Продукція > XPH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
XPH13016MC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH13016MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0129 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.64 грн
10+103.00 грн
100+82.57 грн
500+67.51 грн
1000+60.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XPH13016MC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH13016MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0129 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.82 грн
10+106.43 грн
100+84.12 грн
500+69.34 грн
1000+60.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XPH1R104PS,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 40V UMOS9-H SOP ADVANCE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.88 грн
10+91.50 грн
100+65.49 грн
500+50.22 грн
1000+45.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH1R104PS,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 40V UMOS9-H SOP ADVANCE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH1R104PS,L1XHQToshibaMOSFETs 40V UMOS9-H SOP Advance(WF) 1.1mohm
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+168.71 грн
10+106.47 грн
25+78.81 грн
100+63.28 грн
250+57.69 грн
500+50.50 грн
1000+46.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH1R104PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH1R104PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00114 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00114ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.42 грн
10+89.27 грн
100+80.17 грн
500+72.77 грн
1000+65.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XPH1R104PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH1R104PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00114 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00114ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.17 грн
500+72.77 грн
1000+65.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPH25RCOASTDescription: COAST - XPH25R - XPH25R RECHARGEABLE HEAD-TORCH
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1Q(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH2R106NC,L1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0017 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+252.35 грн
10+187.98 грн
100+141.62 грн
500+106.00 грн
1000+87.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1Q(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH2R106NC,L1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0017 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.62 грн
500+106.00 грн
1000+87.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.60 грн
10+124.97 грн
100+99.42 грн
500+78.95 грн
1000+66.99 грн
2000+63.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1XHQToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+67.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R404PS,L1XHQToshibaSilicon N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R404PS,L1XHQToshibaMOSFETs 40V UMOS9-H SOP Advance(WF) 2.4mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R404PS,L1XHQToshibaSilicon N-Channel MOSFET
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+48.96 грн
258+47.06 грн
274+44.28 грн
280+41.77 грн
500+36.82 грн
1000+34.51 грн
3000+33.69 грн
Мінімальне замовлення: 248
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R404PS,L1XHQToshibaSilicon N-Channel MOSFET
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+52.43 грн
15+48.36 грн
25+47.85 грн
100+45.72 грн
250+41.41 грн
500+37.90 грн
1000+37.01 грн
3000+36.12 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R404PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH2R404PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0024 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.92 грн
10+107.29 грн
100+77.42 грн
500+60.81 грн
1000+51.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R404PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH2R404PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0024 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.42 грн
500+60.81 грн
1000+51.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPH30RCOASTDescription: COAST - XPH30R - XPH30R RECHARGEABLE HEAD-TORCH
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9482.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XPH34RCOASTDescription: COAST - XPH34R - XPH34R RECHARGEABLE HEAD-TORCH
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8839.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3LUG61DSunLEDDescription: LED 1.8MM GRN DIFF TRI-LEVEL CBI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3LUR61DSunLEDDescription: LED 1.8MM RED DIFF TRI-LEVEL CBI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3LUY61DSunLEDDescription: LED 1.8MM YLW DIFF TRI-LEVEL CBI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R114MC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.98 грн
10+90.06 грн
100+67.12 грн
500+50.26 грн
1000+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R114MC,L1XHQToshibaMOSFETs 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.31 грн
10+149.59 грн
100+91.05 грн
500+74.14 грн
1000+68.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R114MC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R114MC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH3R114MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0031 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.72 грн
500+78.75 грн
1000+68.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R114MC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH3R114MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0031 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.45 грн
10+147.63 грн
100+104.72 грн
500+78.75 грн
1000+68.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R206NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 70A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R206NC,L1XHQToshibaMOSFETs
на замовлення 8284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.75 грн
10+107.35 грн
100+65.04 грн
500+57.62 грн
1000+54.02 грн
2500+50.04 грн
5000+48.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R206NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 70A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.47 грн
10+103.85 грн
100+73.56 грн
500+58.64 грн
1000+53.00 грн
2000+51.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH416TI09+
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.70 грн
10+71.33 грн
100+58.41 грн
500+53.42 грн
1000+48.33 грн
2000+45.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQToshibaMOSFETs PD=170W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 7826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.62 грн
10+70.04 грн
100+52.87 грн
1000+48.97 грн
2500+45.37 грн
5000+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQ KA5..ToshibaN-Channel 100V 70A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) XPH4R10ANB,L1XHQ TXPH4R10ANB,L1XHQ
