грн
100+148.63 грн
500+118.03 грн
1000+100.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP4060CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4060CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2250 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4060C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2250µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP4060CMTX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+75.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP4060CMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 26A PMPAK-5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4060CMTXSemiMOSFET N-CH 30V 37A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.94 грн
10+230.51 грн
100+160.51 грн
500+131.76 грн
1000+109.40 грн
3000+97.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP4062CMTX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP4062CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4062CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 4500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4062C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP4062CMTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 26A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.68 грн
10+113.88 грн
100+77.22 грн
500+64.92 грн
1000+55.50 грн
3000+47.12 грн
9000+46.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP4062CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 26A 58A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1488 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.71 грн
10+101.49 грн
100+78.92 грн
500+62.78 грн
1000+51.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP4062CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4062CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 4500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4062C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+42.19 грн
26+35.30 грн
100+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
XP4062CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 26A 58A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1488 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4064CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4064CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3100 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4064C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP4064CMTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 31.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.51 грн
10+49.13 грн
100+29.39 грн
500+22.68 грн
1000+20.52 грн
3000+18.53 грн
6000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP4064CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 31.5A 78A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.5A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.90 грн
10+106.64 грн
100+84.90 грн
500+67.42 грн
1000+57.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP4064CMTX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP4064CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4064CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3100 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4064C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+51.42 грн
22+40.94 грн
100+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
XP4064CMTXSemiMOSFET N-CH 30V 31.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.34 грн
10+119.39 грн
100+82.25 грн
250+76.50 грн
500+69.08 грн
1000+62.53 грн
3000+54.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP4064CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 31.5A 78A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.5A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4072CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 23.4A 52A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.4A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1232 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4072CMTX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP4072CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4072CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 4500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4072C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+47.66 грн
100+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
XP4072CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 23.4A 52A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.4A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1232 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+55.29 грн
10+36.60 грн
100+24.25 грн
500+17.66 грн
1000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP4072CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4072CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 4500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4072C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP4072CMTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 23.4 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.70 грн
11+33.98 грн
100+20.12 грн
500+15.81 грн
1000+14.37 грн
3000+13.26 грн
9000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP408AB
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP40M00000S408TGSDescription: CRYSTAL 40MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 40 MHz
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
XP40P03GIYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP40T03GHYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP40T03GPYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4111PANASONIC99+ SOT-323-6
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4112
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4113Panasonic
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4113-TXPANASONIC09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4114Panasonic04+ SOT-363
на замовлення 21100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4115
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4115(TX)panasonic
на замовлення 1876 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4115-(TX)panasonic05+
на замовлення 1876 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4116
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4116-(TX)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4117
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4132-(TX)
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP41407TCMagnetics, a division of Spang & Co.Description: TOROID BLACK COATED
Packaging: Bulk
Tolerance: ±25%
Material: P
Diameter: 0.510" (12.95mm)
Height: 0.196" (4.98mm)
Core Type: Toroid
Inductance Factor (Al): 1.356 µH
Initial Permeability (µi): 2500
Finish: Coated
Gap: Ungapped
Effective Length (le) mm: 29.5
Effective Area (Ae) mm²: 12.8
Effective Magnetic Volume (Ve) mm³: 378.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4210
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4211PANAS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4211Panasonic
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4211 / 9VPanasonic
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4211-(TX)Panasonic
на замовлення 63718 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4211-(TX)(9V)
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4212
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4212-(TX)PANASONICSOT23-6
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4212-(TX)(8R)
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4213
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4213
Код товару: 168732
Додати до обраних Обраний товар

Мікросхеми > Транзисторні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4213-(TX)MAT
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4213-(TX)PANASONICSOT26/
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4213-(TX)PANASONICSOT23-6
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4213-(TX).SOPANASOT26/SOT363
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4214PANPSONIC09+
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4214PAN06+ SOT-363
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4214-(TX)PANASONICSOT26/SOT363
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4214-(TX).SO
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4214-TX
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4215panasonic
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4215-(TX)Panasonic
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4215-(TX)(8T)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4215-(TX).MTPANASONICSOT363-8T
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4215-(TX).MT SOT363-8TPANASONIC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4215-(TX).MT SOT363-8TPANASONIC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4216
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4216-(TX)
