Продукція > XPH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
XPH13016MC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH13016MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0129 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.61 грн
10+97.61 грн
100+78.25 грн
500+63.98 грн
1000+57.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XPH13016MC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH13016MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0129 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.57 грн
10+100.87 грн
100+79.72 грн
500+65.71 грн
1000+57.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XPH1R104PS,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 40V UMOS9-H SOP ADVANCE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH1R104PS,L1XHQToshibaMOSFETs 40V UMOS9-H SOP Advance(WF) 1.1 mohm
на замовлення 4898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.03 грн
10+90.61 грн
100+58.50 грн
500+49.57 грн
1000+42.18 грн
5000+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH1R104PS,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 40V UMOS9-H SOP ADVANCE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.56 грн
10+86.71 грн
100+62.07 грн
500+47.59 грн
1000+42.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH1R104PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH1R104PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1140 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1140µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.66 грн
10+92.73 грн
100+68.90 грн
500+59.67 грн
1000+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XPH1R104PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH1R104PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1140 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1140µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.90 грн
500+59.67 грн
1000+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPH25RCOASTDescription: COAST - XPH25R - XPH25R RECHARGEABLE HEAD-TORCH
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1Q(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH2R106NC,L1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 1700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.64 грн
10+183.84 грн
100+151.30 грн
500+113.30 грн
1000+94.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1Q(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH2R106NC,L1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 1700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+151.30 грн
500+113.30 грн
1000+94.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.47 грн
10+118.44 грн
100+94.22 грн
500+74.82 грн
1000+63.48 грн
2000+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1XHQToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R404PS,L1XHQToshibaSilicon N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R404PS,L1XHQToshibaSilicon N-Channel MOSFET
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+52.17 грн
258+50.15 грн
274+47.19 грн
280+44.51 грн
500+39.23 грн
1000+36.77 грн
3000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 248
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R404PS,L1XHQToshibaMOSFETs 40V UMOS9-H SOP Advance(WF) 2.4mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R404PS,L1XHQToshibaSilicon N-Channel MOSFET
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.87 грн
15+51.53 грн
25+50.98 грн
100+48.72 грн
250+44.12 грн
500+40.38 грн
1000+39.43 грн
3000+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R404PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH2R404PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0024 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.37 грн
500+57.63 грн
1000+49.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R404PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH2R404PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0024 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.28 грн
10+101.68 грн
100+73.37 грн
500+57.63 грн
1000+49.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XPH30RCOASTDescription: COAST - XPH30R - Taschenlampe, Stirnlampe, LED, 1000lm, 165m, Lithium-Ionen-Akku, CR123-Zelle
tariffCode: 85131000
Strahlreichweite: 165m
productTraceability: No
Taschenlampe: Stirnlampe
rohsCompliant: NA
Stromquelle: Akku, CR123-Batterien x 1 (nicht im Lieferumfang enthalten)
Material des Taschenlampengehäuses: Aluminium
Lichtquelle: LED
euEccn: NLR
Lumenpaket: 1000lm
isCanonical: Y
hazardous: true
hazardCode: 3481
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7647.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XPH34RCOASTDescription: COAST - XPH34R - XPH34R RECHARGEABLE HEAD-TORCH
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8377.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3LUG61DSunLEDDescription: LED 1.8MM GRN DIFF TRI-LEVEL CBI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3LUR61DSunLEDDescription: LED 1.8MM RED DIFF TRI-LEVEL CBI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3LUY61DSunLEDDescription: LED 1.8MM YLW DIFF TRI-LEVEL CBI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R114MC,L1XHQToshibaMOSFETs 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.76 грн
10+84.99 грн
100+56.82 грн
500+45.88 грн
1000+44.07 грн
5000+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R114MC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R114MC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.90 грн
10+89.96 грн
100+61.09 грн
500+45.73 грн
1000+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R114MC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH3R114MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.94 грн
500+65.71 грн
1000+57.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R114MC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH3R114MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.59 грн
10+95.99 грн
100+73.94 грн
500+65.71 грн
1000+57.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R206NCToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R206NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 70A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.70 грн
10+93.81 грн
100+65.30 грн
500+53.21 грн
1000+52.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R206NC,L1XHQToshibaMOSFETs
на замовлення 7568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.26 грн
10+110.65 грн
100+65.96 грн
500+52.50 грн
1000+49.16 грн
2500+45.53 грн
5000+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R206NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 70A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R304PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH3R304PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 3300 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.58 грн
17+48.07 грн
100+40.51 грн
500+34.44 грн
1000+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R304PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH3R304PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 3300 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.51 грн
500+34.44 грн
1000+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPH416TI09+
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.88 грн
10+96.68 грн
100+65.81 грн
500+49.36 грн