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+139.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH4R10ANB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0041 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+118.45 грн
10+90.98 грн
100+86.69 грн
500+77.07 грн
1000+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH4R10ANB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0041 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.69 грн
500+77.07 грн
1000+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R714MC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.39 грн
10+76.43 грн
100+57.27 грн
500+43.84 грн
1000+38.19 грн
2000+35.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R714MC,L1XHQToshibaTrans MOSFET P-CH Si 40V 60A Automotive 8-Pin SOP Advance(WF) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R714MC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R714MC,L1XHQToshibaMOSFETs 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 3652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.05 грн
10+66.79 грн
100+47.82 грн
500+39.25 грн
1000+36.50 грн
2500+35.66 грн
5000+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R714MC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH4R714MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0047 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.47 грн
10+89.27 грн
100+73.90 грн
500+58.10 грн
1000+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R714MC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH4R714MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0047 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.90 грн
500+58.10 грн
1000+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPH6R30ANB,L1XHQToshibaMOSFETs PD=132W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 14389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.32 грн
10+64.15 грн
25+55.55 грн
100+47.21 грн
250+46.90 грн
500+43.00 грн
1000+42.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XPH6R30ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
на замовлення 8924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.99 грн
10+122.10 грн
100+83.68 грн
500+63.09 грн
1000+58.12 грн
2000+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XPH6R30ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH6R30ANB,L1XHQ KA4..ToshibaN-Channel 100V 45A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) XPH6R30ANB,L1XHQ TXPH6R30ANB,L1XHQ
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+113.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XPH6R30ANB,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH6R30ANB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0063 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.84 грн
500+64.48 грн
1000+57.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPH6R30ANB,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH6R30ANB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0063 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.57 грн
12+74.33 грн
100+71.84 грн
500+64.48 грн
1000+57.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XPH8R316MC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH8R316MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0083 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+97.85 грн
500+79.46 грн
1000+69.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPH8R316MC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPH8R316MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0083 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.12 грн
10+127.03 грн
100+97.85 грн
500+79.46 грн
1000+69.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XPHR7904PS,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 40V UMOS9-H SOP ADVANCE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPHR7904PS,L1XHQToshibaMOSFETs 40V UMOS9-H SOP Advance(WF) 0.79mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPHR7904PS,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 40V UMOS9-H SOP ADVANCE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPHR7904PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPHR7904PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 790 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120.17 грн
500+108.40 грн
1000+97.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPHR7904PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPHR7904PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 790 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.49 грн
10+123.60 грн
100+120.17 грн
500+108.40 грн
1000+97.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XPHR9904PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPHR9904PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 990 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+192.27 грн
10+128.75 грн
100+99.57 грн
500+79.70 грн
1000+67.69 грн
5000+66.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XPHR9904PS,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPHR9904PS,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 990 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.57 грн
500+79.70 грн
1000+67.69 грн
5000+66.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS1018Apex Tool GroupScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers Screw Holding (Phillips #1)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS1018Apex Tool GroupDescription: SCREWDRIVER SLOTTED 1/4"
Packaging: Bulk
Features: Black Tip, Ergonomic, Impact Resistant, Soft Grip
Tool Type: Screwdriver
Size: 1/4"
Tip Type: Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS1028Apex Tool GroupDescription: SCREWDRIVER PHILLIPS #2 11.73"
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS1028Apex Tool GroupScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers Screw Holding (Phillips #2)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS188Apex Tool GroupDescription: SCREWDRIVER SLOTTED 1/8" 11.73"
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS188Apex Tool GroupScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers Screw Holding Screwdriver (1/8")
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS3168Apex Tool GroupScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers Screw Holding Screwdriver (3/16")
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS3168Apex Tool GroupDescription: SCREWDRIVER SLOT 3/16" 11.73"
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS5328Apex Tool GroupDescription: SCREWDRIVER SLOT 5/32" 11.73"
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPHS5328Apex Tool GroupScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers Screw Holding Screwdriver (5/32")
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPHVC00RF15-58PAmphenolAmphenol H/V D38999 SPECIAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPHVC06RF15-58SAmphenolAmphenol H/V D38999 SPECIAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.