на замовлення 68500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4216-X
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP42AZ11Saia-BurgessBasic / Snap Action Switches Door switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4311 / 7XPanasonic
на замовлення 11187 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4311-(TX)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4311-(TX)(7X)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4311-TXPANASONIC09+
на замовлення 5918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4311/7X
на замовлення 11187 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4312-(TX)PANASONICSOT23-6
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4312-(TX)PANASONICSOT363
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4312-(TX)PANASONICSOT26/SOT363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4312-(TX).ERPANASONICSOT363-7T
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4312-(TX).ER SOT363-7TPANASONIC
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4312-(TX).ER SOT363-7TPANASONIC
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4312-(TX).ERSOT363-7TPANASONIC
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4312-(TX).SO
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4312-(TX)/7T
на замовлення 48700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4312-TXPANASONIC05+PB
на замовлення 4412 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4312-TXPANASONICSOT23-6
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4312-TXPANASONIC09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4312-TX.SO
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4313PAN09+
на замовлення 25818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4313PAN07+ SOT-363
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4313-(TX)PANASONICSOT363-BZ
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4313-(TX)PANASONICSOT363
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4313-(TX)PANASONIC09+
на замовлення 12038 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4313-(TX) SOT363-BZPANASONIC
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4313-(TX) SOT363-BZPANASONIC
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4313-(TX)SOT363-BZPANASONIC
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4313-TX
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4313/BZ
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4314PANPSONIC09+
на замовлення 72018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4314-CTX7
на замовлення 17754 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4314/CAPANASONIC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4314\CAPanasonicSOT-363
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4315PANASONIC
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4315-TXPANPSONIC09+
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4316PAN
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4316(TX)PANASONIC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4316-TXPANASONIC09+
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4401PANAS
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4401
Код товару: 168734
Додати до обраних Обраний товар

Мікросхеми > Транзисторні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4401(TX)Panasonic
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4401-(TX)PANASONICSOT23-6
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4401-(TX)(5K)
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4401-(XT)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4401-TX
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4401-XT
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4401/5KPANASONIC09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4401TX
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4402
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4402/0H
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4410GMYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4414-TX
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4459MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4459M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.3 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4459 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+77.76 грн
14+68.35 грн
100+46.58 грн
500+36.10 грн
1000+28.41 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XP4459MYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -11 .3A SO-8
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.21 грн
10+66.12 грн
100+38.01 грн
500+31.22 грн
1000+26.99 грн
3000+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP4459MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4459M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.3 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4459 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.58 грн
500+36.10 грн
1000+28.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP4459MX-Semi (YAGEO)P-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP4459YTYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -12 .7A PMPAK-3x3
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.70 грн
10+47.85 грн
100+27.15 грн
500+20.84 грн
1000+19.33 грн
3000+15.81 грн
6000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP4459YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4459YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0135 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4459 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+62.35 грн
22+41.57 грн
100+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
XP4459YTX-Semi (YAGEO)P-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP4459YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4459YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0135 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4459 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP4501
Код товару: 168735
Додати до обраних Обраний товар

Мікросхеми > Транзисторні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4501(TX)PANASONIC
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4501-(TX)PANASONICSOT36
на замовлення 707 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4501-(TX)PANASONICSOT23-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4501-(TX)(5H)
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4501-(TX)/XP0450
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4501-TXPANASONICSOT363-5H
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4501-TX SOT363-5HPANASONIC
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4501-TX SOT363-5HPANASONIC
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4501-WPANASONICSOT26/
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4501-WPANASONICSOT23
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4501/5HPANASONIC09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4506PANASONIC
на замовлення 14480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4509AGMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 30V 11.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V, 2000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V, 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.09 грн
10+119.37 грн
100+82.85 грн
500+64.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP4509AGMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4509AGM - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11.2 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4509A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4509AGMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 30V 11.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V, 2000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V, 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4509AGMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4509AGM - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11.2 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4509A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.17 грн
10+125.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP4509AGMYAGEO XSemiMOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.33 грн
10+128.57 грн
100+77.38 грн
500+62.85 грн
1000+61.81 грн
3000+55.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP4525GEHYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4525GEMYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4601PAN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4601-(TX)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Arrays - TRANS ARRAY PNP/NPN SMINI-6P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4601-(TX)(5C)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4601-(TX)/5CPANASONIC
на замовлення 724 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4601-TXPANASONIC
