Продукція > XPH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
XPH13016MC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH13016MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0129 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.98 грн
10+107.73 грн
100+85.14 грн
500+70.19 грн
1000+61.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XPH13016MC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH13016MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0129 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.52 грн
10+104.26 грн
100+83.58 грн
500+68.33 грн
1000+61.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XPH1R104PS,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 40V UMOS9-H SOP ADVANCE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.59 грн
10+92.62 грн
100+66.29 грн
500+50.83 грн
1000+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH1R104PS,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 40V UMOS9-H SOP ADVANCE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH1R104PS,L1XHQToshibaMOSFETs 40V UMOS9-H SOP Advance(WF) 1.1 mohm
на замовлення 4898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.99 грн
10+100.65 грн
100+64.98 грн
500+55.07 грн
1000+46.86 грн
5000+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH1R104PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH1R104PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1140 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1140µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.96 грн
10+99.05 грн
100+73.59 грн
500+63.73 грн
1000+54.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XPH1R104PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH1R104PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1140 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1140µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.59 грн
500+63.73 грн
1000+54.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPH25RCOASTDescription: COAST - XPH25R - XPH25R RECHARGEABLE HEAD-TORCH
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1Q(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH2R106NC,L1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 1700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+161.60 грн
500+121.01 грн
1000+101.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1Q(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH2R106NC,L1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 1700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.74 грн
10+196.35 грн
100+161.60 грн
500+121.01 грн
1000+101.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.51 грн
10+126.50 грн
100+100.64 грн
500+79.91 грн
1000+67.81 грн
2000+64.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1XHQToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R404PS,L1XHQToshibaSilicon N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R404PS,L1XHQToshibaSilicon N-Channel MOSFET
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+50.15 грн
258+48.20 грн
274+45.36 грн
280+42.78 грн
500+37.72 грн
1000+35.35 грн
3000+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 248
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R404PS,L1XHQToshibaMOSFETs 40V UMOS9-H SOP Advance(WF) 2.4mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R404PS,L1XHQToshibaSilicon N-Channel MOSFET
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+53.70 грн
15+49.54 грн
25+49.01 грн
100+46.83 грн
250+42.41 грн
500+38.82 грн
1000+37.90 грн
3000+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R404PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH2R404PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0024 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.37 грн
500+61.56 грн
1000+52.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R404PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH2R404PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0024 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.70 грн
10+108.60 грн
100+78.37 грн
500+61.56 грн
1000+52.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XPH30RCOASTDescription: COAST - XPH30R - XPH30R RECHARGEABLE HEAD-TORCH
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9598.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XPH34RCOASTDescription: COAST - XPH34R - XPH34R RECHARGEABLE HEAD-TORCH
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8948.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3LUG61DSunLEDDescription: LED 1.8MM GRN DIFF TRI-LEVEL CBI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3LUR61DSunLEDDescription: LED 1.8MM RED DIFF TRI-LEVEL CBI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3LUY61DSunLEDDescription: LED 1.8MM YLW DIFF TRI-LEVEL CBI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R114MC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.18 грн
10+98.34 грн
100+66.77 грн
500+49.98 грн
1000+48.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R114MC,L1XHQToshibaMOSFETs 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.92 грн
10+94.41 грн
100+63.12 грн
500+50.96 грн
1000+48.95 грн
5000+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R114MC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R114MC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH3R114MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+141.62 грн
10+102.52 грн
100+78.98 грн
500+70.19 грн
1000+61.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R114MC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH3R114MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.98 грн
500+70.19 грн
1000+61.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R206NCToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R206NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 70A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.94 грн
10+100.20 грн
100+69.74 грн
500+56.83 грн
1000+56.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R206NC,L1XHQToshibaMOSFETs
на замовлення 8098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.61 грн
10+108.66 грн
100+65.83 грн
500+58.32 грн
1000+54.68 грн
2500+50.65 грн
5000+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R206NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 70A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R304PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH3R304PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 3300 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.27 грн
500+36.79 грн
1000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R304PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH3R304PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 3300 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+65.77 грн
17+51.35 грн
100+43.27 грн
500+36.79 грн
1000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
XPH416TI09+
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQToshibaMOSFETs PD=170W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 7802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.29 грн
10+61.10 грн
100+50.19 грн
500+49.72 грн
1000+48.33 грн