1000+47.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQToshibaMOSFETs PD=170W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 6690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.87 грн
10+102.63 грн
100+60.59 грн
500+48.39 грн
1000+46.99 грн
2500+46.23 грн
5000+43.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQ KA5..ToshibaN-Channel 100V 70A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) XPH4R10ANB,L1XHQ TXPH4R10ANB,L1XHQ
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+153.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH4R10ANB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 4100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.21 грн
500+51.97 грн
1000+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH4R10ANB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 4100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.81 грн
15+56.45 грн
100+56.21 грн
500+51.97 грн
1000+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R714MC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.93 грн
10+75.84 грн
100+50.98 грн
500+37.85 грн
1000+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R714MC,L1XHQToshibaMOSFETs 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 14683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.52 грн
10+80.98 грн
100+47.34 грн
500+37.44 грн
1000+34.44 грн
2500+33.75 грн
5000+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R714MC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R714MC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH4R714MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.48 грн
13+67.27 грн
100+55.72 грн
500+50.76 грн
1000+46.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R714MC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH4R714MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.72 грн
500+50.76 грн
1000+46.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPH6R30ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH6R30ANB,L1XHQToshibaMOSFETs PD=132W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 13141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.46 грн
10+48.03 грн
100+36.40 грн
500+34.93 грн
1000+34.65 грн
2500+34.09 грн
5000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XPH6R30ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
на замовлення 8924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.68 грн
10+115.72 грн
100+79.30 грн
500+59.79 грн
1000+55.08 грн
2000+51.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XPH6R30ANB,L1XHQ KA4..ToshibaN-Channel 100V 45A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) XPH6R30ANB,L1XHQ TXPH6R30ANB,L1XHQ
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+124.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XPH6R30ANB,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH6R30ANB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 6300 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.02 грн
100+61.74 грн
500+55.22 грн
1000+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XPH6R30ANB,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH6R30ANB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 6300 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.74 грн
500+55.22 грн
1000+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPH8R316MC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH8R316MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0083 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.73 грн
500+75.31 грн
1000+65.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPH8R316MC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH8R316MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0083 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.02 грн
10+120.39 грн
100+92.73 грн
500+75.31 грн
1000+65.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XPHR7904PS,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 40V UMOS9-H SOP ADVANCE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPHR7904PS,L1XHQToshibaMOSFETs 40V UMOS9-H SOP Advance(WF) 0.79mohm
на замовлення 4604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.90 грн
10+120.27 грн
100+71.82 грн
500+57.80 грн
1000+56.48 грн
2500+55.71 грн
5000+53.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XPHR7904PS,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 40V UMOS9-H SOP ADVANCE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.39 грн
10+119.12 грн
100+81.78 грн
500+61.77 грн
1000+58.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XPHR7904PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPHR7904PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 790 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+124.46 грн
500+106.50 грн
1000+89.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPHR7904PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPHR7904PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 790 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.87 грн
10+135.03 грн
100+124.46 грн
500+106.50 грн
1000+89.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XPHR9904PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPHR9904PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 990 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.86 грн
500+63.83 грн
1000+53.41 грн
5000+50.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPHR9904PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPHR9904PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 990 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.17 грн
10+89.48 грн
100+73.86 грн
500+63.83 грн
1000+53.41 грн
5000+50.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS1018Apex Tool GroupScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers Screw Holding (Phillips #1)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS1018Apex Tool GroupDescription: SCREWDRIVER SLOTTED 1/4"
Features: Black Tip, Ergonomic, Impact Resistant, Soft Grip
Packaging: Bulk
Tool Type: Screwdriver
Size: 1/4"
Tip Type: Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS1028Apex Tool GroupDescription: SCREWDRIVER PHILLIPS #2 11.73"
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS1028Apex Tool GroupScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers Screw Holding (Phillips #2)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS188Apex Tool GroupScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers Screw Holding Screwdriver (1/8")
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS188Apex Tool GroupDescription: SCREWDRIVER SLOTTED 1/8" 11.73"
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS3168Apex Tool GroupScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers Screw Holding Screwdriver (3/16")
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS3168Apex Tool GroupDescription: SCREWDRIVER SLOT 3/16" 11.73"
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS5328Apex Tool GroupScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers Screw Holding Screwdriver (5/32")
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS5328Apex Tool GroupDescription: SCREWDRIVER SLOT 5/32" 11.73"
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPHVC00RF15-58PAmphenolAmphenol H/V D38999 SPECIAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPHVC06RF15-58SAmphenolAmphenol H/V D38999 SPECIAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.