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4601-TX/5C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4601-ЈЁTXЈ©.SO
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4601/5CPANASONIC
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4601CTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Arrays - TRANS ARRAY PNP/NPN SMINI-6P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4601TRPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Arrays - TRANS ARRAY PNP/NPN SMINI-6P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4604IYAGEOArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4608PYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4608SYAGEOArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4654
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4654-(TX)PANASONICSOT23-6
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4800GEMYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4878/7Y
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4M32LPTRIDENTBGA
на замовлення 405 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R1AMTYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R1MTX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R1MTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.68 грн
10+94.59 грн
100+56.54 грн
500+46.88 грн
1000+44.80 грн
3000+39.29 грн
6000+37.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R1MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 33.8A PMPAK-5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9056 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.61 грн
10+228.09 грн
100+184.53 грн
500+153.93 грн
1000+131.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R1MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N2R1MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 2100 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R1 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R1MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 33.8A PMPAK-5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9056 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R1MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N2R1MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 2100 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R1 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.27 грн
10+93.17 грн
100+63.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R5MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.8A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.65 грн
10+184.09 грн
100+146.54 грн
500+116.36 грн
1000+98.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R5MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N2R5MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 125 A, 2550 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R5MTX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R5MTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 40V 33.8 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.48 грн
10+97.35 грн
100+57.82 грн
500+47.83 грн
1000+44.32 грн
3000+38.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R5MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.8A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R5MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N2R5MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 125 A, 2550 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+138.85 грн
10+94.96 грн
100+65.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R6SYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N4R2HYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 40V 75A TO-252
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.16 грн
10+89.26 грн
100+52.23 грн
500+41.92 грн
1000+39.53 грн
3000+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N4R2HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N4R2H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4N4R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N4R2HX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N4R2HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N4R2H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4N4R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+143.33 грн
10+95.85 грн
100+64.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 45V 49A 223A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4NA1R4CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 223 A, 1400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+175.58 грн
10+123.62 грн
100+85.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 45V 49A PMPAK-5x6
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+164.90 грн
10+114.79 грн
100+69.40 грн
500+57.66 грн
1000+54.78 грн
3000+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 45V 49A 223A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+170.18 грн
10+115.29 грн
100+80.16 грн
500+62.65 грн
1000+57.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R4CMT-AX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4NA1R4CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 223 A, 1400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R5HCSTYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R5HCSTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N CH 40V 45A SPPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SPPAK 5X6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7136 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R6HCMTYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R8MT-AYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA2R2HCSTYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA2R2HCSTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N CH 40V 36.5A SPPAK5X6
Packaging: Tube
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.28mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 96.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SPPAK 5X6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA2R4HYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA2R4ITYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA2R4PYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA2R6CMTYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA2R8MTYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA3R3ITYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA3R5HCSTYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA3R8HYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA3R8H-ATYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR72CXTYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR85CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N CH 40V 61.4A PMPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9120 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR85CMTYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 45V 58A 100A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8880 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4NAR95CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 264 A, 950 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NAR95 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.35 грн
10+109.29 грн
100+75.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 45V 58A PMPAK-5x6
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.72 грн
10+131.33 грн
100+78.26 грн
500+62.53 грн
1000+59.09 грн
3000+52.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR95CMT-AX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4NAR95CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 264 A, 950 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NAR95 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 45V 58A 100A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8880 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+510.53 грн
10+330.24 грн
100+238.62 грн
500+187.19 грн
1000+181.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP4P018MYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P CH -40V 9.4A SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4P090NYAGEO XSemiMOSFET P-CH -40V -3A SOT-23S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.83 грн
10+44.91 грн
100+29.15 грн
500+22.84 грн
1000+17.65 грн
3000+16.13 грн
9000+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP4X230/1DELTA DESIGNDescription: DELTA DESIGN - XP4X230/1 - Antriebseinheit, Xenon, blinkend, 1W, 230V AC, IP67, 35mm hoch
tariffCode: 85412900
Linsenfarbe: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Versorgungsspannung, V AC: 230V
Optisches Signal: Blitzlicht
Nennleistung: 1W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -
euEccn: NLR
IP- / NEMA-Schutzart: IP67
Außenhöhe: 35mm
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, V DC: -
Linsendurchmesser: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2834.42 грн
5+2504.75 грн
10+2244.06 грн
20+2042.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.