2500+46.93 грн
5000+44.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.56 грн
10+103.27 грн
100+70.29 грн
500+52.72 грн
1000+51.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQ KA5..ToshibaN-Channel 100V 70A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) XPH4R10ANB,L1XHQ TXPH4R10ANB,L1XHQ
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+142.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH4R10ANB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 4100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+76.02 грн
100+74.72 грн
500+68.09 грн
1000+61.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH4R10ANB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 4100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.72 грн
500+68.09 грн
1000+61.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R714MC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R714MC,L1XHQToshibaTrans MOSFET P-CH Si 40V 60A Automotive 8-Pin SOP Advance(WF) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R714MC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.21 грн
10+81.64 грн
100+54.92 грн
500+40.78 грн
1000+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R714MC,L1XHQToshibaMOSFETs 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 3641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.16 грн
10+67.60 грн
100+48.41 грн
500+39.73 грн
1000+36.94 грн
2500+36.09 грн
5000+32.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R714MC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH4R714MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.51 грн
500+54.21 грн
1000+49.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R714MC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH4R714MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+95.57 грн
13+71.85 грн
100+59.51 грн
500+54.21 грн
1000+49.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XPH6R30ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH6R30ANB,L1XHQToshibaMOSFETs PD=132W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 13141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.05 грн
10+53.35 грн
100+40.43 грн
500+38.80 грн
1000+38.49 грн
2500+37.87 грн
5000+35.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XPH6R30ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
на замовлення 8924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.40 грн
10+123.60 грн
100+84.70 грн
500+63.86 грн
1000+58.83 грн
2000+54.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XPH6R30ANB,L1XHQ KA4..ToshibaN-Channel 100V 45A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) XPH6R30ANB,L1XHQ TXPH6R30ANB,L1XHQ
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+115.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XPH6R30ANB,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH6R30ANB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 6300 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.38 грн
100+65.94 грн
500+58.97 грн
1000+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XPH6R30ANB,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH6R30ANB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 6300 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.94 грн
500+58.97 грн
1000+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPH8R316MC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH8R316MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0083 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.49 грн
10+128.59 грн
100+99.05 грн
500+80.43 грн
1000+70.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XPH8R316MC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH8R316MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0083 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.05 грн
500+80.43 грн
1000+70.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPHR7904PS,L1XHQToshibaMOSFETs 40V UMOS9-H SOP Advance(WF) 0.79mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPHR7904PS,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 40V UMOS9-H SOP ADVANCE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPHR7904PS,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 40V UMOS9-H SOP ADVANCE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPHR7904PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPHR7904PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 790 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.16 грн
10+144.22 грн
100+132.93 грн
500+113.75 грн
1000+95.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XPHR7904PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPHR7904PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 790 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+121.64 грн
500+109.72 грн
1000+98.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPHR9904PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPHR9904PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 990 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.62 грн
10+130.32 грн
100+100.78 грн
500+80.68 грн
1000+68.51 грн
5000+67.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XPHR9904PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPHR9904PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 990 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.78 грн
500+80.68 грн
1000+68.51 грн
5000+67.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS1018Apex Tool GroupScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers Screw Holding (Phillips #1)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS1018Apex Tool GroupDescription: SCREWDRIVER SLOTTED 1/4"
Features: Black Tip, Ergonomic, Impact Resistant, Soft Grip
Packaging: Bulk
Tool Type: Screwdriver
Size: 1/4"
Tip Type: Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS1028Apex Tool GroupScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers Screw Holding (Phillips #2)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS1028Apex Tool GroupDescription: SCREWDRIVER PHILLIPS #2 11.73"
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS188Apex Tool GroupScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers Screw Holding Screwdriver (1/8")
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS188Apex Tool GroupDescription: SCREWDRIVER SLOTTED 1/8" 11.73"
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS3168Apex Tool GroupScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers Screw Holding Screwdriver (3/16")
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS3168Apex Tool GroupDescription: SCREWDRIVER SLOT 3/16" 11.73"
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS5328Apex Tool GroupScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers Screw Holding Screwdriver (5/32")
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS5328Apex Tool GroupDescription: SCREWDRIVER SLOT 5/32" 11.73"
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPHVC00RF15-58PAmphenolAmphenol H/V D38999 SPECIAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPHVC06RF15-58SAmphenolAmphenol H/V D38999 SPECIAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.